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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202210356920.1在审
发明人：李国兴;薛胜元;康智凯;林俊贤;白启宏 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法主要包括先提供一基底包含第一NMOS区域、第一PMOS区域、第二NMOS区域、第二PMOS区域以及一MOS电容区，然后形成一鳍状结构NMOS晶体管于该第一NMOS区域，形成一鳍状结构PMOS晶体管于该第一PMOS区域，形成一平面型NMOS晶体管于该第二NMOS区域，形成一平面型PMOS晶体管于该第二PMOS区域，再形成一平面型MOS电容于该MOS电容区。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]磁阻式随机存取存储器-CN201910384092.0有效
发明人：黄鼎翔;盛义忠;薛胜元;李国兴;康智凯 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明公开一种磁阻式随机存取存储器，其中半导体元件主要包含一基底，一磁性隧穿接面(magnetic tunneling junction,MTJ)区域以及一逻辑区域设于基底上，一MTJ设于该MTJ区域上以及一第一金属内连线设于该MTJ上，其中该MTJ的上视剖面包含一圆形且该第一金属内连线的上视剖面包含一平椭圆重叠该圆形。
磁阻随机存取存储器

[发明专利]三维半导体结构及其制作方法-CN201910862593.5有效
发明人：邱永振;薛胜元;李国兴;吴建良;康智凯;黄冠凯 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明公开一种三维半导体结构及其制作方法，其中该三维半导体装置包含一缓冲层、一n型高电子移动率晶体管设置在该缓冲层的第一表面上、以及一p型高空穴移动率晶体管设置在该缓冲层与该第一表面相对的第二表面上。
三维半导体结构及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202211569054.0在审
发明人：林文凯;盛义忠;薛胜元;康智凯 -专利权人：蓝枪半导体有限责任公司
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中制作半导体元件的方法为：主要先形成第一主动区以及第二主动区沿着一第一方向延伸于一基底上，然后形成第一单扩散隔离结构沿着一第二方向延伸并位于第一主动区以及第二主动区之间，之后再形成第一栅极线沿着第二方向延伸并交错第一主动区以及第二主动区，其中第一单扩散隔离结构设于第一主动区以及第二主动区之间的第一栅极线正下方。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201811582285.9有效
发明人：黄鼎翔;盛义忠;薛胜元;李国兴;康智凯 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包含一虚置栅极设于一基底上；一第一控制栅极设于该虚置栅极一侧以及一第二控制栅极设于该虚置栅极另一侧；一阱区设于该基底内，其中该阱区包含一第一导电型式；一第一源极/漏极区域设于该虚置栅极及该第一控制栅极之间，其中该第一源极/漏极区域包含一第二导电型式；一第二源极/漏极区域设于该虚置栅极及该第二控制栅极之间，其中该第一源极/漏极区域包含该第二导电型式；以及一掺杂区设于该虚置栅极正下方，其中该掺杂区包含该第一导电型式。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201810048244.5有效
发明人：林文凯;盛义忠;薛胜元;康智凯 -专利权人：蓝枪半导体有限责任公司
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中制作半导体元件的方法为：主要先形成第一主动区以及第二主动区沿着一第一方向延伸于一基底上，然后形成第一单扩散隔离结构沿着一第二方向延伸并位于第一主动区以及第二主动区之间，之后再形成第一栅极线沿着第二方向延伸并交错第一主动区以及第二主动区，其中第一单扩散隔离结构设于第一主动区以及第二主动区之间的第一栅极线正下方。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]用于一次性编程的位单元结构-CN202110376168.2在审
发明人：李国兴;薛胜元;白启宏;康智凯 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：本发明公开一种用于一次性编程的位单元结构，包括一基底、一第一掺杂区位于该基底中并与一来源线电连接、一第二掺杂区位于该基底中且具有源极与漏极，该漏极与一位线电连接、一重掺杂通道区位于该基底中并连接该第一掺杂区与该第二掺杂区的该源极、以及一字符线，横跨在该第二掺杂区上且介于该源极与该漏极之间。
用于一次性编程单元结构

[发明专利]磁阻式随机存取存储器-CN201811086211.6有效
发明人：黄鼎翔;盛义忠;薛胜元;李国兴;康智凯 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开一种磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory,MRAM)，其主要包含多个元件串(device strings)以并联方式耦接，各该元件串包含多个磁隧穿接面(magnetic tunneling junction,MTJ)以串联方式耦接，其中各该元件串的MTJ数量等于该元件串的数量，且该等MTJ的等效电阻等于该等MTJ中其中一者的高电阻以及另一者的低电阻的平均值。
磁阻随机存取存储器

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202110191345.X在审
发明人：林文凯;盛义忠;薛胜元;康智凯 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件主要包含第一主动区、第二主动区以及第三主动区沿着第一方向延伸于一基底上、第一栅极线沿着第二方向延伸并交错第一主动区、第二主动区及第三主动区、第一单扩散隔离结构沿着第二方向延伸并设于第一主动区的第一栅极线正下方、第二单扩散隔离结构设于第二主动区的第一栅极线正下方以及第三单扩散隔离结构设于第三主动区的第一栅极线正下方。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其形成方法-CN201910649098.6在审
发明人：李国兴;盛义忠;薛胜元;康智凯;黄冠凯;吴建良 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其形成方法，其中该高电子迁移率晶体管，包含一载流子传输层、一载流子供应层、一主栅极、一控制栅极、一源极电极以及一漏极电极。载流子传输层位于一基底上。载流子供应层位于载流子传输层上。主栅极以及控制栅极位于载流子供应层上。源极电极以及漏极电极位于主栅极以及控制栅极的相对两侧，其中源极电极以一金属内连线结构电连接控制栅极。
电子迁移率晶体管及其形成方法

[发明专利]高压元件结构-CN200710196442.8无效
发明人：清水悟;康智凯;赵志明;黄汉屏 -专利权人：力晶半导体股份有限公司;株式会社瑞萨科技
申请日： 2007-12-03 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种高压元件结构，由隔离结构、高压导体层以及金属遮蔽层所组成。隔离结构设置于基底中，且隔离结构的两侧的基底中分别设置有导电区，高压导体层设置于隔离结构的上层中，金属遮蔽层则设置于隔离结构与高压导体层之间，且完全遮蔽隔离结构。
高压元件结构

[发明专利]非挥发性存储器的启始电压的重置方法-CN200610077065.1无效
发明人： 康智凯;黄汉屏;赵志明;陈世宪 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2006-04-26 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种非挥发性存储器的启始电压的重置方法，其适用于由多个存储单元所构成的非挥发性存储器，各存储单元包括栅极与电荷陷入层。此方法是以FN穿隧效应擦除非挥发性存储器一段时间，直到擦除饱和，使非挥发性存储器具有一致性的饱和启始电压值。
挥发性存储器电压重置方法

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