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- [发明专利]电连接器-CN202310804508.6在审
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沈昌泰;金左锋
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番禺得意精密电子工业有限公司
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2023-06-30
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2023-09-01
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H01R13/187
- 本发明公开了一种电连接器，包括本体和多个端子组件，端子组件包括信号端子、接地端子和第一屏蔽片；信号端子具有第一接触区，第一接触区呈弧形；接地端子具有基部及自基部左右两侧朝对接腔延伸的两侧部，两侧部位于第一接触区的左右两侧，每一侧部设有第二接触区，第二接触区为平面，第二接触区向前向后均超过第一接触区；基部设有第三接触区；第一屏蔽片具有抵持臂，抵持臂设有第四接触区，第四接触区沿接触方向抵接基部，第三接触区沿接触方向的相反方向抵接主体部由于第二接触区向前向后均超过第一接触区，故沿左右方向第二接触区遮蔽第一接触区，保证信号端子不会串扰；第四接触区抵接基部，使得第二接触区与对接元件的面接触较稳定。
- 连接器
- [发明专利]结型场效应晶体管及半导体器件-CN202110354801.8在审
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雷天飞;毛焜;杨翰飞
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上海晶丰明源半导体股份有限公司
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2021-03-31
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2021-07-09
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H01L29/78
- 本发明涉及一种结型场效应晶体管及半导体器件，包括一衬底、一漂移区、一源接触区、一栅接触区、一沟道区及一漏接触区。所述衬底具有一第一导电类型。所述漂移区形成于所述衬底。所述漂移区具有一第二导电类型。所述源接触区形成于所述漂移区。所述源接触区具有所述第二导电类型。所述栅接触区形成于所述漂移区。所述栅接触区具有所述第一导电类型。所述栅接触区下方形成一沟道区。所述栅接触区相隔于所述源接触区。所述栅接触区包括一栅电极。所述栅电极包括2个次栅电极。所述2个次栅电极彼此相隔。所述沟道区形成于所述衬底之上且相邻于所述漂移区。所述漏接触区形成于所述漂移区且与所述栅接触区相隔。所述漏接触区具有所述第二导电类型。
- 场效应晶体管半导体器件
- [发明专利]一种耐插拔插片端子-CN202310480202.X在审
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张金伟;付志斌;潘家栋
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南京康尼新能源汽车零部件有限公司
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2023-04-28
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2023-06-13
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H01R13/04
- 本发明公开了一种耐插拔插片端子，包括公端和母端，所述母端包括母端导体连接区和弹性开口接触区，所述开口接触区包括母端第一接触区和母端第二接触区，所述母端第一接触区为位于母端第二接触区上的一处或多处凸起部，所述母端第二接触区为导电接触区，所述公端包括从前到后依次设置的公端第一接触区、公端第二接触区和公端导体连接区，所述公端第二接触区两侧或中间部设有用于避让母端第一接触区的避让部。本发明通过公端与母端接触对的可靠设计，有效减少公端第二接触区与母端第二接触区的磨损，获得高载流高插拔寿命；同时通过多重设计保证在插合后有较低电阻，提高接触稳定性。
- 一种耐插拔插片端子
- [发明专利]阵列基板及其制作方法-CN202211667279.X在审
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李壮
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武汉华星光电技术有限公司
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2022-12-23
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2023-04-28
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H01L29/786
- 所述有源层设有位于两端的源极接触区和漏极接触区，以及位于所述源极接触区和所述漏极接触区之间的沟道区；其中所述源极接触区的厚度和所述漏极接触区的厚度均大于所述沟道区的厚度；所述沟道区内还设有沟道重掺杂区，所述沟道重掺杂区与所述漏极接触区的间距小于与所述源极接触区的间距。本申请通过增加源极接触区和漏极接触区的厚度降低漏极电场强度，设置所述沟道重掺杂区邻近所述漏极接触区使得漏极接触区碰撞离化产生的空穴被有效中和，减弱寄生双极结型晶体管效应，降低扭曲效应。
- 阵列及其制作方法
- [发明专利]一种沟槽栅IGBT器件-CN202111630323.5在审
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许生根;李哲锋;訾彤彤
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江苏中科君芯科技有限公司
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2021-12-28
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2022-04-29
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H01L29/739
- 本发明提供了一种沟槽栅IGBT器件，在P+型欧姆接触区和N+型欧姆接触区之间引入欧姆接触介质层，通过欧姆接触介质层将P+型欧姆接触区和N+型欧姆接触区进行隔离，隔离后可以有效的防止P+型欧姆接触区和N+型欧姆接触区沿着沟槽方向的扩散，从而可以消除P+型欧姆接触区与N+型欧姆接触区之间距离不能太小的限制，降低阈值电压变化的风险，提升器件的导通电流和RBSOA能力。同时，由于欧姆接触介质层的存在，设计上不需要考虑器件的P+型欧姆接触区和N+型欧姆接触区扩散对IGBT沟道宽度的影响，降低了设计难度和风险，能够解决现有技术中P+型欧姆接触区和N+型欧姆接触区的间距对IGBT
- 一种沟槽igbt器件
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