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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310710338.5在审
发明人：黄懋霖;朱龙琨;徐崇威;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：半导体器件包括：第一沟道区域，设置在衬底上方的第一器件区域中；第一栅极介电层，设置在第一沟道区域上方；第二栅极介电层，设置在第二沟道区域上方；以及栅电极，设置在第一栅极介电层上方。第一栅极介电层包括第一偶极掺杂剂，并且第二栅极介电层包括嵌入在其中的第二偶极掺杂剂。第一栅极介电层和第二栅极介电层之间的边界包含第一偶极掺杂剂和第二偶极掺杂剂。本申请的实施例还涉及制造半导体器件的方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310684661.X在审
发明人： 徐崇威;潘冠廷;朱龙琨;江国诚;王志豪;余佳霓 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：在实施例中，器件包括：隔离区域，位于衬底上；第一纳米结构，位于隔离区域之上；第二纳米结构，位于隔离区域之上；第一栅极间隔件，位于第一纳米结构上；第二栅极间隔件，位于第二纳米结构上；介电壁，在顶视图中沿着第一方向位于第一栅极间隔件和第二栅极间隔件之间，在顶视图中，介电壁沿着第二方向设置在第一纳米结构和第二纳米结构之间，第一方向垂直于第二方向；以及栅极结构，位于第一纳米结构周围并且位于第二纳米结构周围，栅极结构的第一部分填充介电壁和第一纳米结构之间的第一区，栅极结构的第二部分填充介电壁和第二纳米结构之间的第二区。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210812003.X在审
发明人： 徐崇威;江国诚;黄懋霖;朱龙琨;余佳霓;卢俊甫;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请的实施例公开了一种半导体器件以及形成半导体器件的方法，包括：在第一区域中的第一沟道区域上方和第二区域中的第二沟道区域上方形成第一介电层；将第一偶极子元素引入第一区域中的第一介电层中，以在第一区域中形成第一含偶极子栅极介电层；在第一含偶极子栅极介电层上方形成第二介电层；将氟引入第二介电层，以在第一含偶极子栅极介电层上方形成第一含氟栅极介电层；以及在第一含氟栅极介电层上方形成栅电极。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体装置结构-CN202210938293.2在审
发明人：余佳霓;江国诚;黄懋霖;朱龙琨;徐崇威;王志豪;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置结构，包括第一栅极层；第二栅极层位于第一栅极层上并对准第一栅极层；以及栅极隔离结构位于第一栅极层与第二栅极层之间。栅极隔离结构包括相对的第一表面与第二表面。第一表面的至少一部分接触第一栅极层。第二表面包括不同的第一材料与第二材料，且第二表面的至少一部分接触第二栅极层。
半导体装置结构

[发明专利]半导体装置结构-CN202210938274.X在审
发明人：朱龙琨;黄懋霖;徐崇威;余佳霓;程冠伦;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置结构，包括第一介电结构与第二介电结构，以及半导体层位于第一介电结构与第二介电结构之间。结构还包括隔离层位于第一介电结构与第二介电结构之间，且隔离层接触第一介电结构与第二介电结构。第一半导体层位于隔离层上。结构还包括栅极介电层位于隔离层上，以及栅极层位于栅极介电层上。栅极层的末端延伸至第一半导体层的第一表面所定义的第一平面与第一半导体层的第二表面所定义的第二平面之间的高度，且第一半导体层的第一表面与第二表面相对。
半导体装置结构

[发明专利]集成电路的制造方法-CN202210705786.1在审
发明人：黄懋霖;朱龙琨;徐崇威;余佳霓;江国诚;程冠伦;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种集成电路的制造方法，包括形成N型及P型全绕式栅极晶体管以及核心全绕式栅极晶体管。上述方法沉积用于P型晶体管的金属栅极层。上述方法与P型晶体管的金属栅极层一起原位形成钝化层。
集成电路制造方法

[发明专利]集成电路的制造方法-CN202210671373.6在审
发明人：朱龙琨;黄懋霖;徐崇威;余佳霓;江国诚;程冠伦;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种集成电路的制造方法，包含形成第一全绕式栅极晶体管以及第二全绕式栅极晶体管。此方法形成偶极氧化物于第一全绕式栅极晶体管中但不形成偶极氧化物于第二全绕式栅极晶体管中。这是借由在重新沉积界面介电层于第二全绕式栅极晶体管的纳米片上之前，从第二全绕式栅极晶体管的半导体纳米片上完全地移除界面介电层以及偶极‑诱导层来实现的。
集成电路制造方法

[发明专利]集成电路的制造方法-CN202210670314.7在审
发明人：余佳霓;江国诚;黄懋霖;朱龙琨;徐崇威;王志豪;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种集成电路的制造方法，包括：形成I/O全绕式栅极晶体管及核心全绕式栅极晶体管。方法通过将金属原子扩散到I/O全绕式栅极晶体管的界面介电层中，对I/O全绕式栅极晶体管的界面介电层进行再成长制程。再成长制程不会将金属原子扩散到核心全绕式栅极晶体管的界面栅极介电层中。
集成电路制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210331166.6在审
发明人：朱龙琨;黄懋霖;徐崇威;余佳霓;卢俊甫;江国诚;程冠伦;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体装置。根据本公开，示例性的半导体装置包括多个第一通道纳米结构，位于第一装置区中彼此间隔开；多个第二通道纳米结构，位于第二装置区中彼此间隔开；介电鳍片，位于第一装置区与第二装置区之间的边界；高介电常数介电层，围绕每个第一通道纳米结构和每个第二通道纳米结构并位于介电鳍片上方；第一功函数层，围绕每个第一通道纳米结构并位于高介电常数介电层上方，其中第一功函数层完全填充第一通道纳米结构之间的空间并且具有位于介电鳍片上方的边缘；以及第二功函数层，围绕每个第二通道纳米结构并位于高介电常数介电层和第一功函数层上方，其中第二功函数层完全填充第二通道纳米结构之间的空间。
半导体装置

[发明专利]半导体元件结构-CN202210207987.9在审
发明人： 徐崇威;江国诚;黄懋霖;朱龙琨;余佳霓;程冠伦;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体元件结构。半导体元件结构包括一或多个第一半导体层以及双极层，围绕第一半导体层的每一个，其中双极层包括锗。半导体元件结构也包括盖层，围绕并接触双极层，其中盖层包括硅以及一或多个第二半导体层，设置邻近第一半导体层。半导体元件结构还包括栅极电极层，围绕第一半导体层的每一个和第二半导体层的每一个。
半导体元件结构

[发明专利]半导体装置-CN202210331167.0在审
发明人： 徐崇威;江国诚;黄懋霖;朱龙琨;余佳霓;程冠伦;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置，包含位于第一装置区中的多个第一通道纳米结构以及位于第二装置区中的多个第二通道纳米结构。第一通道纳米结构设置于第一介电鳍片与第二介电鳍片之间。第二通道纳米结构设置于第一介电鳍片与第三介电鳍片之间。形成栅极介电层以围绕第一通道纳米结构的每一个及第二通道纳米结构的每一个。形成第一功函数层以围绕第一通道纳米结构的每一个。形成第二功函数层以围绕第二通道纳米结构的每一个。第一间隙存在于每个相邻的第一通道纳米结构之间，且第二间隙存在于每个相邻的第二通道纳米结构之间。
半导体装置

[发明专利]半导体装置结构-CN202210270881.3在审
发明人：余佳霓;江国诚;黄懋霖;朱龙琨;徐崇威;卢俊甫;王志豪;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体装置结构。半导体装置结构包含第一介电部件，沿着第一方向延伸，第一介电部件包含第一介电层，第一介电层具有第一侧壁以及相对第一侧壁的第二侧壁；第一半导体层，与第一侧壁相邻设置，第一半导体层沿着垂直于第一方向的第二方向延伸；第二介电部件，沿着第一方向延伸，第二介电部件与第一半导体层相邻设置；以及第一栅极电极层，围绕第一半导体层的至少三个表面，且第一气隙露出第一栅极电极层的一部分。
半导体装置结构

[发明专利]半导体器件结构及其形成方法-CN202210054266.9在审
发明人：黄懋霖;朱龙琨;徐崇威;余佳霓;卢俊甫;江国诚;程冠伦;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供半导体器件结构。该半导体器件结构包括形成在衬底上方的鳍结构和形成在鳍结构上方的栅极结构。该栅极结构包括第一层和在第一层上方的填充层。该栅极结构包括形成在栅极结构的填充层上方的保护层，并且保护层通过填充层与第一层分离。本申请的实施例还涉及用于形成半导体器件结构的方法。
半导体器件结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置结构-CN202110856512.8在审
发明人：黄懋霖;朱龙琨;徐崇威;余佳霓;江国诚;程冠伦;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体装置结构。半导体装置结构包括第一半导体层，以及第二半导体层对准第一半导体层并位于第一半导体层下。第一互混层与第四互混层围绕每一第一半导体层。第一互混层位于第一半导体层与第四互混层之间，且包括第一材料与第二材料。第四互混层包括第三材料与第四材料。第二互混层与第三互混层围绕每一第二半导体层。第二互混层位于第二半导体层与第三互混层之间，且包括第一材料与第五材料。第三互混层包括第三材料与第六材料。第二材料与第四材料为具有第一极性的偶极材料，第五材料与第六材料为具有第二极性的偶极材料，且第一极性与第二极性相反。
半导体装置结构

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202110812250.5在审
发明人：朱龙琨;黄懋霖;徐崇威;余佳霓;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：半导体装置的形成方法包括：提供自基板延伸的鳍状物，且鳍状物包括多个半导体层，其中相邻的半导体层之间具有第一距离。方法还包括提供自基板延伸并与半导体层相邻的介电鳍状物，其中每一半导体层的末端与介电鳍状物的第一侧壁之间具有第二距离。第二距离大于第一距离。沉积介电层于半导体层与介电鳍状物的第一侧壁上。形成第一金属层于半导体层与介电鳍状物的第一侧壁上的该介电层上，其中位于相邻的半导体层之上与之间的第一金属层的部分合并在一起。最后移除第一金属层。
半导体装置形成方法

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