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[发明专利]具有多层集电极的双极晶体管-CN202211492962.4在审
发明人：约翰内斯·J·T·M·唐克尔;彼得鲁斯·许贝特斯·科内利斯·马涅;罗纳德·威廉·阿诺德·韦克曼 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：描述一种半导体装置和制造方法，以用于通过在衬底中形成包括下部集电极层、掺杂剂扩散势垒层和上部集电极层的硅集电极区来制造异质结双极晶体管，其中所述掺杂剂扩散势垒层的形成会减少掺杂剂在一个或多个后续制造步骤期间从所述下部集电极层扩散到所述上部集电极层中，所述一个或多个后续制造步骤用于在所述衬底中形成沟槽隔离区以及异质基极区和硅发射极区。
具有多层集电极双极晶体管

[发明专利]一种抗总剂量辐射高压三极管结构-CN202211694146.1在审
发明人：周锌;疏鹏;陈浪涛;乔明;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：本发明提供了一种抗总剂量辐射高压三极管结构，该器件包括N型发射区、P型阱区、N型阱区、N型埋层区、P型衬底、P型注入区、浅槽隔离氧化层、N型发射极注入区、P型基极注入区、N型集电极注入区、N型注入区、金属电极；本发明通过在发射结基区一侧的表面引入高掺杂P型区，提高了发射结附近基区表面浓度，削弱了总剂量辐射致陷阱电荷对发射结注入效率的影响，阻止了基区表面复合电流的增加，抑制了器件共发射极电流放大系数的退化，有效提升了三极管抗总剂量辐射的能力。同时，在发射区下方引入高掺杂N型区，避免了基区表面P型区带来的器件初始共发射极电流放大系数的下降。
一种剂量辐射高压三极管结构

[实用新型]三极管-CN202223290214.6有效
发明人：黄仁耀;高谷信一郎;邹道华;李广祎 -专利权人：常州承芯半导体有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种三极管，所述三极管包括：衬底；位于所述衬底上的集电层；位于所述集电层上的集电层电极和基极，所述基极包括基极层和位于所述基极层上的基极电极；俯视方向上所述集电层电极位于所述基极外侧且是连续的；所述基极在俯视方向上具有相互垂直的第一基础边和第二基础边，所述第一基础边外侧的所述集电层电极平行于所述第一基础边，所述第二基础边外侧的所述集电层电极平行于所述第二基础边；所述基极在俯视方向上还具有第一调整边，所述第一调整边的一端连接所述第一基础边，所述第一调整边的另一端与所述第二基础边连接。使用上述技术方案能够降低尖端热效应现象在三极管中的影响，以提高三极管的可靠性。
三极管

[实用新型]一种新型防水三极管-CN202121636102.4有效
发明人：刘双万 -专利权人：深圳市远阳宏电子有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型防水三极管，该封装壳和改进型封装底座之间设置有嵌入结构，嵌入结构包括第一嵌入架、第二嵌入架和空腔，第一嵌入架的内壁设置有第二嵌入架，第一嵌入架和第二嵌入架之间形成空腔，第一嵌入架和第二嵌入架嵌入进嵌入槽槽内，嵌入槽和凹槽注入密封胶。本实用新型的一种新型防水三极管，属于三极管领域，由于嵌入槽槽内注入密封胶，密封胶在嵌入架嵌入过程中溢出，密封胶溢出在座体和封装壳接触端，从而实现改进型封装底座和封装壳之间的密封，进而实现三极管的防水，由于凹槽和封条处注入密封胶，密封胶从封条和凹槽缝隙处溢出，实现连接壳和封装壳之间的密封，进一步提升三极管的防水性能。
一种新型防水三极管

[发明专利]用于驱动电容性负载的驱动器-CN201980012559.7在审
发明人： P·库马尔;Y·达瓦赫卡 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2019-02-13 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：一种电路包括第一双极结型晶体管(BJT)(Q1)和第二BJT(Q2)。第一BJT(Q1)包括第一基极、第一集电极和第一发射极。第一集电极连接到第一电源电压节点(115)。第二BJT(Q2)包括第二基极、第二集电极和第二发射极。第二集电极在输出节点(118)处连接到第一发射极。该电路还包括电容器(CI)，该电容器包括第一电容器端子和第二电容器端子。第一电容器端子连接到第二BJT(Q2)的第二发射极，并且第二电容器端子连接到第二电源电压节点(116)。电流源器件(II)与电容器(CI)并联连接。
用于驱动电容负载驱动器

[发明专利]二维材料元件和半导体器件-CN201410616370.8有效
发明人：申铉振;朴晟准;李载昊;许镇盛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：本发明提供二维材料元件和半导体器件。根据示例实施方式，二维(2D)材料元件可以包括彼此化学地接合的第一2D材料和第二2D材料。第一2D材料可以包括第一金属硫属元素化物基材料。第二2D材料可以包括第二金属硫属元素化物基材料。第二2D材料可以接合至第一2D材料的侧面。2D材料元件可以具有PN结结构。2D材料元件可以包括具有不同带隙的多种2D材料。
二维材料元件半导体器件

[实用新型]一种超高灵敏度的压电三极管-CN201821988710.X有效
发明人：兰新涛;杨超;饶铭 -专利权人：深圳市灿升实业发展有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超高灵敏度的压电三极管，从上至下依次包括均掺杂有纤锌矿结构GaN的集电区、基区和发射区，所述集电区的上方连接有掺杂纤锌矿结构GaN的集电极，所述基区的左侧连接有掺杂纤锌矿结构GaN的基极，所述发射区的下方连接有掺杂纤锌矿结构GaN的发射极，所述基区与集电区、发射区之间均设置有纤锌矿结构的GaN压电层，通过采用纤锌矿结构GaN对该压电三极管的各个区域进行不同地掺杂，将其压电性以及半导体特性进行耦合，从而实现其超高灵敏度性能。
超高灵敏度纤锌矿结构锌矿结构掺杂纤发射区集电区三极管基区压电掺杂半导体特性本实用新型从上至下耦合发射极集电极压电层压电性

[发明专利]一种平面型多晶硅发射极晶体管及其制造方法-CN201610443158.5有效
发明人：李思敏 -专利权人：李思敏
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：本发明提供一种平面型多晶硅发射极晶体管，在下层为N型低电阻率层、上层为N型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多个N型的高掺杂浓度的发射区，该发射区的上面连接着N型的掺杂多晶硅层，其特点是：所述P型浓基区为平面型，所述P型浓基区通过P型浓基区汇流条与基极金属层相连接，所述晶体管的管芯面积大于0.25mm2。本发明还提供了该平面型多晶硅发射极晶体管的制造方法。本发明提供的平面型多晶硅发射极晶体管比现有的槽型多晶硅发射极晶体管工艺更加简单，产品性能一致性好，抗冲击能力更强。
一种平面多晶发射极晶体管及其制造方法

[发明专利]一种多晶硅发射极晶体管及其制作方法-CN201511026015.6在审
发明人：范建超;王训辉 -专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅发射极晶体管及其制作方法。该制作方法包括在P衬底上依次形成N+型的埋层、N-型的外延层以及第一隔离区和第二隔离区，还包括形成第一N+区，所述第一N+区与所述埋层连通；形成一层第一二氧化硅层；在所述外延层内的上部形成P区和P+区；形成第一接触孔、第二接触孔和第三接触孔；在所述第二二氧化硅层上方淀积一层第一氮化硅层，并将第一接触孔、第二接触孔和第三接触孔中的所述第一氮化硅层去除；第一接触孔和第三接触孔中形成一层掺杂多晶硅层；形成第二N+区；在所述掺杂多晶硅层上方及第二接触孔中淀积一层金属层。本发明能够在不降低发射极-集电极穿通电压和电流增益的情况下实现器件的纵向按比例缩小。
一种多晶发射极晶体管及其制作方法

[发明专利]一种三极管及其制造方法-CN201610961640.8在审
发明人：李风浪;李舒歆 -专利权人：东莞市联洲知识产权运营管理有限公司
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种三极管及其制造方法。本发明三极管，包括基区、集电区、发射区、基极、集电极、发射极以及衬底，所述集电区形成在所述衬底上，所述基区形成在所述集电区上，基区引出所述基极，集电区引出所述集电极，发射区引出所述发射极，还包括介质阻挡区，所述介质阻挡区形成在所述基区上，所述基区上形成n个基区凸起结构，n为大于等于1的整数，所述发射区形成在所述介质阻挡区上，并且通过所述基区凸起结构与所述基区侧向接触形成发射结。本发明可以更灵活的控制发射结面积，以便优化三极管的性能。
一种三极管及其制造方法

[实用新型]用于集成电路的晶体管以及成像系统-CN201620467059.6有效
发明人： R·马杜罗维;H·索雷麦尼;I·瑞姆 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：本实用新型涉及用于集成电路的晶体管以及成像系统。根据本公开的一个方面，所述晶体管包括：衬底，所述衬底具有第一表面和第二表面；栅极导体，所述栅极导体在所述衬底的所述第一表面上方形成；以及栅极端子触点，所述栅极端子触点形成在所述衬底的所述第二表面上方。
用于集成电路晶体管以及成像系统

[实用新型]一种新型塑料封装散热型MOS三极管-CN201620363164.5有效
发明人：文全;陈永晚 -专利权人：深圳市华科半导体有限公司
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：一种新型塑料封装散热型MOS三极管，其特征在于：包括控制极、漏极、塑料封装外壳体和散热硅胶片，塑料封装外壳体下方设置有控制极，控制极一侧设置有漏极，漏极一侧设置有源极，塑料封装外壳体内部中央设置有内置芯片，塑料封装外壳体外表面上设置有散热硅胶片，散热硅胶片两侧对称设置有抓取槽，塑料封装外壳体上部设置有固定金属板，固定金属板上设置有两个固定螺钉孔。有益效果在于：安装更加方便，工作性能更好，散热性能更加良好，结构更小，更加省电，传导损耗小，制造简单，造价低，便于大批量生产，使用寿命更长。
一种新型塑料封装散热 mos 三极管

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201410548948.0在审
发明人：洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供包括基底、绝缘层和半导体层的衬底；在半导体层内形成若干第一开口，第一开口底部暴露出绝缘层表面，且相邻第一开口之间的距离为第一距离；在第一开口的半导体层侧壁表面形成侧墙；以半导体层和侧墙为掩膜，刻蚀第一开口底部的绝缘层和基底，在绝缘层和基底内形成第二开口；对第二开口暴露出的基底侧壁进行刻蚀，使相邻第二开口的基底侧壁之间具有第二距离，且第二距离小于第一距离；在对第二开口内的基底侧壁进行刻蚀之后，在第二开口和第一开口内形成隔离层；在形成隔离层之后，在半导体层表面形成栅极结构；在栅极结构两侧的衬底表面形成导电结构。所形成的半导体结构改善。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]在沟槽下方具有沉块扩散区的双极晶体管-CN201480037806.6在审
发明人： H·L·爱德华兹;A·A·萨尔曼 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2014-07-02 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：在所述示例中，一种双极晶体管(100)包括：具有半导体表面(106)的衬底(105)；以及第一沟槽封装件和第二沟槽封装件(121，122)，这两个沟槽封装件均至少内衬有电介质，所述电介质从所述半导体表面(106)的顶侧(106a)向下延伸至沟槽深度。所述第一沟槽封装件(121)限定内封闭区。基极(140)和在所述基极(140)中形成的发射极(150)在所述内封闭区之内。埋层(126)在所述沟槽深度之下，包括在所述基极(140)下方。沉块扩散区(115)包括在所述第一沟槽封装件和第二沟槽封装件(121，122)之间的从所述半导体表面(106)的所述顶侧(106a)延伸到所述埋层的第一部分(115a)，和在所述内封闭区之内的第二部分(115b)。所述第二部分(115b)不延伸至所述半导体表面(106)的所述顶侧(106a)。
沟槽下方具有扩散双极晶体管

[发明专利]一种碳化硅双极性晶体管-CN201410425765.X有效
发明人：张有润;孙成春;董梁;马金荣;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体的说是涉及一种碳化硅双极性晶体管。本发明的碳化硅双极性晶体管，其特征在于，在N+发射区205与P+掺杂区207之间的P-基区204上表面设置有N+外延层210；所述N+外延层210上表面设置有N+外延层电极211；所述基极208与N+外延层210和N+外延层电极211之间、N+外延层210和N+外延层电极211与N+发射区205和发射极206之间通过SiO2介质层209隔离。本发明的有益效果为，既能有效地降低表面复合、提高电流增益，同时其结构简单，在工艺上较容易实现。本发明尤其适用于碳化硅双极性晶体管。
一种碳化硅极性晶体管

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