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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]二极管器件-CN202320626951.4有效
  • 张景超;戚丽娜;林茂;井亚会;俞义长;赵善麒 - 江苏宏微科技股份有限公司
  • 2023-03-27 - 2023-08-11 - H01L29/06
  • 本实用新型提供一种二极管器件，所述二极管器件包括：阴极金属层；N+衬底，所述N+衬底位于所述阴极金属层之上；N‑漂移区，所述N‑漂移区外延形成于所述N+衬底之上；高阻抗元胞结构，所述高阻抗元胞结构为多个，多个所述高阻抗元胞结构相间隔地排布于所述N‑漂移区的上部，每个所述高阻抗元胞结构包括两个P+型离子注入区和位于两个所述P+型离子注入区之间的阻抗区；阳极金属层，所述阳极金属层位于所述N‑漂移区之上。本实用新型能够增强二极管器件的浪涌能力。
  • 二极管器件
  • [发明专利]快恢复二极管及其制备方法-CN202211677913.8在审
  • 林茂;戚丽娜;俞义长;赵善麒 - 江苏宏微科技股份有限公司
  • 2022-12-26 - 2023-06-06 - H01L29/868
  • 本发明提供一种快恢复二极管及其制备方法，所述快恢复二极管包括阴极金属层、硅片、场氧化层、阳极金属层，所述阴极金属层、所述硅片、所述场氧化层由下至上依次设置，所述硅片的上部具有有源区，所述场氧化层具有与所述有源区相对应的有源区窗口，所述阳极金属层覆盖所述有源区窗口和所述场氧化层，其中，在所述有源区内间隔设置有多个高掺杂P区，每两个高掺杂P区之间设置有层叠区，所述层叠区包括位于下半部的低掺杂P区和位于上半部的低掺杂N区。本发明能够降低快恢复二极管正面注入效率，在反向偏置时提供正面空穴电荷的抽取通道，更快地使器件进入截止状态，大大降低反向恢复损耗，提升反向恢复能力。
  • 恢复二极管及其制备方法
  • [发明专利]快恢复二极管的制备方法-CN202211192838.6在审
  • 林茂;俞义长;戚丽娜;赵善麒 - 江苏宏微科技股份有限公司
  • 2022-09-28 - 2022-12-06 - H01L21/329
  • 本发明提供了一种快恢复二极管的制备方法，包括：在完成硅片正面工序后，在PN结到硅片背面之间且靠近PN结的第一目标区域进行氦注入，注入能量为第一能量，剂量为第一剂量；在硅片正面与PN结之间的第二目标区域进行氦注入，其中，注入能量为第二能量，剂量为第二剂量；在保护气体的保护下以预设温度进行退火，以修复注入过程中的损伤；将硅片背面减薄，采用蒸发或溅射法在硅片背面制作背面金属层，形成金属阴极层。由此，通过两次进行氦注入，精准地控制器件的反向恢复特性，而且无需在其他正面工艺和衬底材料上进行调整，大大降低了生产成本，提升了器件整体性能。
  • 恢复二极管制备方法
  • [发明专利]新型IGBT器件及其制备方法-CN202211057626.7在审
  • 张景超;戚丽娜;林茂;井亚会;俞义长;赵善麒 - 江苏宏微科技股份有限公司
  • 2022-08-30 - 2022-11-15 - H01L29/739
  • 本发明提供了一种新型IGBT器件及其制备方法，其中，所述新型IGBT器件，包括衬底、基区、阱区和源区，其中，基区在衬底上外延形成，阱区设置在基区上，源区设置在阱区上，并且在基区、阱区和源区中还设有沟槽，沟槽内设有多晶硅栅，此外，阱区内还设有通道层，以用于均匀分散源区电流。本发明通过设置通道层，能够将整个器件分为上下层，以保证上层电流沟道部分开启、下层电流沟道全部开启，从而能够避免常规结构沟道下方只有部分区域开启造成的漂移区电流集中的现象，进而能够增强器件的可靠性。
  • 新型igbt器件及其制备方法
  • [实用新型]芯片的封装结构-CN202121035277.X有效
  • 井亚会;俞义长;戚丽娜;周辉;周昕;张景超;陈国康;赵善麒 - 江苏宏微科技股份有限公司
  • 2021-05-14 - 2022-02-01 - H01L23/13
  • 本实用新型提供一种芯片的封装结构，所述芯片为多个，所述封装结构包括：载片台，载片台用于承托多个芯片；防水槽，防水槽设置在载片台的周边；防溢槽，防溢槽设置在相邻的两个芯片之间，且防溢槽的长度大于芯片在防溢槽方向的最短边的长度，防溢槽的宽度在0.05‑0.1mm之间，防溢槽的深度为载片台厚度的1/10‑1/5之间。该结构通过在载片台的芯片之间设置防溢槽，芯片焊接时溢出焊料可以进入防溢槽中，避免影响相邻芯片，且可以使芯片尺寸单边增加0.35‑0.55mm，从而可以提高芯片封装的集成性。
  • 芯片封装结构
  • [实用新型]功率半导体的封装框架-CN202121440890.X有效
  • 周昕;张景超;俞义长;赵善麒 - 江苏宏微科技股份有限公司
  • 2021-06-28 - 2022-02-01 - H01L23/495
  • 本实用新型提供了一种功率半导体的封装框架，包括多个单管封装结构，其中，每个所述单管封装结构包括散热区、载片区、管脚打线区和管脚区，所述散热区对应所述载片区设置，所述载片区通过所述管脚打线区与所述管脚区相连，并且相邻所述单管封装结构之间设有第一连接筋，每个所述单管封装结构两侧设有第二连接筋，每个所述单管封装结构中间还设有第三连接筋。本实用新型能够满足较大体积的功率半导体的贴片封装要求，并能够保证框架整体的稳固性，避免生产流转过程中造成的框架变形。
  • 功率半导体封装框架
  • [实用新型]微沟槽IGBT-CN202121414363.1有效
  • 俞义长;赵善麒 - 江苏宏微科技股份有限公司
  • 2021-06-24 - 2022-02-01 - H01L29/739
  • 本实用新型提供一种微沟槽IGBT，所述微沟槽IGBT包括：半导体衬底和IGBT元胞，IGBT元胞包括：多个真栅极单元，相邻真栅极单元之间设有数量不等的假沟槽单元和/或假栅极单元，且假沟槽单元和/或假栅极单元对称设置；相连沟槽之间中间通过注入推结形成PW导电层覆盖到沟槽底部，且在真栅极单元两侧通过注入推结在PW导电层下部形成JFET层。本实用新型将PW导电层覆盖到沟槽底部同时在真栅极单元之两侧引入JFET，使得PW局部维持原来的深度且不改变沟道长度，可以在优化IGBT静态特性的同时通过虚拟栅极降低米勒电容，增大输入电容和米勒电容的比例，进一步增强IGBT开通关断过程可控性。
  • 沟槽igbt
  • [实用新型]新型沟槽IGBT半导体器件-CN202121121004.7有效
  • 戚丽娜;张景超;井亚会;俞义长;赵善麒 - 江苏宏微科技股份有限公司
  • 2021-05-24 - 2022-01-18 - H01L29/739
  • 本实用新型提供了一种新型沟槽IGBT半导体器件，包括衬底，以及在所述衬底上依次外延形成的基区、阱区、源区，并且在所述基区和所述阱区中还设有多个真沟槽栅单元，以及设置于相邻所述真沟槽栅单元之间的假沟槽栅单元，其中，每个所述真沟槽栅单元两侧分别设有源区，并且在每个所述真沟槽栅单元和每个所述假沟槽栅单元底部还设有底部掺杂区。本实用新型能够实现局部超结结构以提高击穿电压，并能够实现结构厚度的降低以减小压降，从而能够减小电容面积和密勒电容，保证器件的性能。
  • 新型沟槽igbt半导体器件
  • [发明专利]微沟槽IGBT及其制作方法-CN202110704865.6在审
  • 俞义长;赵善麒 - 江苏宏微科技股份有限公司
  • 2021-06-24 - 2021-09-17 - H01L29/739
  • 本发明提供一种微沟槽IGBT及其制作方法，所述微沟槽IGBT包括：半导体衬底和IGBT元胞，IGBT元胞包括：多个真栅极单元，相邻真栅极单元之间设有数量不等的假沟槽单元和/或假栅极单元，且假沟槽单元和/或假栅极单元对称设置；相连沟槽之间中间通过注入推结形成PW导电层覆盖到沟槽底部，且在真栅极单元两侧通过注入推结在PW导电层下部形成JFET层。本发明将PW导电层覆盖到沟槽底部同时在真栅极单元之两侧引入JFET，使得PW局部维持原来的深度且不改变沟道长度，可以在优化IGBT静态特性的同时通过虚拟栅极降低米勒电容，增大输入电容和米勒电容的比例，进一步增强IGBT开通关断过程可控性。
  • 沟槽igbt及其制作方法
  • [实用新型]新型IGBT功率半导体器件-CN202023158363.8有效
  • 俞义长;赵善麒 - 江苏宏微科技股份有限公司
  • 2020-12-24 - 2021-08-24 - H01L29/06
  • 本实用新型公开了一种新型IGBT功率半导体器件，包括：衬底；缓冲区，所述缓冲区设置于所述衬底上；基区，所述基区设置于所述缓冲区上；多个真栅极单元，多个所述真栅极单元设置于所述基区上，其中每个所述真栅极单元两侧分别设有假沟槽单元，并且每个所述真栅极单元的接触孔与相邻两侧的所述假沟槽单元的接触孔相连。本实用新型能够增加源区宽度，改善了工艺的一致性，提高器件的阈值电压等特性在圆片内的一致性和均匀性，从而解决了器件的可制造性问题。
  • 新型igbt功率半导体器件
  • [发明专利]芯片的封装结构-CN202110529106.0在审
  • 井亚会;俞义长;戚丽娜;周辉;周昕;张景超;陈国康;赵善麒 - 江苏宏微科技股份有限公司
  • 2021-05-14 - 2021-08-10 - H01L23/13
  • 本发明提供一种芯片的封装结构，所述芯片为多个，所述封装结构包括：载片台，载片台用于承托多个芯片；防水槽，防水槽设置在载片台的周边；防溢槽，防溢槽设置在相邻的两个芯片之间，且防溢槽的长度大于芯片在防溢槽方向的最短边的长度，防溢槽的宽度在0.05‑0.1mm之间，防溢槽的深度为载片台厚度的1/10‑1/5之间。该结构通过在载片台的芯片之间设置防溢槽，芯片焊接时溢出焊料可以进入防溢槽中，避免影响相邻芯片，且可以使芯片尺寸单边增加0.35‑0.55mm，从而可以提高芯片封装的集成性。
  • 芯片封装结构
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