专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果3180334个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]固持器、清洁掩模的方法以及开关固持器的装置-CN201780081883.5有效
  • 杰士·克鲁伯格;亚当·贝沙;伍威·戴兹 - 休斯微科光罩仪器股份有限公司
  • 2017-11-16 - 2021-08-31 - G03F7/20
  • 本发明涉及一种固持或保护掩模或是具有防尘薄膜的掩模的侧边免受清洁媒介影响的固持器、清洁此类掩模的方法以及开关固持器的装置。固持器具有:基座,具有至少三个支撑组件,设置在距离基座的底部一距离处,以固持及保持所述掩模或具有防尘薄膜的掩模,且具有具上部侧与下部侧的密封框,其中下部侧可安放于基座上,且其中密封框具有中心开口,其经设定大小使得中心开口可以间隔的方式容纳掩模周围弹性密封组件设置于密封框上,以与密封框的上部侧呈角度从中心开口的内周围延伸至中心开口,其中,在空载状态下,密封组件具有小于掩模的外周围的内周围,且在负载状态下,密封组件周向性地在侧边缘处接触容纳于中心开口中的掩模
  • 固持器清洁光掩模方法以及开关装置
  • [发明专利]使用双重图案化技术在副轴上形成CMOS栅极的方法-CN201410764481.3有效
  • 格雷戈里·查尔斯·鲍德温;斯科特·威廉·耶森 - 德州仪器公司
  • 2014-12-11 - 2019-07-19 - H01L21/28
  • 通过经由包含核心晶体管栅极及加大的I/O晶体管栅极的栅极图案掩模暴露栅极蚀刻掩模层堆叠而形成含有核心晶体管及垂直于所述核心晶体管定向的I/O晶体管的集成电路。由所述栅极图案掩模界定核心晶体管栅极长度。第一栅极硬掩模蚀刻过程移除经暴露区域中的所述栅极硬掩模层。所述过程继续经由栅极修整掩模暴露栅极修整掩模层堆叠。由所述栅极修整掩模界定I/O栅极长度。第二栅极硬掩模蚀刻过程移除经暴露区域中的所述栅极硬掩模层。栅极蚀刻操作移除由所述栅极硬掩模层暴露的多晶硅以形成所述核心晶体管及所述I/O晶体管的栅极。所述集成电路还可包含平行于所述核心晶体管定向的具有由所述栅极图案掩模界定的栅极长度的I/O晶体管。
  • 使用双重图案技术副轴上形成cmos栅极方法
  • [发明专利]掩模的保管箱-CN201911070920.X有效
  • 李铉万 - 全球株式会社
  • 2019-11-05 - 2021-08-13 - B65D25/10
  • 本发明涉及掩模的保管箱,具体地说,涉及掩模的保管箱,其包括:下框,其内部具有用于放置掩模的支撑部;上框,其与下框连接;以及,固定部,其设置在下框的内侧边缘且用于固定被放置在下框的支撑部的掩模;其中,固定部是在本体上利用螺栓部件将旋转罩部件向前后移动,此时压入到旋转罩部件的加压固定部件是在不旋转的状态前进,从而防止掩模微粒的产生,并且在加压固定部件的前面形成曲面部,从而防止因加压固定部件的表面而在掩模产生微粒
  • 光掩模保管箱

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top