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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种光掩模组件及光刻系统-CN202010863609.7在审
发明人：林锦鸿;蔡奇澄;贺遵火;孙亚东 -专利权人：泉芯集成电路制造（济南）有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： G03F1/66 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种光掩模组件及光刻系统，光掩模组件包括透明容器以及透明容器内部设置的光掩模，透明容器用于在光掩模的曝光过程中为光掩模隔绝空气，透明容器中填充有超洁净水或超洁净空气，这样光掩模上无需形成覆膜，节省了在光掩模上形成覆膜所需要的工艺和成本，同时透明容器可以在曝光过程中为光掩模隔绝空气，以及空气中的粉尘，同时透明容器中的超洁净液体或超洁净气体可以对光掩模表面起到净化作用以及组织表面物质聚集的作用，因此可以降低光掩模表面的杂质堆积，减少光掩模的曝光缺陷。
一种模组光刻系统

[发明专利]光掩模传送支撑座及光掩模传送方法-CN03110166.6无效
发明人：林柏青 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2003-04-15 - 公布日： 2004-10-20 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明提供一种光掩模传送支撑座(reticletransferring support)。该光掩模传送支撑座包括有一支撑基座用来容纳一光掩模，多个支撑点用来支撑该光掩模，以及多个固定架用来固定该光掩模。该各支撑点是由软性塑胶材质组成的椭圆形结构，并可调整位置避免在该光掩模背面造成刮痕。该各固定架内侧为一倾斜面，可在载入光掩模时自动固定该光掩模的位置。
光掩模传送支撑方法

[发明专利]相移掩模及其制造方法-CN95101040.9无效
发明人：金永武;咸泳穆 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1995-01-19 - 公布日： 2002-03-27 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：一种相移掩模及其制造方法，该相移掩模带有沟槽，该沟槽是通过将相移膜图形边缘所在的透明衬底部分蚀刻一定深度得到的，因而能防止由于使用Levenson型相移掩模而留下不希望有的光致抗蚀剂膜的残留物之现象。
相移及其制造方法

[发明专利]曝光装置-CN200510071774.4无效
发明人：金相珍 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2005-02-02 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种曝光装置，包括在台上沿预定方向移动的玻璃，置于玻璃上方并在其中具有转印图案的辊型薄膜掩模，以及曝光系统，用于在薄膜掩模的上表面上辐射紫外光，从而使薄膜掩模中形成的转印图案转印到玻璃上。
曝光装置

[发明专利]用于光掩模的薄膜以及包括该薄膜的曝光装置-CN201710377476.0在审
发明人：宋伣在;申铉振 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：提供用于光掩模的薄膜和包括用于光掩模的薄膜的曝光装置，用于光掩模的薄膜保护光掩模免受外部污染。用于光掩模的薄膜包括提供为与光掩模间隔开的薄膜膜部。薄膜膜部包括具有二维(2D)晶体结构的半导体。
用于光掩模薄膜以及包括曝光装置

[发明专利]用于制造光掩模的系统、方法和程序产品-CN202180047279.7在审
发明人： M·拉马丹;M·格林;Y·汉姆;克里斯托弗·J·普洛格勒 -专利权人：美商福昌公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：用于从所获得的与在晶片上显示缺陷的光掩模相关的图案信息构建光掩模的方法和系统。对图案信息进行空间域分析，使得可以生成校正光掩模结构并可以将其应用于光掩模布局。使用校正光掩模结构来构建光掩模。验证了光掩模的有效性。
用于制造光掩模系统方法程序产品

[发明专利]便捷测量光掩模上光罩护膜蒙贴位移量的方法及光掩模-CN202211623777.4在审
发明人：田正洲;葛海鸣;包忍 -专利权人：广州新锐光掩模科技有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本申请提供一种便捷测量光掩模上光罩护膜蒙贴位移量的方法及光掩模，涉及光掩模的技术领域，其步骤如下：在光掩模表面设置标尺，标尺以光掩模表面设置的定位线为基准，标尺每格度数的量级为微米级；蒙贴光罩护膜于光掩模的表面；通过显微镜观测光罩护膜的边沿在标尺上的读数，得出光罩护膜于光掩模表面蒙贴的位移量。通过设置标尺，利用光掩模上预先设置的标尺，对光罩护膜于光掩模表面蒙贴的位移量进行测量，只要借助显微镜辅助即可，无需使用标注差量测基台，降低了检测光罩护膜蒙贴位移量所需成本，进而降低了光掩模的整体成本。
便捷测量光掩模上光罩护膜蒙贴位移方法

[发明专利]被校正的光掩模对准误差及校正光掩模的对准误差的方法-CN200710005269.9无效
发明人：李明秀;裴硕钟;李贞勋;崔成云;金炳局 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-02-12 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：提供一种其对准误差已经被校正的光掩模，以及校正光掩模的对准误差的方法。光掩模包括光掩模衬底、在光掩模衬底的一个表面上形成的光学图形、以及在光掩模衬底中形成的多个应力产生部分。校正光掩模的对准误差的方法包括以下步骤：在光掩模衬底上形成光学图形、测量光学图形的对准误差、以及在光掩模衬底中形成多个应力产生部分，使得应力产生部分对应于所测量的对准误差。
校正光掩模对准误差方法

[发明专利]光掩模修正方法和装置以及布局机器学习模型的训练方法-CN202110557042.5在审
发明人：杨闵丞;邱崇益 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种双重图形曝光的光掩模修正方法、光掩模修正装置与布局机器学习模型的训练方法。双重图形曝光的光掩模修正方法包括以下步骤。获得一光掩模布局目标图。分解光掩模布局目标图为两个光掩模布局子图。这些光掩模布局子图于一连结区域重叠。一布局机器学习模型依据光掩模布局目标图分析出连结区域的尺寸。布局机器学习模型依据一蚀刻后三维信息建立。对这些光掩模布局子图执行一光学邻近校正程序。
光掩模修正方法装置以及布局机器学习模型训练

[发明专利]一种光掩模清洗工艺-CN201710728019.1在审
发明人：张坤;刘藩东;夏志良 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： G03F1/82 文献下载
摘要：一种光掩模清洗工艺，包括脱膜；先将光掩模固定在清洗机台上，然后将带有真空保护罩吸头的保护罩放在光掩模板上，抽真空，当压力达到10‑1～10‑3Pa时停止抽真空；利用干法或/和湿法清洗光掩模上的残胶，清洗完后用高纯水冲洗光掩模数次；向保护罩中注入气体使保护罩和光掩模分离，然后将光掩模除胶保护罩移走；先用高纯水超声冲洗光掩模，然后用光照射光掩模，重复光照射和超声冲洗数次，最后再用高纯水超声冲洗光掩模。本发明的优点在于可显著提高光掩模使用寿命，大幅降低光罩成本。
一种光掩模清洗工艺

[发明专利]一种用掩模板制作大版导光片的方法-CN201210204175.5有效
发明人：路志坚;杨星;张亚荣;杨云胜 -专利权人：丹阳博昱科技有限公司
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： G02B6/00 文献下载
摘要：一种用掩模板制作大版导光片的方法，其特征在于：采用含有多个区域的掩模板，并通过掩模板对涂布于大版导光片基片上的可光聚合材料混合物进行选择性的聚合，在大版导光片基片上形成凸起或凹陷的微结构，构成大版导光片大版导光片包含多个单元导光片，通过对大版导光片的分割，得到用于LCD背光源和LED照明组件的多个分立单元导光片。本发明公开的方法克服了喷墨打印，射出成型、激光蚀刻等技术的限制，并显著地提高了高性能薄型化导光片的生产速度。
一种模板制作大版导光片方法

[发明专利]制备光掩模坯料的方法、光掩模坯料，制备光掩模的方法、光掩模和金属铬靶-CN201810125208.4有效
发明人：稻月判臣;笹本纮平;由利勉 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及制备光掩模坯料的方法、光掩模坯料，制备光掩模的方法、光掩模和金属铬靶。具体涉及一种用于制备包含透明衬底和与其邻接的含铬膜的光掩模坯料的方法，包括通过溅射具有至多1ppm的Ag含量的金属铬靶来沉积含铬膜的步骤。当从光掩模坯料制备的光掩模在图案化曝光中被重复用于ArF准分子激光照射时，在光掩模上形成的缺陷数量被最小化。
制备光掩模坯料方法金属

[发明专利]反射型掩模体的缺陷检测方法及缺陷检测系统-CN202210647965.4在审
发明人：季明华;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明提供了一种反射型掩模体的缺陷检测方法及缺陷检测系统。该缺陷检测方法中，通过采集来自掩模体的反射光以得到对应的光强度分布，进而可根据光强度分布分析并揭示出掩模体内的缺陷信息。该缺陷检测方法是基于光学检测过程而能够快速且无损的实现对掩模体的缺陷检测。
反射型掩模体缺陷检测方法系统

[发明专利]用于制造大面积显示器用精细金属掩模的多个光掩模对准装置及对准方法-CN202280009076.3在审
发明人：柳明勋;金宰范;韩德基 -专利权人：丰元精密株式会社
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造大面积显示器用精细金属掩模的多个光掩模对准装置及对准方法，更详细地提供一种用于制造大面积显示器用精细金属掩模的多个光掩模对准装置，其特征在于，包括：光掩模安装支架；光掩模吸附部，形成在所述光掩模安装支架的边缘上；对准基准部，形成有至少两个对准基准点，所述对准基准点位于与对准标记重叠的位置；以及摄像装置，安装在能够拍摄所述对准基准部与对准标记的重叠状态的位置，所述对准基准点中的至少一个与形成在多个光掩模中的第一光掩模上的对准标记重叠，并且剩余的对准基准点与形成在第二光掩模上的对准标记重叠，所述第二光掩模与所述第一光掩模相邻地对准。
用于制造大面积显示器用精细金属多个光掩模对准装置方法

[发明专利]曝光装置-CN01101347.8无效
发明人：二階堂胜;石野智明;田所彻也 -专利权人：东芝株式会社
申请日： 2001-01-10 - 公布日： 2001-08-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种曝光装置,具有掩模支承部,该掩模支承部支承已形成曝光图形的光掩模,使之在与被曝光物接触的曝光位置和离开被曝光物的离开位置之间移动。设有曝光光源,该曝光光源在光掩模移至曝光位置的状态下,穿过光掩模而对被曝光物曝光。净化气体供给器在光掩模移至离开位置时由第1供给部向被曝光物和光掩模之间提供净化气体以防止异物进入,在光掩模移至曝光位置时,由第2供给部向光掩模的外侧面提供净化气体以使光掩模冷却。
曝光装置

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