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[发明专利]一种园林枯草清理焚烧装置-CN202210084758.2有效
发明人：王霞;曹书娟;鲁亚非;李留振;田华;裴沛;张贞;穆秋童;户箱英;胡秀琴;胡哲敏;孙磊;董焕丽;潘彩霞;李怡忱;李鸽 -专利权人：王霞
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： A01D43/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种园林枯草清理焚烧装置，包括收集筒，所述收集筒的上表面安装有外接管，所述收集筒的底端安装有回推箱，所述收集筒的外壁右前部位固定连接有输送带，所述收集筒的一端安装有轴杆。该一种园林枯草清理焚烧装置，轮一和轮二的旋转，将会带动皮带体连接的轮五、轮四和轮三以及叶片轮进行旋转，而叶片轮安装的叶轮将会对回推箱内腔进行散热，轮四连接的横轴被挡盘限位，保证横轴只能在挡盘内轴转动，横轴外壁上锁连接的铰接座与铰接的铰接杆，以及铰接杆铰接的推缸将会在腔缸座的缸内进行上下位移，并将处于收集筒内腔中的缠绕后的灰进行上下波动，避免未燃烧的枯草再次回流到地面。
一种园林枯草清理焚烧装置

[发明专利]一种用于植物新品种选育用的模拟照明装置及其使用方法-CN202310925516.6在审
发明人：朱志发;赵平丽;朱新民;刘振静;胡秀丽;宋刚勇;葛丽俊;王俊岭;李颖瑞;蔡青;李云瞻;罗晓明;刘大千;张艳;王明华;董焕丽 -专利权人：朱志发;河南省植立方环保技术有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： A01G7/04 文献下载
摘要：本发明涉及植物新品种培育照明技术领域，且公开了一种用于植物新品种选育用的模拟照明装置及其使用方法，一种用于植物新品种选育用的模拟照明装置，包括中空照明箱，所述中空照明箱内设有多个呈线性阵列分布且均通过支撑架与中空照明箱内壁连接的旋转组件，所述中空照明箱两端均通过三通阀分别与送风系统和负压抽风系统连接，所述中空照明箱一端设置有补液系统，另一端设置有排液系统；本发明通过中空照明箱、旋转组件、送风系统、负压抽风系统、补液系统、排液系统、遮光组件和双向电动伸缩杆等之间的相互配合，使本发明能够对同一植物在不同生长阶段采用不同的补光模式进行补光，从而提高了本发明的适用性。
一种用于植物新品种选育模拟照明装置及其使用方法

[发明专利]芳香酰亚胺类1,3-丁二炔衍生物及其制备方法和用途-CN202210129056.1在审
发明人： 董焕丽;刘情情 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C07D471/06 文献下载
摘要：本发明提供如下式(Ⅰ)或(II)所示的芳香酰亚胺类1,3‑丁二炔衍生物，其以芳香酰亚胺类1‑碘代炔烃为底物，经Sonogashira偶联反应制备，所述方法自偶联副产物少，后处理简单。本发明的芳香酰亚胺类1,3‑丁二炔衍生物可用于固相拓扑聚合反应。固相拓扑聚合反应所得共轭高分子单晶材料的高度有序且确定的分子堆积结构特征对高分子材料本征电荷传输特性及光学性能的研究具有重要意义，并且高压条件下拓扑聚合过程中出现颜色的变化，因此，可将其应用于有机半导体电子传输材料、有机电致发光器件、场效应晶体管、有机太阳能电池、光电探测器、热电及压力传感器等领域中。
芳香亚胺丁二炔衍生物及其制备方法用途

[发明专利]一种高导电的共轭配位聚合物材料及其制备与应用-CN202310321172.8在审
发明人：王成亮;樊坤;陈远;戴慧超;曹跃跃;董焕丽 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C08G83/00 文献下载
摘要：本发明属于配位化学技术领域，公开了一种高导电的共轭配位聚合物材料及其制备与应用，该共轭配位聚合物材料是以2,3,7,8‑四氨基‑1,4,6,9‑四醌酚嗪作为配体，以铜离子作为中心金属节点，形成的具有三维框架结构的共轭配位聚合物。本发明通过对共轭配位聚合物材料的组成、结构进行改进，得到的具有三维框架结构的共轭配位聚合物，具有良好的结晶性，并且具有高导电性，粉末样品的导电率可达11S m‑1，晶体的导电率可达400S m‑1。本发明为高导电的共轭配位聚合物的设计及制备提供了新思路。
一种导电共轭配位聚合材料及其制备应用

[发明专利]一种叠层发光场效应晶体管及其制备方法和应用-CN202210324059.0在审
发明人： 董焕丽;苗扎根;高海阔;胡文平 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10K50/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种叠层发光场效应晶体管及其制备方法和应用。该叠层发光场效应晶体管利用电荷产生层或金属连接层将多个发光单元串联起来，可以实现不同颜色光的面发射，调整两个不同的发光单元的相对位置和亮度可以实现不同颜色彩色光的发射；单个器件就可实现白光的面发射；通过串联多个相同的发光单元，在保证高开口率的同时可实现发光效率的提升、寿命的提高以及光谱的窄化。本发明有效地解决了传统发光晶体管器件发光颜色单一，发光效率低的难题。该叠层发光场效应晶体管适应性强，集成度高，易于小型化，可以批量生产，特别是对柔性可穿戴器件的兼容性好，对发光场效应晶体管器件应用于发光显示领域起到重要的促进作用。
一种发光场效应晶体管及其制备方法应用

[发明专利]一种面光源出射的平面构型发光晶体管及其制备方法和应用-CN202111460089.6在审
发明人： 董焕丽;苗扎根;高海阔;胡文平 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10K50/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种面光源出射的平面发光晶体管器件及其制备方法和应用。通过在半导体电荷传输层和发光单元之间插入电荷缓冲层，所制备出的平面发光晶体管可以实现稳定的面光源出射，有效地克服了传统的平面型发光晶体管出射光为线状或带状的缺点。该面光源出射的平面发光晶体管器件集成度高，可实现稳定的面光源出射，有效提高晶体管器件的开口率，良好的栅极可调谐能力、高环路稳定性和任意可调谐性，易于小型化，可以批量生产，对柔性可穿戴器件的兼容性好，对发光晶体管器件应用于发光显示领域起到重要的促进作用。
一种光源平面构型发光晶体管及其制备方法应用

[发明专利]一种二维共轭聚合物异质结及其制备方法和应用-CN202010367656.2有效
发明人： 董焕丽;王永帅;胡文平 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维共轭聚合物异质结及其制备方法和应用。所述制备方法是利用化学气相沉积法，使固体源在基底表面进行界面共聚反应，制备得到二维共轭聚合物异质结。该方法是一种普适性好、操作简便、低成本、低温常压、具备大批量生产能力的方法。而且制备的二维共轭聚合物异质结的面积为1cm2以上，厚度为0.1‑20nm；可以用于电子器件、光电、光伏、太阳能电池、能量存储、气体存储和分离、场效应晶体管制备等领域中。
一种二维共轭聚合物异质结及其制备方法应用

[发明专利]一种基于有机半导体材料的偏振光电探测器件及其制备方法和应用-CN202110247402.1在审
发明人： 董焕丽;王天禹;高海阔;魏钟鸣;胡文平 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于有机半导体材料的偏振光电探测器件及其制备方法和应用。该偏振光电器件采用具有各向异性的有机半导体为活性层，利用有机半导体的本征各向异性来实现对光的偏振的响应和探测。本发明有效地解决了传统偏振光电探测器件系统复杂、体积大、难以实现小型化和集成化的难题；所设计的新型偏振光电探测器件结构相对简单，适应性强，集成度高，易于小型化；有助于降低偏振光电探测器件的制备难度，可以批量生产，特别是对柔性可穿戴器件的兼容性好，对偏振光电探测及偏振光电探测器件的发展起到重要的促进作用。
一种基于有机半导体材料偏振光电探测器件及其制备方法应用

[发明专利]有机自旋阀器件及其制备方法和应用-CN201811238844.4有效
发明人：胡文平;丁帅帅;朱道本;董焕丽;田园 -专利权人：中国科学院化学研究所;中国科学院大学
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L43/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于水溶层的复合磁性电极、其转移方法和在有机自旋阀中的应用。该有机自旋阀器件的底电极材料为铁磁电极，中间输运层为有机半导体材料，顶电极材料为基于水溶层的转移法制备的磁性电极，该有机自旋阀器件在磁场下具有磁电阻特性。本发明有效解决传统顶电极制备方法中热辐射和磁性粒子渗透对有机半导体材料的污染和破坏问题；所需设备相对简单，普适性强，重复性好，良品率高，提供了一种构建有机自旋阀器件顶电极的新方法；有助于降低有机自旋电子及光电子器件的制备难度，器件质量可控，可以批量生产，特别是对基于溶液法加工的有机半导体器件兼容性好，对有机自旋电子学及有机自旋光电子学的发展起到重要的促进作用。
有机自旋器件及其制备方法应用

[发明专利]一种有机单晶自旋阀及其制备方法与应用-CN201810079081.7有效
发明人：胡文平;田园;董焕丽 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机单晶自旋阀及其制备方法与应用。本发明所述有机单晶自旋阀包括：衬底、铁磁底电极、有机单晶半导体微/纳米材料、缓冲层、铁磁顶电极及防氧化保护层。因其结构单一，晶体质量好，可有效避免材料中缺陷、杂质、晶界等因素对自旋注入和散射的影响，进而较大程度的提高材料自旋扩散长度。所采用的制备方法具有如下优点：1)有效解决有机半导体在铁磁性电极上不浸润造成的自旋注入界面散射大的问题；2)所需设备相对简单，普适性强，重复性好，提供了一种构建有机单晶自旋阀的新方法；3)有助于降低有机自旋电子及光电子器件的制备难度，对有机自旋电子学及有机自旋光电子学的发展起到重要的促进作用。
一种有机自旋及其制备方法应用

[发明专利]二维共价聚合物碳骨架聚合物薄膜及其制备方法与应用-CN201910259973.X有效
发明人：胡文平;张紫超;董焕丽;甄永刚 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： C08F138/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维共价碳骨架聚合物薄膜及其制备方法与应用。本发明主要是将二炔基有机化合物作为单体，在金属基底上加热并光照，得到全碳聚合物薄膜。将金属基底刻蚀，聚合物薄膜清洗，转移到器件测试的基底上，测得材料的电子学性质。本发明制备的全碳聚合物薄膜厚度在30～500nm之间，迁移率相较其他炔类二维聚合物提高两到三个数量级。且制备过程不需要真空度，反应温度在200～300℃之间。
二维共价聚合物骨架薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种园林植物杂叶清理焚烧装置-CN202110388878.7在审
发明人：王霞;曹书娟;鲁亚非;李留振;田华;裴沛;张贞;穆秋童;户箱英;胡秀琴;胡哲敏;孙磊;董焕丽;潘彩霞;李怡忱;李鸽 -专利权人：王霞
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： F23G5/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种园林植物杂叶清理焚烧装置，包括焚烧机构，所述焚烧机构的一侧设置有输送机构，所述输送机构包括安装架，所述安装架顶部固定连接有对称分布的导向座，当抓取时，控制活动柱下降，气缸一的驱动端带动抓斗转动进而使得两组抓斗对杂叶进行抓取，活动柱向上移动并进行横向移动，使得抓斗内抓取的杂叶进入进料箱内进行输送，通过进料箱内的导流板使得杂叶落至阀门开关内，杂叶在阀门开关内流通，通过焚烧室将火焰喷出至输送管道内对杂叶进行焚烧，通过汽缸三可控制火焰大小，输送管道内的杂叶焚烧产生的烟雾经出烟筒进入排烟管道内之后进入排烟塔内进行处理排出，实现对杂叶的焚烧处理，提高了杂叶的处理效率。
一种园林植物清理焚烧装置

[发明专利]一种林业类植物防护用防倾斜支撑装置及其支撑方法-CN202110224204.3在审
发明人：王霞;曹书娟;鲁亚非;李留振;田华;裴沛;张贞;穆秋童;户箱英;胡秀琴;胡哲敏;孙磊;董焕丽;潘彩霞;李怡忱;李鸽 -专利权人：王霞
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： A01G17/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种林业类植物防护用防倾斜支撑装置及其支撑方法，包括安装底座、示警框、防虫害盒、驱鸟盒和展示盒，所述安装底座的顶部表面安装有两组前后布置的防倾底座，所述安装底座的顶部表面安装有两组对称布置的防冻框架，所述防冻框架的正面安装有示警框，所述防冻框架的背面安装有防虫害盒和驱鸟盒，且驱鸟盒位于防虫害盒的下方，所述驱鸟盒的背面安装有展示盒，所述安装底座的底部安装有四组流失拦截板，且流失拦截板为矩形布置。本发明通过设置有流失拦截板，可辅助装置对栽种基坑内部进行水土拦截，避免水土流失外，还可向基坑内部提供氧气，加强基坑内部土块的透气性，促进栽种植物根系的快速生长，提高植物的成活率。
一种林业植物防护倾斜支撑装置及其方法

[发明专利]一种并四苯类衍生物及其制备方法与应用-CN201911008241.X在审
发明人：胡文平;舒志斌;董焕丽;王普 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： C07C25/22 文献下载
摘要：本发明提供了式(I)所示的2,8‑双取代的并四苯类衍生物及制备方法和用途。该化合物可用于制备有机半导体器件，特别是有机场效应晶体管OFETs。由上述二溴并四苯衍生物制备的单晶和薄膜器件的迁移率、阈值电压和开关比均较高。此外，该化合物的制备方法简单，具有广阔的应用前景。本发明还提供了2,8‑二溴并四苯的制备方法。其制备方法可以大幅度提高2,8‑二溴并四苯的收率，减少中间体的后处理步骤，提高合成效率，缩短制备时间，成本相对较低，合成路线的总收率达到了～50％，非常适合实验室的放量制备。上述方法提供了充足的原材料制备含二溴并四苯衍生物的电子器件。
一种四苯类衍生物及其制备方法应用

[发明专利]一种大面积超薄高晶态二维共轭高分子薄膜及其制备方法和应用-CN201810005979.X有效
发明人： 董焕丽;燕青青;胡文平;姚奕帆 -专利权人：中国科学院化学研究所;中国科学院大学
申请日： 2018-01-03 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积超薄高晶态二维共轭高分子薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法是利用化学气相沉积法，使固体源在基底表面进行界面共聚反应，制备得到二维共轭高分子薄膜。所述方法是一种普适性好、操作简便、低成本、低温常压、具备大批量生产能力的方法。所述二维共轭高分子薄膜的面积可以达到厘米尺寸以上；所述二维共轭高分子薄膜的厚度可以为20纳米以内；所述二维共轭高分子薄膜的面积为1平方厘米以上，厚度为0.1‑20nm；所述二维共轭高分子薄膜可以用于电子器件、光电、光伏、太阳能电池、能量存储、气体存储和分离、场效应晶体管中。
一种大面积超薄晶态二维共轭高分子薄膜及其制备方法应用

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