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[实用新型]一种DBC与芯片真空回流焊过炉治具-CN202321092656.1有效
发明人：李亚君;廖光朝 -专利权人：重庆云潼车芯电子科技有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种DBC与芯片真空回流焊过炉治具，涉及半导体制造技术领域，解决了将芯片与DBC板进行焊接的治具容易出现DBC板与上模之间的缝隙一致性缺陷，影响芯片焊接质量的技术问题。该装置包括DBC模板、DBC板及芯片模板；所述DBC模板上设置有多个容纳框，所述容纳框用于容纳所述DBC板、芯片模板；所述芯片模板位于所述DBC板的上方，与所述容纳框相互匹配，用于固定至少一颗IGBT芯片和/或FRD芯片。本实用新型将现有的整个芯片模板进行分体设置，形成多个独立的芯片模板，将芯片模板直接压在DBC板上，确保了芯片模板与DBC板之间无明显缝隙，避免了芯片模板由于变形导致的治具缝隙大而报废的问题，保证了芯片的焊接质量。
一种 dbc 芯片真空回流炉治具

[发明专利]复合型衬底结构、子模块、功率模块及子模块连接方法-CN202310968367.1在审
发明人：王炳琨;廖光朝;张小兵 -专利权人：重庆云潼科技有限公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合型衬底结构、子模块、功率模块及子模块连接方法，涉及陶瓷衬底技术领域，解决了现有的IGBT模块封装结构中的功率电路和信号电路在同一金属线路层上排布，造成载流能力降低和电流分布不均的技术问题。该结构包括功率电路层和信号电路层，所述信号电路层置于所述功率电路层之上；所述信号电路层所占面积小于所述功率电路层，并在所述功率电路层上连续或不连续设置。本发明中的功率电路层和信号电路层分层设置，可在功率电路层和信号电路层上排布不同的传输电路，减小传输电路之间的干扰，载流导热能力、电流均布、寄生参数和抗干扰能力均得到优化。
复合型衬底结构模块功率连接方法

[实用新型]一种SGT MOSFET器件结构-CN202321182501.7有效
发明人：田甜;廖光朝 -专利权人：重庆云潼科技有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SGTMOSFET器件结构，该器件结构为双层浓度的外延结构，包括用于降低器件比导通电阻的顶部外延层(3)和用于降低器件反偏漏电的底部外延层(4)。本器件结构采用双层浓度的外延结构，顶部浓度的外延层用于降低器件比导通电阻(Rsp)，底部浓度的外延层起降低反偏漏电作用，既有效地降低了器件的比导通电阻，又保证了器件反偏时的低漏电。
一种 sgt mosfet 器件结构

[实用新型]一种功率模块及电极端子-CN202320780390.3有效
发明人：张小兵;廖光朝 -专利权人：重庆云潼科技有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率模块及电极端子，该模块包括外框、电极端子和装配于所述外框内用于电路布局的陶瓷覆铜板，所述电极端子包括第一段和第二段，所述第一段被用于安装于所述外框上，所述第二段的一端与所述第一段连接，另一端延伸一段长度后向下弯折形成用于与陶瓷覆铜板电气连接的连接段；所述电子端子的第一段装配于所述外框上，第二段位于所述陶瓷覆铜板上方且连接段能够接触到所述陶瓷覆铜板用于与所述陶瓷覆铜板实现电气连接。本实用新型减少了DBC上覆铜通过蚀刻走线到外框边缘再连接的方式；解决了DBC在有限面积内，路布局走线的难点及过流能力不足的问题；减少了在DBC上走线布局，降低了杂散电感和阻容不匹配的问题。
一种功率模块电极端子

[发明专利]一种IGBT分压模块及封装方法-CN202310818868.1在审
发明人：段金炽;廖光朝 -专利权人：重庆云潼科技有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT分压模块及封装方法，涉及IGBT技术领域，解决了现有的IGBT模块不能在保证产品性能的同时减小其封装体积，在使用过程中不利于布线的技术问题。该装置包括DBC板、芯片组件和电极端子，所述芯片组件包括上层芯片组件和下层芯片组件，所述上层芯片组件和下层芯片组件分别置于所述DBC板的不同面；所述电极端子置于所述DBC板的侧边，并与所述芯片组件上的电极连接，用于将所述芯片组件上的电极向外引出。本发明中的芯片通过与DBC板固定连接，采用DBC板双面布芯片型设计，从侧面引出控制极，有利于安装使用过程中的布线，该模块中的芯片紧凑安装，保证产品性能的同时减小其封装体积，减少了电路杂散电感，同时还提升了整个开关的集成度。
一种 igbt 模块封装方法

[发明专利]一种功率器件封装用DBC陶瓷基板的制作方法及装置-CN202310881707.7在审
发明人：段金炽;廖光朝 -专利权人：重庆云潼科技有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本发明涉及电子封装材料技术领域，尤其涉及一种功率器件封装用DBC陶瓷基板的制作方法，该方法包括：将至少一种预设尺寸规格的Al2O3粉、烧结助剂、表面活性剂和有机溶剂按预设比例加入球磨机进行球磨并干燥；将纳米银分散到十二烷基磺酸钠溶液中并进行超声操作，得到纳米银分散体；将纳米银分散体和增稠剂加入球磨机继续球磨，从球磨机里出料，再通过真空脱泡获得流延浆料；将流延浆料置在流延机上流延成型，得到流延生坯片，再对流延生坯片进行烧结，得到预设规格的陶瓷基板。本发明通过在不同粒径Al2O3中增加导热粒子来提高Al2O3陶瓷基板的导热性能，使导热粒子增强于Al2O3导热通路构建，还增强Al2O3陶瓷的韧性。
一种功率器件封装 dbc 陶瓷制作方法装置

[实用新型]定位结构和焊接治具-CN202321159197.4有效
发明人：李亚君;廖光朝 -专利权人：重庆云潼车芯电子科技有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： B23K3/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了定位结构和焊接治具，包括依次层叠设置的底座、第一框架、第二框架以及第三框架，其中，所述第一框架形成有第一容纳腔室，用于容纳所述半成品功率模块；所述第二框架形成有若干过渡孔，用于供所述引脚穿过；所述第三框架设有若干紧固件，各所述紧固件对应各所述过渡孔设置，以使至少部分所述引脚可分离的固定于所述紧固件，并使所述引脚与所述半成品功率模块相对固定。本实用新型解决了焊接前引脚容易滑落导致引脚焊接位置出现误差的技术问题。
定位结构焊接

[实用新型]一种半导体测试探针-CN202320932051.2有效
发明人：陈尧;廖光朝 -专利权人：重庆云潼车芯电子科技有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01R1/073 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体测试探针，包括第一探针主体，所述第一探针主体包括第一U形弹性缓冲部，第一U形弹性缓冲部一侧连接有第一接触端；第一接触端用于与待测器件接触对待测器件进行检测；第二探针主体，所述第二探针主体与第一探针主体分体设置且第二探针主体设于第一探针主体下方。本实用新型解决了现有技术存在探针易磨损以及使用成本高的问题，本方案改变了传统测试探针需要与针套和/或弹性部件配合后再装设于测试座上才能进行使用的方式，由于该探针不装配弹簧等器件，不存在探针与弹簧之间的磨损，延长了探针的使用寿命且利用独特的U形弹性结构以代替传统的结构形式，有效简化了探针的总体结构，减少了使用成本，更加可靠。
一种半导体测试探针

[发明专利]一种半导体功率模块封装衬底的制备方法-CN202310881086.2在审
发明人：段金炽;廖光朝 -专利权人：重庆云潼科技有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及电子封装材料技术领域，尤其涉及一种半导体功率模块封装衬底的制备方法，所述半导体功率模块封装衬底为覆铜Al2O3陶瓷基板，所述制备方法包括以下步骤：将硫酸铜溶液均匀喷洒在干燥的Al2O3陶瓷生坯表面，干燥，烧结，得到Al2O3陶瓷基板；将铜片和Al2O3陶瓷基板叠合在一起，置于流动的氮气中，于温度1065～1083℃条件下敷接0.5～1.5h，自然冷却至常温，得到覆铜Al2O3陶瓷基板。本发明用于解决现有DBC工艺中采用热氧化法造成敷接过程中释放氧气，影响DBC基板的结合强度的问题。
一种半导体功率模块封装衬底制备方法

[实用新型]一种性能可调的IGBT芯片-CN202320817072.X有效
发明人：田甜;廖光朝 -专利权人：重庆云潼科技有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种性能可调的IGBT芯片，该芯片被配置包括Gate沟槽栅（1）、若干陪栅（2）、与所述Gate沟槽栅（1）电性连接的Gate_PAD（3）和与陪栅（2）数量相匹配且电性连接的PAD（4）；封装时，所述Gate_PAD（3）和所述PAD（4）被分布于IGBT芯片裸片表面，所述Gate_PAD（3）接IGBT栅极作为栅极。本IGBT芯片配置多个陪栅，每个陪栅匹配与之电性连接的PAD，通过设置多个PAD，再运用外部调整打线的方式，改变陪栅的比例和连接方式，实现了灵活调整IGBT芯片的性能参数，以适用于不同的应用场合，无需再次更改光罩版和流片，节省了成本和时间。
一种性能可调 igbt 芯片

[发明专利]一种导电粘结剂及其制备方法与应用-CN202310012449.9有效
发明人：段金炽;廖光朝 -专利权人：重庆云潼科技有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C09J163/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体功率模块封装技术领域，尤其涉及一种导电粘结剂及其制备方法与应用，导电粘结剂的制备方法为将环氧树脂与环氧氯丙烷混合，在40～80℃下反应 0.5～3h，然后升温至 60～120℃，将羟基化木质素溶入10～30wt% NaOH作为催化剂逐滴滴加到反应体系中，保持反应温度60～120℃反应1～3h，静置6～24h后，移除上清液，下层用 50～60℃的温水洗涤，于旋转蒸发仪中减压蒸馏，获得木质素基环氧树脂；将木质素基环氧树脂加入温控磁力搅拌器中，加热至40～110℃，称取1～5wt% 改性石墨烯搅拌至室温，加入7～9wt%固化剂并搅拌20～40分钟，置于65～75℃下抽真空排除气泡，得到导电粘合剂。本发明解决了现有导电粘结剂存在的附着力低、导电效果不理想的问题。
一种导电粘结及其制备方法应用

[实用新型]一种IGBT模块封装外壳及IGBT模块封装结构-CN202320008440.6有效
发明人：段金炽;廖光朝 -专利权人：重庆云潼科技有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L23/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体功率模块封装技术领域，尤其涉及一种IGBT模块封装外壳及IGBT模块封装结构，IGBT模块封装外壳包括两层树脂层和设置在两层树脂层之间的石墨层。IGBT模块封装结构，包括上述的IGBT模块封装外壳，还包括位于所述IGBT模块封装外壳与基板之间构成的封装空间内的衬板、第一芯片、第二芯片。本实用新型克服了现有的IGBT模块封装外壳没有减少电磁干扰的缺点，辅助提高IGBT模块的运行安全可靠性。
一种 igbt 模块封装外壳结构

[发明专利]一种PMSM无感驱动角度观测方法-CN202310548422.1在审
发明人：喻聪;廖光朝 -专利权人：重庆云潼科技有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H02P21/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种PMSM无感驱动角度观测方法，涉及电机控制技术领域，解决了现有的无感永磁同步电机角度估算精准性低的技术问题。本发明的方法包括：根据采集的旋转坐标系电流以及反馈的旋转坐标系电压，对观测器估计的磁链进行高通滤波处理，并根据滤波处理的磁链计算永磁同步电机的观测角度；对计算的观测角度进行基于角度偏差的锁相环和低通滤波处理，得到观测角速度；对给定的期望角速度与观测角速度进行基于PID的前馈补偿，得到直交坐标系的第一交轴电流。本方法能够提升永磁同步电机角度观测的抗干扰能力、计算准确性以及电机控制运行速度的极限性能，加快速度环控制响应。
一种 pmsm 驱动角度观测方法

[实用新型]IGBT模块焊接装置-CN202320357145.1有效
发明人：段金炽;廖光朝 -专利权人：重庆云潼科技有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B23K3/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及功率半导体器件技术领域，尤其涉及IGBT模块焊接装置，包括底板、焊片固定工装、衬板固定工装和盖板固定工装，所述底板、焊片固定工装、衬板固定工装和盖板固定工装依次组装并通过定位销固定，所述底板的底面成型有圆锥台，所述圆锥台位于焊片放置对应的位置。本实用新型的IGBT模块焊接装置，在焊接过程中中间的焊材先融化，相比于传统整块底板受热，在毛细管力的作用下减少流锡的情况。同时在降温过程中，由中间开始向周围冷却，增强了焊料结晶的有序性，因而减小材料因热膨胀系数不一样产生不一样的热应力导致材料产生弯曲变形，从而减少IGBT模块中上层焊料和下层焊料中产生裂纹甚至空洞，从而提高焊料层的安全可靠性。
igbt 模块焊接装置

[发明专利]全桥MOSFET测试座-CN202310443749.2在审
发明人：陈尧;廖光朝 -专利权人：重庆云潼车芯电子科技有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种全桥MOSFET测试座，包括：底座，其上开设有安装槽；测试模块，设于安装槽内，用于芯片测试；定位盖，其上形成容纳芯片的通孔，定位盖设置在底座顶端，其用于保护测试模块。通过底座、测试模块以及定位盖的配合即可对芯片进行检测，有效减少了测试座的组成部件，降低了制造成本，并且在测试过程中，直接将芯片经过定位盖的通孔放置在试模块上进行测试即可，并不需要频繁是对所组成的测试座进行拆卸，降低了底座、测试模块以及定位盖相互间的磨损，能保证测试座长时间的工作可靠性，解决了测试芯片工作效率低的问题，并且定位盖相应的位置上还设置了避空槽，避免了MOSFET芯片两侧的第一触电端和第三触电端与定位盖接触，引起MOSFET芯片短路。
mosfet 测试

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