专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]无线网络系统及无线装置-CN202280017898.6在审
  • 高桥洋;白方亨宗;村田智洋;滝波浩二;森下阳平;冈本芽生 - 松下知识产权经营株式会社
  • 2022-03-02 - 2023-10-24 - H04W12/121
  • 在进行中央控制的第一无线装置和第二无线装置所属的无线网络系统中,第二无线装置在第一接收期间接收包含表示发送源的第一识别信息的第一信号,在第二接收期间接收包含表示发送源的第二识别信息的第二信号,测量与第一信号的接收相关的第一接收信息,测量与第二信号的接收相关的第二接收信息,并向第一无线装置发送包含第一接收信息与第一识别信息的第一测量信息、和包含第二接收信息与第二识别信息的第二测量信息。第一无线装置在第一识别信息与第二识别信息相同的情况下,通过比较第一接收信息与第二接收信息,判断异常状态的无线装置是否存在。
  • 无线网络系统无线装置
  • [发明专利]摄像元件和摄像装置-CN202280013267.7在审
  • 高桥洋;池原成拓;饭岛匡 - 索尼半导体解决方案公司
  • 2022-01-31 - 2023-09-22 - H01L27/146
  • 根据本发明,布置在像素中的多个光电转换部彼此分离。本发明的摄像元件包括像素、溢流路径、像素分离部、像素分离电极、像素内分离部以及像素内分离电极。所述像素包括形成于半导体基板中且对来自被摄体的入射光进行光电转换从而生成电荷的多个光电转换部,所述半导体基板的正面侧上设置有配线区域。所述溢流路径使电荷在所述多个光电转换部之间相互传输。所述像素分离部布置在所述像素的边界处。所述像素分离电极布置在所述像素分离部中,且所述像素分离电极被施加有第一偏置电压。所述像素内分离部将所述多个光电转换部相互分离。所述像素内分离电极布置在所述像素内分离部中,且所述像素内分离电极被施加有第二偏置电压。
  • 摄像元件装置
  • [发明专利]固态摄像装置-CN201880047687.0有效
  • 高桥洋;中邑良一;前田英训 - 索尼半导体解决方案公司
  • 2018-06-21 - 2023-08-15 - H01L27/146
  • [问题]本发明提供了一种在层叠的芯片的尺寸和布局方面具有更高自由度的固态摄像装置。[解决方案]根据本发明的固态摄像装置包括:第一基板,在所述第一基板中在一个主表面上形成有像素部,所述像素部中布置有像素;第二基板,所述第二基板接合至所述第一基板的与所述一个主表面相对的表面,并且在与所述第一基板接合的表面相反侧的表面的局部区域中设置有开口;以及至少一个子芯片,所述子芯片设置在所述开口内而不从所述开口突出,并且在所述子芯片中形成有具有预定功能的电路。
  • 固态摄像装置
  • [发明专利]半导体装置及其制造方法、固态成像元件和电子设备-CN201880007138.0有效
  • 高桥洋 - 索尼半导体解决方案公司
  • 2018-01-10 - 2023-05-12 - H01L27/146
  • 本技术涉及半导体装置及其制造方法、固态成像元件和电子设备,其可以抑制由于电荷破坏引起的侧壁绝缘膜的击穿,从而抑制在半导体基板和贯通电极之间可能发生的短路。根据本技术一个方面的半导体装置包括:其上形成有给定电路的第一半导体基板;贴合到第一半导体基板的第二半导体基板;和将第一半导体基板和第二半导体基板彼此电气连接的贯通电极。所述贯通电极形成为使得贯穿形成在第一半导体基板内的保护二极管结构开设通孔,在所述通孔的侧壁上沉积绝缘膜,然后在沉积有所述绝缘膜的所述通孔的内侧填充电极材料。本技术可以适用于例如CMOS图像传感器。
  • 半导体装置及其制造方法固态成像元件电子设备
  • [发明专利]调光装置-CN201880035752.8有效
  • 高桥洋 - 凸版印刷株式会社
  • 2018-05-31 - 2022-08-23 - G02F1/133
  • 调光装置包括:调光元件(11),包括基材(20、21)、分别设置于基材(20、21)的电极(22、23)、填充在电极(22、23)间的液晶层(24)、以及与电极(22、23)电连接的端子T1、T2;和驱动电路(12),对T1端子施加第1驱动电压,对端子T2施加极性与第1驱动电压不同的第2驱动电压。第1驱动电压在第1期间中被设定为第1电压,在紧接着第1期间的第2期间中被设定为比第1电压低的第2电压,在紧接着第2期间的第3期间中被设定为比第2电压低的第3电压,在紧接着第3期间的第4期间中被设定为比第2电压低且比第3电压高的第4电压。
  • 调光装置
  • [发明专利]调光装置-CN201880009709.4有效
  • 高桥洋 - 凸版印刷株式会社
  • 2018-02-02 - 2022-08-02 - G02F1/133
  • 调光装置(10)包含:调光元件(11),其包含第1层叠体以及第2层叠体、和液晶层,该第1层叠体以及第2层叠体分别具备在基材设置的电极,该液晶层被第1层叠体以及第2层叠体夹持;开关元件(T1),其连接于交流电源和调光元件(11)之间;比较器(CP1),其检测交流电源是否比第1电压高,该第1电压比0V高并且比交流电源的最大值低;以及控制电路(38),其在交流电源比第1电压高的情况下,对开关元件(T1)进行PWM控制或者PFM控制。
  • 调光装置
  • [发明专利]成像装置-CN202080041434.X在审
  • 高桥洋 - 索尼半导体解决方案公司
  • 2020-07-10 - 2022-01-11 - H01L27/146
  • 根据本公开实施方案的成像装置包括:光电转换器,其设置在半导体基板的一个主面的内侧;传输栅电极,其包括第一电极部和第二电极部,并且提供为读出已经由光电转换器进行光电转换的电荷的传输路径,第一电极部在半导体基板的深度方向上以柱状从半导体基板的一个主面延伸,第二电极部在深度方向上以柱状进一步从第一电极部延伸;和第一导电型区域,其包括第一导电型杂质,并且设置在传输栅电极的侧方。第二电极部在一个主面的平面中的至少一个方向上的宽度小于第一电极部在该一个方向上的宽度。在一个方向上,第一导电型区域至少设置在第一电极部的下方和第二电极部的侧方的区域中。
  • 成像装置
  • [发明专利]摄像装置-CN202080037058.7在审
  • 森茂贵;高桥洋 - 索尼半导体解决方案公司
  • 2020-06-25 - 2021-12-31 - H01L27/146
  • 根据本发明实施例的摄像装置包括第一基板、第二基板、贯通配线和导电膜。所述第一基板包括设置于第一半导体基板中的光电转换部和第一晶体管。所述光电转换部和所述第一晶体管包含于传感器像素中。所述第二基板层叠在所述第一基板上,并且包括设置于第二半导体基板中的第二晶体管和开口。所述第二晶体管包含于所述传感器像素中。所述开口沿层叠方向贯穿所述第二半导体基板。所述贯通配线贯穿所述开口。所述贯通配线将所述第一基板和所述第二基板电气连接。所述导电膜至少设置于所述第二半导体基板与所述贯通配线之间。所述导电膜连接至固定电位。
  • 摄像装置

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