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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]精细掩模及使用精细掩模形成掩模图案的方法-CN200810211058.5无效
发明人：李峻硕 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-08-20 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：在半导体技术中，本发明公开一种用于半导体的精细掩模及使用该精细掩模形成掩模图案的方法。为了在形成半导体晶片图案中提高线宽分辨率和光学分辨率的精确性，精细掩模包括第一掩模和第二掩模。第一掩模包括第一掩模原始板、在第一掩模原始板上形成的第一光阻挡垫图案、在第一光阻挡垫图案上形成的包括多个第一透光区的第一主图案，以及在第一透光区之间和第一掩模原始板最外部的包括多个相移区的第一子图案。第二掩模包括第二掩模原始板、在第二掩模原始板上形成的第二光阻挡垫图案、在第二光阻挡垫图案上形成的包括多个第二透光区的第二主图案，以及在第二透光区之间的包括多个相移区的第二子图案。
精细使用形成图案方法

[实用新型]胶片曝光装置-CN201220408290.X有效
发明人：金尾正康;佐藤敬行;冨塚吉博 -专利权人：株式会社V技术
申请日： 2012-08-17 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种胶片曝光装置，向胶片状的被曝光体上曝光掩模图形，通过抑制曝光面上产生的褶皱，而在曝光面上形成高精度的图形。确保用于配置对准摄像机的空间。胶片曝光装置(1)包括：胶片运送部(2)；光掩模(3)；掩模保持部(4)，将光掩模(3)保持在被曝光体F的曝光面a上；以及光照射部(5(5A、5B))，向光掩模(3)的掩模图形照射光。光掩模(3)具有沿被曝光体F的运送方向配置的第1掩模图形(31)和第2掩模图形(32)。胶片运送部(2)具有与第1掩模图形(31)和第2掩模图形(32)的位置对应而配置的一对支承辊(21、22)，用一对支承辊(21、22)支持曝光第1掩模图形(31)和第2掩模图形(32)的曝光面a的相反一侧的面
胶片曝光装置

[发明专利]光掩模、制造光掩模的方法与使用光掩模制造半导体结构的方法-CN202010249419.6在审
发明人：刘子汉;温志伟;林重宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明实施例涉及光掩模、制造光掩模的方法与使用光掩模制造半导体结构的方法。本发明实施例涉及一种光掩模，其包含：前侧，其具有图案化层；后侧，其与所述前侧相对；侧壁，其连接所述前侧与所述后侧；反射层，其在所述前侧与所述后侧之间；及聚合物层，其在所述光掩模的所述后侧上。
光掩模制造方法使用半导体结构

[发明专利]制作光掩模版及图形化的方法-CN200710094459.2有效
发明人：刘庆炜 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：一种制作光掩模版的方法，包括：测量光掩模版的厚度；将厚度代入高斯函数进行计算，得到厚度系数；用厚度系数补偿光掩模版效应后，进行光学近距修正；将修正后的布局图形转移至光掩模版上，形成掩模版图形。
制作模版图形方法

[发明专利]用两种状态的掩模提高分辨率的光刻方法和结构-CN201410441988.5有效
发明人：卢彦丞;游信胜;严涛南 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：光刻系统中的光刻工艺包括加载掩模，该掩模包括限定集成电路(IC)图案的两种掩模状态。IC图案包括多个主要多边形，其中，将相邻的主要多边形分配至不同的掩模状态；以及背景，包括两种掩模状态中的一种中的场和两种掩模状态中的另一种中的多个亚分辨率多边形。该光刻工艺还包括配置照明器以在光刻系统的照明光瞳面上产生照明图案；利用根据照明图案确定的过滤图案在光刻系统的投影光瞳面上配置光瞳滤波器；以及利用照明器、掩模、和光瞳滤波器对靶实施曝光工艺。曝光工艺在掩模后面产生衍射光和非衍射光并且光瞳滤波器去除大部分的非衍射光。本发明还涉及用两种状态的掩模提高分辨率的光刻方法和结构。
用两种状态提高分辨率光刻方法结构

[发明专利]光掩模坯料、制造光掩模的方法和光掩模-CN201910460886.0在审
发明人：稻月判臣;笹本纮平 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供一种光掩模坯料、制造光掩模的方法和光掩模。具体提供一种光掩模坯料，其在基板上包括加工膜和由含铬材料制成的膜，所述由含铬材料制成的膜形成为与加工膜接触并具有第一、第二和第三层的三层结构，所述第一、第二和第三层的每个层都含铬、氧和氮，其中第一层的铬含量为
第三层光掩模坯料含铬材料光掩模三层结构第一层膜接触膜形成含铬基板加工制造

[发明专利]光掩模坯料、光掩模的制造方法以及光掩模-CN202011339150.7在审
发明人：松桥直树 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：发明涉及的光掩模板包括：基板；被加工膜；以及由含有铬的材料构成的膜，该膜从远离基板的一侧起具有第1层、第2层、第3层以及第4层。
光掩模坯料制造方法以及

[发明专利]光掩模坯、光掩模的制造方法和光掩模-CN202080039879.4在审
发明人：松桥直树;笹本纮平 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供光掩模坯，其中，抗蚀剂膜相对于含有铬的膜的密合性高，在辅助光掩模的主要图案的分辨率的、线图案的辅助图案的形成中能够实现良好的分辨率极限、良好的CD线性度。光掩模坯(511)在基板上包括被加工膜(21)；从与基板分离的一侧起，包括第1层(311)、第2层(312)和第3层(313)，第1层(311)含有氧和氮，铬含有率为40原子％以下，氧含有率为50原子％
光掩模坯光掩模制造方法

[发明专利]光掩模坯料、光掩模的制造方法及光掩模-CN202211414873.8在审
发明人：松桥直树 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明的光掩模坯料具有基板以及由含铬材料构成的多层膜。所述多层膜从远离所述基板的一侧开始具有第一层、第二层及第三层。
光掩模坯料制造方法

[发明专利]光掩模坯料、光掩模的制造方法及光掩模-CN202210348350.1在审
发明人：松桥直树;寺岛隆世 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供一种光掩模坯料，其含铬膜的表层粗糙度良好，能够检测出50nm的缺陷，电阻值小，能够吸附异物，且能够读取条形码图案。所述光掩模坯料具备基板与含铬膜，该含铬膜从远离基板的一侧起具有第一层、第二层及第三层，这些层均含铬，第一层进一步含有氧及氮，Cr为44原子％以下、O为30原子％以上、N为26原子％以下，且厚度为8～20nm
光掩模坯料制造方法

[发明专利]光掩模坯、光掩模以及光掩模制造方法-CN201010298454.3有效
发明人：谷典明;中村久三;清田淳也;铃木寿弘;三村寿文 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明提供一种不附着颗粒的光掩模及其制造方法。由残留有遮光层(14)的部分形成遮光区域，得到光掩模。将各层(11)～(14)全部形成之后，进行使用了刻蚀液的刻蚀，所以，不存在颗粒的附着。
光掩模坯光掩模以及制造方法

[发明专利]光掩模坯料、光掩模及光掩模的制造方法-CN200910203985.7有效
发明人：野泽顺 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种在透明基板上具有至少由两层组成的遮光膜的光掩模坯料，所述遮光膜是以含有低于62at％的氮的氮化钽作为主要成分的材料，并且具有：由用不含氧的氯系气体能够进行干蚀刻的材料形成的遮光层；以及形成于该遮光层的上面的
光掩模坯料制造方法

[发明专利]光掩模坯料、光掩模及光掩模的制造方法-CN201880021110.2有效
发明人：坂本好史;小岛洋介;长友达也 -专利权人：凸版光掩模有限公司
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种具有良好的晶圆转印特性和耐照射性的光掩模坯料和光掩模。光掩模坯料(200)是为了制作曝光波长193nm的光掩模所使用的光掩模坯料(200)，所述光掩模坯料(200)具备：透光性基板(103)；形成在该透光性基板(103)上且带来相移效应的相移膜(102)，
光掩模坯料制造方法

[发明专利]光掩模材料、光掩模及光掩模的制造方法-CN200910007992.X无效
发明人：长濑博幸 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2009-03-06 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种光掩模材料、光掩模及光掩模的制造方法。本发明提供一种在透明基材上具有含有遮光材料、由通式(1)表示的增感色素、能够生成自由基、酸或碱的引发剂化合物和利用自由基、酸或碱的至少任意一种反应的聚合性化合物的感光性层的光掩模材料，光掩模，以及光掩模的制造方法在该光掩模的制造方法中，包括使用在全部质量中含有1质量％以上、10质量％以下从阴离子表面活性剂及非离子表面活性剂构成的组中选择的至少一种表面活性剂且pH为8～13的显影液，对利用近紫外光或可见光进行图像形状的曝光后的光掩模材料进行显影
光掩模材料制造方法

[发明专利]曝光装置-CN200680032915.4有效
发明人：梶山康一;渡边由雄 -专利权人：株式会社Ⅴ技术
申请日： 2006-08-29 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明具有：台架13，其将滤色基板11装载在上表面13a上；掩模台架6，其配设在所述台架13的上方，而且能够平行于该台架13的上表面地保持长方形光掩模5；光源2，其向保持在所述掩模台架6的所述光掩模5照射曝光光；而且，将从所述光源2放射的曝光光通过所述光掩模5，照射到所述滤色基板11上，从而在规定位置形成规定曝光图案的曝光装置；并且，在所述光源2和掩模台架6之间的光路上配设有柱面透镜14，该柱面透镜14根据长方形光掩模由此，提高照射到长方形光掩模的曝光光的利用效率。
曝光装置

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