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[发明专利]复合衬底及其制备方法、半导体器件-CN202211393545.4在审
发明人：江文宇;汪良;张洁 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种复合衬底及其制备方法、半导体器件，复合衬底的制备方法包括：获取衬底；对衬底进行离子注入，将衬底分隔成第一衬底层、第二衬底层和有离子注入的掺杂层，掺杂层设于第一衬底层与第二衬底层之间，第一衬底层的厚度小于第二衬底层的厚度；在第一衬底层远离第二衬底层的表面涂覆金刚石种晶溶液并退火形成种晶层；在种晶层表面沉积金刚石层；剥离第二衬底层。通过上述设置，在制备过程中金刚石与第一衬底层直接结合，金刚石与第一衬底层之间无需过渡层或键合层，降低了制备成本，缩短了制备周期；另外，由于金刚石与第一衬底层直接结合，热导率损失低，制备得到的复合衬底具有更高的热导率
复合衬底及其制备方法半导体器件

[发明专利]一种柔性显示面板及其制备方法-CN201910233140.6在审
发明人：丁才华 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种柔性显示面板，其包括衬底层以及设置在所述衬底层上的TFT层，其中所述衬底层包括第一衬底层、第二衬底层和设置在所述第一衬底层和第二衬底层间的中间层。其中所述中间层朝向所述第一衬底层的下表面或是朝向所述第二衬底层的上表面上设置有凸起，所述第一衬底层或是所述第二衬底层对应设置凹槽，其中所述中间层和所述第一衬底层或是第二衬底层的接触表面通过所述凸起与所述凹槽间的配接相互交错结合在一起即，所述中间层与所述衬底层之间的接触表面不在是现有技术中涉及的平滑平面，而是一种截面为相互交错的配接接触面，从而有效的增加了两者之间接触界面间的粘接力。
衬底层中间层柔性显示面板配接凸起交错结合接触界面平滑平面上表面下表面粘接力制备交错

[发明专利]显示面板及其制备方法、显示组件、显示装置-CN202310355203.1在审
发明人：刘羽;周峰;于涛;邓鑫 -专利权人：杭州海康威视数字技术股份有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H10K77/10 文献下载
摘要：显示面板包括衬底、驱动电路层及发光层。衬底包括第一柔性衬底层、位于第一柔性衬底层之上的第二柔性衬底层以及位于第二柔性衬底层与第一柔性衬底层之间的间隔层，第二柔性衬底层的部分贯穿间隔层与第一柔性衬底层相连；其中，间隔层与第一柔性衬底层及第二柔性衬底层的材料不同；驱动电路层位于衬底之上，发光层位于驱动电路层之上。上述显示面板通过将衬底设置为具有部分间隔并部分相连的两层柔性衬底层，有利于提高衬底的柔性，提高衬底的应力传导及吸收能力，有利于减少应力对内部驱动电路层及发光层等功能层的影响，提高显示面板的性能、使用寿命及良率
显示面板及其制备方法组件显示装置

[发明专利]复合衬底及其制备方法、及外延片-CN201611131406.9在审
发明人：林岳明 -专利权人：苏州爱彼光电材料有限公司
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种复合衬底，其包括硅衬底层以及用于生长外延层的蓝宝石衬底层；所述蓝宝石衬底层键合在所述硅衬底层上。上述复合衬底，由蓝宝石衬底层与硅衬底层采用键合工艺成为一体，该复合衬底，可以在蓝宝石衬底层上生长高质量的外延层(例如高质量的氮化镓层)，从而可以制造出性能优异的电力器件，同时该复合衬底的硅衬底层，可以满足大尺寸主流生产线的需求，与现有的硅衬底工艺兼容；从而可以有效降低电力器件的成本较低。本发明还公开了一种复合衬底的制备方法及外延片。
复合衬底及其制备方法外延

[发明专利]用于玻璃上传感器的方法和结构-CN202110777581.X在审
发明人： S·平德尔;C·阿伦斯;S·乔斯特;U·克伦拜恩 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：用于在衬底上提供半导体层布置的方法包括：提供具有功能层和半导体衬底层的半导体层布置；将半导体层布置附接到玻璃衬底层，使得功能层被布置在玻璃衬底层与半导体衬底层之间；以及至少部分地去除半导体衬底层，使得玻璃衬底层代替作为半导体层布置的衬底的半导体衬底层
用于玻璃传感器方法结构

[实用新型]一种复合衬底、外延片及半导体器件-CN202223267004.5有效
发明人：请求不公布姓名;张丽旸;程凯 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种复合衬底、外延片及半导体器件，复合衬底包括依次层叠设置的支撑衬底层、第一氧化铝层以及蓝宝石衬底层。第一氧化铝层可以增加蓝宝石衬底层与支撑衬底层之间的键合力并释放蓝宝石衬底层与支撑衬底层之间的应力，同时，第一氧化铝层的存在无需增加蓝宝石衬底层的厚度即可提高材料的击穿电压。
一种复合衬底外延半导体器件

[发明专利]光电器件-CN201611264440.3在审
发明人：林岳明 -专利权人：苏州爱彼光电材料有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电器件，其包括复合衬底，包括硅衬底层以及键合在所述硅衬底层上的蓝宝石衬底层；器件主体结构，形成所述蓝宝石衬底层上；以及驱动芯片，位于所述硅衬底层远离所述蓝宝石衬底层的一侧。上述光电器件，采用蓝宝石衬底层与硅衬底层键合而成的复合衬底，这样可以在蓝宝石衬底层上生长高质量的外延层(例如高质量的氮化镓层)，从而有利于获得高质量的器件主体结构，进而有利于制造出性能优异的光电器件；同时该复合衬底的硅衬底层，可以满足大尺寸主流生产线的需求，与现有的硅衬底工艺兼容；另外，还避免使用大尺寸的蓝宝石片，可以有效降低光电器件的成本。
光电器件

[实用新型]光电器件-CN201621489459.3有效
发明人：林岳明 -专利权人：苏州爱彼光电材料有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光电器件，其包括复合衬底，包括硅衬底层以及键合在所述硅衬底层上的蓝宝石衬底层；器件主体结构，形成所述蓝宝石衬底层上；以及驱动芯片，位于所述硅衬底层远离所述蓝宝石衬底层的一侧。上述光电器件，采用蓝宝石衬底层与硅衬底层键合而成的复合衬底，这样可以在蓝宝石衬底层上生长高质量的外延层(例如高质量的氮化镓层)，从而有利于获得高质量的器件主体结构，进而有利于制造出性能优异的光电器件；同时该复合衬底的硅衬底层，可以满足大尺寸主流生产线的需求，与现有的硅衬底工艺兼容；另外，还避免使用大尺寸的蓝宝石片，可以有效降低光电器件的成本。
光电器件

[实用新型]复合衬底结构-CN201120195246.0无效
发明人：梁秉文 -专利权人：光达光电设备科技（嘉兴）有限公司
申请日： 2011-06-10 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及复合衬底结构，该复合衬底结构包括由下至上依次设置的第一衬底层、不透明夹层以及第二衬底层；所述不透明夹层与第一衬底层和第二衬底层结合为一体，且所述第一衬底层和第二衬底层的热膨胀系数相同；当所述第一衬底层被置于一加热元件上时，所述不透明夹层用于吸收该加热元件发出的热辐射，利用吸收的热量加热第一衬底层的内侧面和第二衬底层的内侧面，所述不透明夹层对所述第二衬底内侧面的加热能够使得所述第二衬底层的外侧面的温度满足外延材料的生长温度本实用新型可消除或减轻蓝宝石等衬底在高温条件下的翘曲问题，节约衬底材料以及简化芯片制造过程中衬底的减薄操作，降低LED芯片的制造成本，提高LED芯片良品率。
复合衬底结构

[发明专利]一种纳米级减薄方法、直接带隙应变SOI及其制备方法-CN201910843353.0有效
发明人：赵天龙;补钰煜;过润秋;冯兰胜;宋建军;戴显英 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米级减薄方法、直接带隙应变SOI及其制备方法，该减薄方法包括：选取衬底层；设计衬底层的厚度与应变量之间的第一预设关系模型，根据第一预设关系模型计算得到衬底层的第一预设厚度和第一预设应变量；利用化学机械抛光工艺对衬底层进行第一次减薄得到第一减薄衬底层；利用湿法刻蚀工艺对第一减薄衬底层进行第二次减薄得到第二减薄衬底层；利用湿法刻蚀工艺对第二减薄衬底层进行第三次减薄得到第一预设厚度的纳米级衬底层本发明设计了衬底层的第一预设关系模型，通过第一预设关系模型得到衬底层的临界厚度，通过三次减薄工艺得到厚度为临界厚度的衬底层，工艺实现简单，且实现了衬底层由间接带隙到直接带隙类型的转变。
一种纳米级减薄方法直接应变 soi 及其制备

[实用新型]复合衬底及外延片及电力器件-CN201621353353.0有效
发明人：林岳明 -专利权人：苏州爱彼光电材料有限公司
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种复合衬底，其包括硅衬底层以及用于生长外延层的蓝宝石衬底层；所述蓝宝石衬底层键合在所述硅衬底层上。上述复合衬底，由蓝宝石衬底层与硅衬底层采用键合工艺成为一体，该复合衬底，可以在蓝宝石衬底层上生长高质量的外延层(例如高质量的氮化镓层)，从而可以制造出性能优异的电力器件，同时该复合衬底的硅衬底层，可以满足大尺寸主流生产线的需求，与现有的硅衬底工艺兼容；从而可以有效降低电力器件的成本较低。
复合衬底外延电力器件

[发明专利]一种半导体器件及其形成方法-CN201910267991.2有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的形成方法，提供衬底，衬底包括依次设置的第一衬底层、第二衬底层和第三衬底层，在第三衬底层远离第二衬底层的一端形成掩膜层图案和氧化隔离层；沿氧化物隔离层的外侧依次刻蚀第三衬底层、第二衬底层和第一衬底层，形成隔离沟槽；移除掩膜层图案，沿氧化物隔离层的内侧刻蚀第三衬底层；移除第二衬底层；环绕刻蚀后的第三衬底层沉积隔离层。
一种半导体器件及其形成方法

[发明专利]薄衬底层的制造-CN201810349348.X有效
发明人： C·N·绍 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种用于制造厚度最高为100μm的薄衬底层(30)的方法，其方式是：通过在铸锭(20)上产生拉伸应力输入而将衬底层(30)与铸锭(20)分离，其中，借助与铸锭(20)的第一表面(22)材料锁合地连接的应力源层结构(10)来引起拉伸应力输入，其中，应力源层结构(10)与铸锭(20)具有不同的热膨胀系数，其中，在将衬底层(30)与铸锭(20)分离之后，将应力源层结构(10)与衬底层(30)分离，应力源层结构(10)
衬底制造

[发明专利]太赫兹波阻抗调谐空气介质八木天线结构及其制作方法-CN202010187440.8有效
发明人：杨林安;刘禹辰;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种太赫兹波阻抗调谐空气介质八木天线及其制作方法，包括衬底层；衬底层正面以引向器金属支撑柱与衬底层连接的引向器金属层；衬底层正面的开关金属层；衬底层正面以信号线金属支撑柱与衬底层连接的信号线金属层；衬底层正面以正面接地金属支撑柱与衬底层连接的正面接地金属层；衬底层背面的背面接地金属层。
赫兹阻抗调谐空气介质八木天线结构及其制作方法

[发明专利]带有热绝缘和电隔离的加热器管-CN202180065063.3在审
发明人： M·贝桑;S·N·潘缇埃;J·P·M·皮伊南伯格;严俊伟;G·伊施;M·德尔安纳;S·皮奇;O·里斯波利;S·莎尔托尔 -专利权人：菲利普莫里斯生产公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H05B3/34 文献下载
摘要：加热组件包括衬底层。衬底层为电隔离衬底层。加热组件进一步包括加热元件。加热元件布置在衬底层的第一部分上。衬底层进一步包括第二部分，加热元件未设置在第二部分上。衬底层卷成管状形状，使得衬底层的第一部分定位为内层。衬底层的第二部分定位为包绕衬底层的第一部分的外层。加热元件布置在衬底层的第一部分与衬底层的第二部分之间。
带有绝缘隔离加热器

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