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[实用新型]存储器结构-CN202320948234.3有效
发明人：杨智铨;张朝渊;林士豪;包家豪;张峰铭;洪连嵘;王屏薇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：本公开提出一种存储器结构。存储器单元阵列包括存储器单元和在第一方向上延伸的第一N型井。存储器结构还包括形成在存储器结构的外围区中的第二N型井。第二N型井在第二方向上延伸，并且与第一N型井的一个接触。存储器结构还包括形成在第二N型井中的拾取区。拾取区电性耦合至第一N型井的一个。
存储器结构

[发明专利]集成电路结构及其制造方法-CN202010044975.X有效
发明人：张峰铭;张瑞文;王屏薇;王胜雄;卢麒友 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种方法包括布局标准单元区域，在标准单元区域内具有矩形空间。标准单元区域包括具有面向矩形空间的第一底部边界的第一行标准单元；以及多个标准单元，具有面向矩形空间的侧边界。多个标准单元包括底行的标准单元。在矩形空间中布局存储器阵列，并且底行的第二底部边界和存储器阵列的第三底部边界与同一直线对准。在矩形空间中布局填充单元区域。填充单元区域包括与第一行标准单元的第一底部边界接触的第一顶部边界；以及与存储器阵列的第二顶部边界接触的第四底部边界。本发明的实施例还涉及集成电路结构及其制造方法。
集成电路结构及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310015638.1在审
发明人：杨智铨;耿文骏;林士豪;苏信文;林祐宽;王屏薇;林京毅 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：方法包括：在衬底的第一区域中形成从衬底突出的第一鳍并且在衬底的第二区域中形成从衬底突出的第二鳍；使第一鳍的部分凹进，从而形成第一凹槽；使第二鳍的部分凹进，从而形成第二凹槽；在第二凹槽中沉积阻挡层；在第一凹槽中生长基底外延层；从第二凹槽去除阻挡层；以及在第一凹槽和第二凹槽中生长掺杂外延层。基底外延层不含掺杂剂。掺杂外延层邻接第一区域中的第一鳍和第二区域中的第二鳍。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]集成电路、存储器和存储器阵列-CN202010006146.2有效
发明人：张峰铭;包家豪;洪连嵘;王屏薇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：公开了基于鳍的阱条以用于改进存储器阵列的性能，诸如静态随机存取存储器阵列。示例性的阱条单元设置在第一存储器单元和第二存储器单元之间。阱条单元包括设置在衬底中的p阱、第一n阱和第二n阱。p阱、第一n阱和第二n阱配置在阱条单元中，使得阱条单元的中间部分沿着栅极长度方向没有第一n阱和第二n阱。阱条单元还包括到p阱的p阱拾取区和到第一n阱、第二n阱或两者的n阱拾取区。p阱沿着栅极长度方向具有I形的顶视图。本发明的实施例还涉及集成电路、存储器和存储器阵列。
集成电路存储器阵列

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202211088972.1在审
发明人：陈瑞麟;王朝勋;苏信文;丁一峰;王奇桦;李怡鸿;涂元添;杨复凯;王美匀;王屏薇;洪连嵘 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。根据本公开的方法包括形成从衬底突出的鳍状结构，形成与鳍状结构相交的栅极结构，在栅极结构的侧壁上形成栅极间隔件，以及在鳍状结构上方形成导电部件。栅极间隔件横向位于栅极结构和导电部件之间。方法还包括在栅极结构和导电部件上方沉积介电层，执行蚀刻工艺，从而形成穿过介电层的开口并暴露导电部件和栅极结构的顶面，通过开口凹进栅极间隔件，从而暴露栅极结构的侧壁，以及在开口中形成接触部件，其中接触部件与导电部件接触并且具有向下突出以与栅极结构的侧壁接触的底部。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]存储器器件及其形成方法-CN202211014724.2在审
发明人：苏信文;陈瑞麟;林士豪;杨智铨;庄明谚;王晨晨;王屏薇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：一些实施例涉及一种存储器器件及其形成方法。存储器器件包括：晶体管，具有第一源极/漏极(S/D)区和第二S/D区；第一S/D接触件，设置在第一S/D区上方，第一S/D接触件沿着第一方向纵向延伸；第二S/D接触件，设置在第二S/D区上方；第一通孔，着落在第一S/D接触件上，第一通孔沿着不同于第一方向的第二方向纵向延伸；第二通孔，着落在第二S/D接触件上，第一通孔具有沿着第二方向测量的、大于第二通孔的长度；第一导线，连接至第一通孔；第二导线，连接至第二通孔；以及存储器结构，设置在晶体管之上，并且连接至第二导线。
存储器器件及其形成方法

[实用新型]存储器装置-CN202221330476.8有效
发明人：包家豪;林建隆;杨智铨;张瑞文;张朝渊;张峰铭;洪连嵘;王屏薇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G11C5/12 文献下载
摘要：一种存储器装置，包含存储器单元矩阵、预充电电路，以及预充电辅助电路。存储器单元矩阵具有多个存储器单元，多个存储器单元排列在具有多个行及多个列的矩阵中。多个行中的每一行包含连接至第一位元线及第二位元线的第一多个存储器单元。预充电电路连接存储器单元矩阵。预充电电路从第一端预充电第一位元线及第二位元线。预充电辅助电路连接存储器单元矩阵。预充电辅助电路从第二端预充电第一位元线及第二位元线。
存储器装置

[发明专利]存储器单元结构及其制造方法-CN202210841752.5在审
发明人：包家豪;杨智铨;林士豪;陈稚轩;林建隆;张朝渊;张峰铭;洪连嵘;王屏薇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本公开涉及一种存储器单元结构及其制造方法，基于GAA晶体管的SRAM设计为在微缩的IC技术节点增加晶体管的通道宽度提供灵活性，并且放宽基于FinFET的SRAM对SRAM效能优最佳化的限制。所述基于GAA的SRAM单元具有主动区布局，其中主动区由下拉GAA晶体管和传输闸GAA晶体管共享。相对于与传输闸GAA晶体管对应的共享主动区的宽度，与下拉GAA晶体管对应的共享主动区的宽度扩大。调整宽度的比率以获得大于1的下拉晶体管有效通道宽度与传输闸有效通道宽度的比率，相对于传输闸GAA晶体管的导通电流增加下拉GAA晶体管的导通电流，相对于传输闸GAA晶体管的临界电压降低下拉GAA晶体管的临界电压及/或增加SRAM单元的β比率。
存储器单元结构及其制造方法

[实用新型]存储器装置-CN202221808368.7有效
发明人：杨智铨;张瑞文;张峰铭;林建隆;徐国修;洪连嵘;王屏薇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G11C11/41 文献下载
摘要：本公开描述了一种存储器装置。存储器装置的特征在于包含：存储器单元区、井拾取区、第一电源供应布线区、第二电源供应布线区、位元线跨接布线区以及装置区。井拾取区及第一电源供应布线区，设置在存储器单元区的第一侧。第二电源供应布线区及位元线跨接布线区设置在存储器单元区的第二侧，其中第二侧与第一侧相对。装置区设置在存储器单元区的第二侧。其中位元线跨接布线区位在第二电源供应布线区及装置区之间。
存储器装置

[实用新型]半导体装置-CN202221529608.X有效
发明人：李尚融;林士豪;耿文骏;杨智铨;黄志翔;王屏薇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体装置，半导体装置包括多个通道层，设置在高台上方，其中高台的多个侧壁朝向高台的中心向内弯曲，使得高台的中部的宽度窄于高台的顶部的宽度；栅极结构，包裹多个通道层的每一个并与高台物理接触；外延源/漏极部件，邻接多个通道层；以及隔离部件，沉积在高台的多个侧壁和外延源/漏极部件的多个侧壁上。
半导体装置

[发明专利]半导体结构-CN202210348129.6在审
发明人：苏信文;陈瑞麟;林士豪;庄明谚;王晨晨;洪连嵘;王屏薇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体结构。根据本公开的一半导体结构包括源极特征与漏极特征、源极特征与漏极特征之间的主动区、主动区上方的栅极结构、设置于源极特征以及漏极特征还有栅极结构上方的前侧互连结构、设置于源极特征以及漏极特征还有栅极结构下方的后侧互连结构以及设置于后侧互连结构之中的储存元件。
半导体结构

[发明专利]半导体装置-CN202210523296.X在审
发明人：苏信文;林士豪;林祐宽;洪连嵘;王屏薇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G11C17/18 文献下载
摘要：半导体装置包括在有源区上方的编程字元线和读取字元线。编程字元线和读取字元线中的每一者沿着线方向延伸。此外，编程字元线接合第一晶体管通道，并且读取字元线接合第二晶体管通道。半导体装置还包括在编程字元线上方并且电性连接至编程字元线的第一金属线和在读取字元线上方并且电性连接至读取字元线的第二金属线。半导体装置还包括在第一有源区上方并且电性连接至第一有源区的位元线。此外，编程字元线沿着垂直于线方向的通道方向具有第一宽度；读取字元线沿着通道方向具有第二宽度；以及第一宽度小于第二宽度。
半导体装置

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN202210417435.0在审
发明人：包家豪;杨智铨;林士豪;林建隆;陈稚轩;王屏薇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开提供半导体结构的制造方法，包括提供具第一区域及第二区域的基板、形成自基板的第一区域突出的鳍片，其中鳍片包括第一硅锗层及设置于第一硅锗层上的多个硅层与多个第二硅锗层交替的堆叠，且第一硅锗层具有第一锗浓度而多个第二硅锗层中的每一者具大于第一锗浓度的第二锗浓度、掘入鳍片以形成S/D凹槽、掘入S/D凹槽中暴露的第一硅锗层与多个第二硅锗层，其中多个第二硅锗层被掘入的程度多于第一硅锗层、在S/D凹槽中形成S/D特征、移除被掘入的第一硅锗层及多个第二硅锗层以形成多个开口，以及在鳍片上方及多个开口中形成金属栅极结构。
半导体结构制造方法

[发明专利]磁性装置结构-CN202210239339.1在审
发明人：陈瑞麟;王晨晨;苏信文;王屏薇;张元豪;吕勃陞;林士豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本公开提供一种磁性装置结构。在一些实施例中，结构包括一或多个第一晶体管、设置在一或多个第一晶体管上方的磁性装置、围绕一或多个第一晶体管和磁性装置的多个侧面的多个磁性柱状物、设置在磁性装置上方，并且接触磁性柱状物的第一磁性层以及设置在一或多个第一晶体管下方，并且接触磁性柱状物的第二磁性层。
磁性装置结构

[发明专利]半导体器件、存储器宏和静态随机存取存储器阵列的布局-CN201911165577.7有效
发明人：杨智铨;杨昌达;王屏薇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本文公开了用于改进存储器阵列(诸如静态随机存取存储器阵列)的性能的阱拾取区域。示例性集成电路(IC)器件包括：电路区域；第一阱拾取(WPU)区域；第一阱，在电路区域中沿第一方向纵向定向并且延伸到第一WPU区域中，第一阱具有第一导电类型；以及第二阱，在电路区域中沿第一方向纵向延伸并且延伸到第一WPU区域中，第二阱具有不同于第一导电类型的第二导电类型，其中，第一阱具有位于电路区域中的第一部分和位于第一WPU区域中的第二部分，并且第一阱的第二部分的宽度大于沿垂直于第一方向的第二方向的第一阱的第一部分的宽度。本发明的实施例还涉及半导体器件、存储器宏和静态随机存取存储器阵列的布局。
半导体器件存储器静态随机存取存储器阵列布局

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