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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]在块状衬底上集成平面型与非平面型CMOS晶体管的工艺及用此工艺制作的器件-CN200680035521.4有效
发明人： J·卡瓦利罗斯;J·布拉斯克;B·多伊尔;U·沙;S·达塔;M·多奇;M·梅茨;R·仇 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2006-09-26 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种能够将平面型(10)和非平面型(20、30)晶体管集成在块状半导体衬底上的工艺，其中，所有晶体管的沟道可在连续的宽度范围加以限定。
块状衬底集成平面 cmos 晶体管工艺制作器件

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202210356920.1在审
发明人：李国兴;薛胜元;康智凯;林俊贤;白启宏 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法主要包括先提供一基底包含第一NMOS区域、第一PMOS区域、第二NMOS区域、第二PMOS区域以及一MOS电容区，然后形成一鳍状结构NMOS晶体管于该第一NMOS区域，形成一鳍状结构PMOS晶体管于该第一PMOS区域，形成一平面型NMOS晶体管于该第二NMOS区域，形成一平面型PMOS晶体管于该第二PMOS区域，再形成一平面型MOS电容于该MOS电容区。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]通过角落植入调整鳍状晶体管的阈值电压-CN201210303644.9有效
发明人： T·巴尔道夫;A·魏;T·赫尔曼;S·弗莱克豪斯基;R·伊尔根 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2012-08-23 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：当在共同制造顺序中形成精密的多栅极晶体管及平面型晶体管时，通过在半导体鳍片的角落区域中选择性加入掺杂物种，可故意使该等多栅极晶体管的阈值电压特性“降级”，由此多栅极晶体管与平面型晶体管的阈值电压特性可得到优异的调配
通过角落植入调整晶体管阈值电压

[发明专利]一种平面型多晶硅发射极晶体管及其制造方法-CN201610443158.5有效
发明人：李思敏 -专利权人：李思敏
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：本发明提供一种平面型多晶硅发射极晶体管，在下层为N型低电阻率层、上层为N型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多个N型的高掺杂浓度的发射区，该发射区的上面连接着N型的掺杂多晶硅层，其特点是：所述P型浓基区为平面型，所述P型浓基区通过P型浓基区汇流条与基极金属层相连接，所述晶体管的管芯面积大于0.25mm2。本发明还提供了该平面型多晶硅发射极晶体管的制造方法。本发明提供的平面型多晶硅发射极晶体管比现有的槽型多晶硅发射极晶体管工艺更加简单，产品性能一致性好，抗冲击能力更强。
一种平面多晶发射极晶体管及其制造方法

[发明专利]晶体管及其形成方法、半导体器件-CN201711038985.7在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体管及其形成方法、半导体器件。通过将栅极结构部分偏移至凹槽中，以使栅极结构从衬底的表面上进一步延伸至衬底中，从而可形成与栅极结构的边界形貌相对应的曲折形导电沟道。与传统的具有直线形导电沟道的平面型晶体管相比，本发明中的晶体管能够在尺寸与传统的平面型晶体管的尺寸相同的情况下，增加导电沟道的沟道长度，以改善晶体管的短沟道效应，进而有利于实现晶体管尺寸的缩减和提高晶体管的排布密集度
晶体管及其形成方法半导体器件

[实用新型]晶体管及半导体器件-CN201721414522.1有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶体管及半导体器件。通过将栅极结构部分偏移至凹槽中，以使栅极结构从衬底的表面上进一步延伸至衬底中，从而可形成与栅极结构的边界形貌相对应的曲折形导电沟道。与传统的具有直线形导电沟道的平面型晶体管相比，本实用新型中的晶体管能够在尺寸与传统的平面型晶体管的尺寸相同的情况下，增加导电沟道的沟道长度，以改善晶体管的短沟道效应，进而有利于实现晶体管尺寸的缩减和提高晶体管的排布密集度
晶体管导电沟道栅极结构平面型晶体管半导体器件本实用新型传统的衬底形貌短沟道效应偏移密集度曲折形直线形沟道排布延伸

[发明专利]功率晶体管-CN97121136.1无效
发明人：上内元 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 1997-10-14 - 公布日： 2004-05-05 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明揭示一种功率晶体管。包括在成为集电极层的基片表面上选择扩散基极层、且在该基极层上选择扩散发射极层，形成平面型晶体管。在该平面型晶体管的芯片表面的集电极层设置电流检测用电极。当晶体管工作、集电极电流流动时，基于基片的电阻、在集电极电极和电流检测用电极之间，生成对应于集电极电流的电压。因此，晶体管能对集电极电流进行检测、并将电流检测信号传送到控制用IC中。
功率晶体管

[发明专利]形成在块体衬底上的自对准多栅极晶体管-CN201110136239.8有效
发明人： A·卫;V·斯科勒德;T·沙伊普;T·维尔纳;J·格罗舍普夫 -专利权人：格罗方德半导体公司;格罗方德半导体德累斯顿第一模数有限责任及两合公司
申请日： 2011-05-18 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成在块体衬底上的自对准多栅极晶体管。基于掩模材料中所提供的多个栅极开孔或栅极沟槽可形成在块体配置的三维晶体管。因此，在由该栅极开孔定义的部分内的下伏主动区中可有效地图样化多个自对准半导体鳍片，同时可有效地掩模将要提供平面型晶体管在其中的其它栅极开孔。在图样化该半导体鳍片及调整其有效高度后，基于常应用在平面型晶体管及三维晶体管的工艺技术可继续进一步的加工。
形成块体衬底对准栅极晶体管

[发明专利]半导体器件及其制造方法以及固态摄像元件-CN201010190492.7有效
发明人：万田周治;高桥洋 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-05-27 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：这里公开了一种半导体器件，其包括具有第一导电类型的沟道并且通过将栅电极埋入半导体衬底中而形成的竖直型MOS晶体管、具有所述第一导电类型的沟道并且具有形成在所述半导体衬底上的栅电极的平面型MOS晶体管以及具有第二导电类型的沟道并且具有形成在所述半导体衬底上的栅电极的平面型MOS晶体管，所述半导体器件包括形成在具有所述第一导电类型的沟道的所述竖直MOS晶体管的下方或上方的除晶体管之外的其他电路元件。
半导体器件及其制造方法以及固态摄像元件

[发明专利]具有垂直定向的栅电极的场效应晶体管及其制造方法-CN200610073547.X有效
发明人：金成玟;朴东建;金洞院;金旻相;尹恩贞 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-04-10 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：在半导体器件及其制造方法中，在公用半导体层上形成平面型存储器件和垂直定向薄体器件。例如，在半导体器件中，期望具有器件的外围区中的平面型晶体管和单元区中的垂直定向薄体晶体管器件。
具有垂直定向电极场效应晶体管及其制造方法

[实用新型]功率IC器件-CN201520070002.8有效
发明人：郝建勇;张志娟;周炳 -专利权人：张家港意发功率半导体有限公司
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种功率IC器件，包括设置在同一芯片上的表层沟道CMOS晶体管和沟槽型功率IGBT晶体管，所述的沟槽型功率IGBT晶体管的发射极和所述的表层沟道CMOS晶体管的栅极设置在同一水平面。本实用新型功率IC器件，采用沟槽型功率IGBT晶体管结构取代传统的平面型IGBT结构，并与表层沟道CMOS晶体管形成在同一个芯片上，这样会在单位面积内增加管芯数，从而提高产量，增加效益。
功率 ic 器件

[发明专利]一种面光源出射的平面构型发光晶体管及其制备方法和应用-CN202111460089.6在审
发明人：董焕丽;苗扎根;高海阔;胡文平 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10K50/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种面光源出射的平面发光晶体管器件及其制备方法和应用。通过在半导体电荷传输层和发光单元之间插入电荷缓冲层，所制备出的平面发光晶体管可以实现稳定的面光源出射，有效地克服了传统的平面型发光晶体管出射光为线状或带状的缺点。该面光源出射的平面发光晶体管器件集成度高，可实现稳定的面光源出射，有效提高晶体管器件的开口率，良好的栅极可调谐能力、高环路稳定性和任意可调谐性，易于小型化，可以批量生产，对柔性可穿戴器件的兼容性好，对发光晶体管器件应用于发光显示领域起到重要的促进作用
一种光源平面构型发光晶体管及其制备方法应用

[发明专利]一种适用于集成电路的碳化硅平面型功率场效应晶体管-CN201810409635.5在审
发明人：王策;郭清;盛况;王妹芳 -专利权人：浙江大学
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于集成电路的平面型功率场效应晶体管，包括源极(1)、栅极(2)、漏极(3)、氧化层(4)、N⁺源区(5)、P⁺接触区(6)、P阱(7)、N^‑栅下漂移区(8)、N外延层(9)、N⁺漏区(10)、N^‑漏极下漂移区(11)和P衬底(12).本发明提出的碳化硅平面型功率场效应晶体管本发明提出的碳化硅平面型功率场效应晶体管可作为功率集成电路中的开关器件使用。
功率场效应晶体管漂移区平面型碳化硅衬底漏极漏区集成电路功率集成电路器件击穿电压电场分布电场尖峰厚度调节击穿电压开关器件接触区氧化层击穿源极源区陡峭掺杂

[发明专利]在SOI上形成平面多栅极晶体管结构和其方法-CN200510001734.2有效
发明人：杨富量;杨育佳;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-01-14 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明为一种半导体元件，包括绝缘层、半导体层、第一晶体管与第二晶体管。半导体层位于绝缘层上。半导体层的第一部分具有第一厚度。半导体层的第二部分具有第二厚度。第二厚度大于第一厚度。第一晶体管具有由半导体层的第一部分形成的第一主动区。第二晶体管具有由半导体层的第二部分形成的第二主动区。举例来说，第一晶体管可以是平面型晶体管，而第二晶体管可以是多闸晶体管。
soi 形成平面栅极晶体管结构方法

[发明专利]稳压器及其适用的电源转换装置-CN202111634471.4在审
发明人：李冠霆;高振杰;林侑良;萧程嘉 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本案为一种稳压器，用以稳定开关组件的栅极‑源极电压，其中开关组件的源极接收第一驱动电压，稳压器包含：双极性接面型晶体管，其中双极性接面型晶体管的基极接收第二驱动电压，双极性接面型晶体管的集极电连接于开关组件的栅极；第一电阻，第一电阻的第一端电连接于集极与门极，第一电阻的第二端电连接于源极并接收第一驱动电压；以及第二电阻，第二电阻的第一端电连接于双极性接面型晶体管的射极，第二电阻的一第二端接收第三驱动电压；其中双极性接面型晶体管工作于主动区
稳压器及其适用电源转换装置

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