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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]二极管器件-CN202320626951.4有效
发明人：张景超;戚丽娜;林茂;井亚会;俞义长;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种二极管器件，所述二极管器件包括：阴极金属层；N+衬底，所述N+衬底位于所述阴极金属层之上；N‑漂移区，所述N‑漂移区外延形成于所述N+衬底之上；高阻抗元胞结构，所述高阻抗元胞结构为多个，多个所述高阻抗元胞结构相间隔地排布于所述N‑漂移区的上部，每个所述高阻抗元胞结构包括两个P+型离子注入区和位于两个所述P+型离子注入区之间的阻抗区；阳极金属层，所述阳极金属层位于所述N‑漂移区之上。本实用新型能够增强二极管器件的浪涌能力。
二极管器件

[发明专利]二极管器件及其制作方法-CN202310310085.2在审
发明人：张景超;戚丽娜;林茂;井亚会;俞义长;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种二极管器件及其制作方法，其中，所述二极管器件包括：阴极金属层；N+衬底，所述N+衬底位于所述阴极金属层之上；N‑漂移区，所述N‑漂移区外延形成于所述N+衬底之上；高阻抗元胞结构，所述高阻抗元胞结构为多个，多个所述高阻抗元胞结构相间隔地排布于所述N‑漂移区的上部，每个所述高阻抗元胞结构包括两个P+型离子注入区和位于两个所述P+型离子注入区之间的阻抗区；阳极金属层，所述阳极金属层位于所述N‑漂移区之上。本发明能够增强二极管器件的浪涌能力。
二极管器件及其制作方法

[发明专利]新型IGBT器件及其制备方法-CN202211057626.7在审
发明人：张景超;戚丽娜;林茂;井亚会;俞义长;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种新型IGBT器件及其制备方法，其中，所述新型IGBT器件，包括衬底、基区、阱区和源区，其中，基区在衬底上外延形成，阱区设置在基区上，源区设置在阱区上，并且在基区、阱区和源区中还设有沟槽，沟槽内设有多晶硅栅，此外，阱区内还设有通道层，以用于均匀分散源区电流。本发明通过设置通道层，能够将整个器件分为上下层，以保证上层电流沟道部分开启、下层电流沟道全部开启，从而能够避免常规结构沟道下方只有部分区域开启造成的漂移区电流集中的现象，进而能够增强器件的可靠性。
新型 igbt 器件及其制备方法

[发明专利]IGBT器件及其制作方法-CN202011554066.7在审
发明人：张景超;戚丽娜;井亚会;林茂;俞义长;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种IGBT器件及其制作方法，所述IGBT器件的沟槽形成于漂移区上部且贯穿阱区和源区，所述沟槽内设有第一多晶硅和第二多晶硅，所述第一多晶硅连接栅极电极，所述第二多晶硅位于所述源区之下的空间内，且所述第二多晶硅与所述第一多晶硅、所述阱区、所述漂移区相隔离。本发明的IGBT器件栅极电容较小，因而开通关断速度快、损耗低。
igbt 器件及其制作方法

[实用新型]芯片的封装结构-CN202121035277.X有效
发明人： 井亚会;俞义长;戚丽娜;周辉;周昕;张景超;陈国康;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本实用新型提供一种芯片的封装结构，所述芯片为多个，所述封装结构包括：载片台，载片台用于承托多个芯片；防水槽，防水槽设置在载片台的周边；防溢槽，防溢槽设置在相邻的两个芯片之间，且防溢槽的长度大于芯片在防溢槽方向的最短边的长度，防溢槽的宽度在0.05‑0.1mm之间，防溢槽的深度为载片台厚度的1/10‑1/5之间。该结构通过在载片台的芯片之间设置防溢槽，芯片焊接时溢出焊料可以进入防溢槽中，避免影响相邻芯片，且可以使芯片尺寸单边增加0.35‑0.55mm，从而可以提高芯片封装的集成性。
芯片封装结构

[实用新型]新型沟槽IGBT半导体器件-CN202121121004.7有效
发明人：戚丽娜;张景超;井亚会;俞义长;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种新型沟槽IGBT半导体器件，包括衬底，以及在所述衬底上依次外延形成的基区、阱区、源区，并且在所述基区和所述阱区中还设有多个真沟槽栅单元，以及设置于相邻所述真沟槽栅单元之间的假沟槽栅单元，其中，每个所述真沟槽栅单元两侧分别设有源区，并且在每个所述真沟槽栅单元和每个所述假沟槽栅单元底部还设有底部掺杂区。本实用新型能够实现局部超结结构以提高击穿电压，并能够实现结构厚度的降低以减小压降，从而能够减小电容面积和密勒电容，保证器件的性能。
新型沟槽 igbt 半导体器件

[实用新型]一种二极管-CN202023160189.0有效
发明人：张景超;林茂;戚丽娜;井亚会 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种二极管，所述二极管包括N基体、有源区P+层和多个mos结构，N基体上形成有有源区P+层，有源区P+层内设有多个mos结构，有源区P+层上设有阳极金属，mos结构包括沟槽，沟槽内形成有栅氧化层和多晶硅，沟槽外设有与阳极金属电连接的N+层，沟槽上设有绝缘介质层以隔开多晶硅和阳极金属，当二极管施加反向电压增大时，多晶硅施加开启电压，沟槽外形成导电沟道，导电沟道与二极管内的空间电荷区连接，二极管内形成反向电流。本实用新型提供的一种二极管，能够在一定反向电压范围内具有特定反向电流能力，并且该二极管的雪崩耐量能力远远超过普通二极管。
一种二极管

[实用新型]一种功率半导体器件-CN202023160225.3有效
发明人：张景超;戚丽娜;林茂;井亚会;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种功率半导体器件，所述功率半导体器件包括N基体和中间P+层，所述N基体的顶部两端均设有有源区N+层和包裹所述有源区N+层的P区，所述P区包括沟道P‑层，所述沟道P‑层被配置在所述有源区N+层的内侧，所述栅氧化层被配置在所述N基体的表面中部，并覆盖到所述有源区N+层，所述中间P+层被配置在两个所述P区之间，且与两个所述P区相连。本实用新型提供的一种功率半导体器件，能够在漏极施压时降低栅氧化层承受的电场强度，减小栅氧化层被击穿的几率，提高器件的可靠性，同时可保证器件的沟道密度。
一种功率半导体器件

[实用新型]IGBT器件-CN202023167932.5有效
发明人：张景超;戚丽娜;井亚会;林茂;俞义长;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种IGBT器件，所述IGBT器件的沟槽形成于漂移区上部且贯穿阱区和源区，所述沟槽内设有第一多晶硅和第二多晶硅，所述第一多晶硅连接栅极电极，所述第二多晶硅位于所述源区之下的空间内，且所述第二多晶硅与所述第一多晶硅、所述阱区、所述漂移区相隔离。本实用新型的IGBT器件栅极电容较小，因而开通关断速度快、损耗低。
igbt 器件

[实用新型]高电流密度的功率半导体器件-CN202023080890.1有效
发明人： 井亚会;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种高电流密度的功率半导体器件，包括：衬底；缓冲区，缓冲区设置于衬底上；基区，基区设置于缓冲区上；沟槽区，沟槽区设置于基区上，沟槽区设有两个真沟槽单元，并且在两个真沟槽单元之间设有Dummy区，Dummy区中设有一个或多个假沟槽单元，其中，真沟槽单元结构形状相同，假沟槽单元结构形状相同，并且假沟槽单元的宽度大于真沟槽单元的宽度。本实用新型能够保证假沟槽单元具有较大的宽度尺寸，从而能够降低整体沟槽密度，以有效减小晶圆应力，从而消除晶圆翘曲，并且还能够降低假沟槽单元的深宽比，从而能够增加假沟槽单元底部拐角的曲率半径，以降低假沟槽单元底部电场集中，提高器件可靠性，此外，还能降低通态损耗。
电流密度功率半导体器件

[发明专利]芯片的封装结构-CN202110529106.0在审
发明人： 井亚会;俞义长;戚丽娜;周辉;周昕;张景超;陈国康;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片的封装结构，所述芯片为多个，所述封装结构包括：载片台，载片台用于承托多个芯片；防水槽，防水槽设置在载片台的周边；防溢槽，防溢槽设置在相邻的两个芯片之间，且防溢槽的长度大于芯片在防溢槽方向的最短边的长度，防溢槽的宽度在0.05‑0.1mm之间，防溢槽的深度为载片台厚度的1/10‑1/5之间。该结构通过在载片台的芯片之间设置防溢槽，芯片焊接时溢出焊料可以进入防溢槽中，避免影响相邻芯片，且可以使芯片尺寸单边增加0.35‑0.55mm，从而可以提高芯片封装的集成性。
芯片封装结构

[发明专利]新型沟槽IGBT半导体器件及其制备方法-CN202110565892.X在审
发明人：戚丽娜;张景超;井亚会;俞义长;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种新型沟槽IGBT半导体器件及其制备方法，包括衬底，以及在所述衬底上依次外延形成的基区、阱区、源区，并且在所述基区和所述阱区中还设有多个真沟槽栅单元，以及设置于相邻所述真沟槽栅单元之间的假沟槽栅单元，其中，每个所述真沟槽栅单元两侧分别设有源区，并且在每个所述真沟槽栅单元和每个所述假沟槽栅单元底部还设有底部掺杂区。本发明能够实现局部超结结构以提高击穿电压，并能够实现结构厚度的降低以减小压降，从而能够减小电容面积和密勒电容，保证器件的性能。
新型沟槽 igbt 半导体器件及其制备方法

[实用新型]新型高抗动态闩锁能力的功率器件-CN202022302550.2有效
发明人：张景超;戚丽娜;井亚会;林茂;俞义长;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型高抗动态闩锁能力的功率器件，包括多个元胞结构，每个元胞结构包括衬底，衬底顶部设有沟槽、第一阱区和第二阱区，沟槽内设有沟槽栅，第一阱区和第二阱区分别设于沟槽两侧，第一阱区和第二阱区顶部分别设有第一源区和第二源区，第一源区和第二源区分别设于沟槽两侧，第一源区、第二源区和沟槽栅顶部设有金属层，其中，第一源区与第一阱区之间设有第一绝缘层，第二源区与第二阱区之间设有第二绝缘层。本实用新型能够在不影响阈值电压的情况下，实现高抗动态闩锁能力。
新型动态能力功率器件

[发明专利]一种功率半导体器件及其制作方法-CN202011552697.5在审
发明人：张景超;戚丽娜;林茂;井亚会;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种功率半导体器件及其制作方法，所述功率半导体器件包括N基体和中间P+层，所述N基体的顶部两端均设有有源区N+层和包裹所述有源区N+层的P区，所述P区包括沟道P‑层，所述沟道P‑层被配置在所述有源区N+层的内侧，所述栅氧化层被配置在所述N基体的表面中部，并覆盖到所述有源区N+层，所述中间P+层被配置在两个所述P区之间，且与两个所述P区相连。本发明提供的一种功率半导体器件，能够在漏极施压时降低栅氧化层承受的电场强度，减小栅氧化层被击穿的几率，提高器件的可靠性，同时可保证器件的沟道密度。
一种功率半导体器件及其制作方法

[发明专利]一种二极管及其制作方法-CN202011554045.5在审
发明人：张景超;林茂;戚丽娜;井亚会 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种二极管及其制作方法，所述二极管包括N基体、有源区P+层和多个mos结构，N基体上形成有有源区P+层，有源区P+层内设有多个mos结构，有源区P+层上设有阳极金属，mos结构包括沟槽，沟槽内形成有栅氧化层和多晶硅，沟槽外设有与阳极金属电连接的N+层，沟槽上设有绝缘介质层以隔开多晶硅和阳极金属，当二极管施加反向电压增大时，多晶硅施加开启电压，沟槽外形成导电沟道，导电沟道与二极管内的空间电荷区连接，二极管内形成反向电流。本发明提供的一种二极管，能够在一定反向电压范围内具有特定反向电流能力，并且该二极管的雪崩耐量能力远远超过普通二极管。
一种二极管及其制作方法

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