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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810054537.4有效
发明人： 金宰范;金岁玲;林俊亨;金兑相 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10K59/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括基底基板。第一薄膜晶体管被布置在基底基板上。第一薄膜晶体管包括第一输入电极、第一输出电极、布置在第一绝缘层下方的第一半导体图案和布置在第一绝缘层上且第二绝缘层下方的第一控制电极。第二薄膜晶体管包括第二输入电极、第二输出电极、布置在第二绝缘层上的第二半导体图案和布置在绝缘图案上的第二控制电极，绝缘图案被形成在第二半导体图案上并且暴露第二半导体图案的一部分。第一半导体图案包括晶体半导体。第二半导体图案包括氧化物半导体。第一半导体图案、第一控制电极、第二半导体图案和第二控制电极重叠。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]用于制造大面积显示器用精细金属掩模的多个光掩模对准装置及对准方法-CN202280009075.9在审
发明人：柳明勋;金宰范;韩德基 -专利权人：丰元精密株式会社
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10K71/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造大面积显示器用精细金属掩模的多个光掩模对准装置及对准方法，更详细地，提供一种用于制造大面积显示器用精细金属掩模的多个光掩模对准装置，其特征在于，包括：对准基准部，形成有至少两个对准基准点，所述对准基准点位于与对准标记重叠的位置；以及摄像装置，安装在能够拍摄所述对准基准部与对准标记的重叠状态的位置，其中，所述对准基准点中的至少一个与形成在多个光掩模中的第一光掩模上的对准标记重叠，并且剩余的对准基准点与形成在第二光掩模上的对准标记重叠，所述第二光掩模与所述第一光掩模相邻地对准。
用于制造大面积显示器用精细金属多个光掩模对准装置方法

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN201710778238.0有效
发明人： 金宰范;金亿洙;孙暻锡;林俊亨;林志勋 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供一种显示装置及其制造方法，所述显示装置包括基体基底、第一晶体管、第二晶体管、有机发光二极管和电连接到第一晶体管的电容器。第一晶体管包括位于第一层间绝缘层下方的第一半导体图案和位于第一层间绝缘层上方并位于第二层间绝缘层下方的第一控制电极。第二晶体管包括位于第一层间绝缘层上方并位于第二层间绝缘层下方的第二控制电极。第二半导体图案位于第二层间绝缘层上方。
显示装置及其制造方法

[发明专利]大面积显示器用精细金属掩模及其制造方法-CN202180089361.6在审
发明人：柳明勋;金宰范;韩德基 -专利权人：丰元精密株式会社
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H10K71/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于大面积显示器的精细金属掩模及其制造方法，更具体而言，上述精细金属掩模包括形成有用于沉积光学元件的通孔图案的有效部以及形成在上述有效部的两端以在光学元件的沉积过程中用作支撑体的夹持部，上述精细金属掩模的制造方法包括：在用于制造精细金属掩模的金属面板的一个区域上涂覆光致抗蚀剂的步骤；在涂覆有上述光致抗蚀剂的金属面板上堆叠形成有图案的光掩模的步骤；对堆叠有上述光掩模的光致抗蚀剂区域中的中心部区域进行曝光的步骤；及通过激光加工成型从上述中心部区域向两端部延伸的区域的步骤；上述中心部区域为精细金属掩模的有效部，通过激光加工成型的两端部延伸区域为精细金属掩模的夹持部。
大面积显示器用精细金属及其制造方法

[发明专利]用于制造大面积显示器用精细金属掩模的多个光掩模对准装置及对准方法-CN202280009076.3在审
发明人：柳明勋;金宰范;韩德基 -专利权人：丰元精密株式会社
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造大面积显示器用精细金属掩模的多个光掩模对准装置及对准方法，更详细地提供一种用于制造大面积显示器用精细金属掩模的多个光掩模对准装置，其特征在于，包括：光掩模安装支架；光掩模吸附部，形成在所述光掩模安装支架的边缘上；对准基准部，形成有至少两个对准基准点，所述对准基准点位于与对准标记重叠的位置；以及摄像装置，安装在能够拍摄所述对准基准部与对准标记的重叠状态的位置，所述对准基准点中的至少一个与形成在多个光掩模中的第一光掩模上的对准标记重叠，并且剩余的对准基准点与形成在第二光掩模上的对准标记重叠，所述第二光掩模与所述第一光掩模相邻地对准。
用于制造大面积显示器用精细金属多个光掩模对准装置方法

[发明专利]显示设备及制造该显示设备的方法-CN201810619392.8有效
发明人：孙暻锡;金亿洙;金宰范;林俊亨;林志勋 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H10K59/131 文献下载
摘要：提供了一种显示设备和一种制造该显示设备的方法。所述显示设备包括：基底，其上限定有第一区域、与第一区域间隔开的第二区域和在第一区域和第二区域之间并且沿弯曲轴弯曲的弯曲区域；第一薄膜晶体管(“TFT”)和第二TFT；以及第一导电层和第二导电层。第一TFT包括：第一有源层，包括多晶硅；第一栅电极；以及第一电极，设置在与第一导电层的水平相同的水平处，第二TFT包括：第二有源层，包括氧化物半导体；第二栅电极；以及第二电极，设置在与第二导电层的水平相同的水平处。
显示设备制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710839142.0有效
发明人： 金宰范;孙暻锡;林志勋;金亿洙;林俊亨 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-09-18 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：基体基底；第一晶体管，包括均设置在基体基底上的第一半导体图案、第一控制电极、第一输入电极和第一输出电极；第二晶体管，包括第二半导体图案、第二控制电极、第二输入电极和第二输出电极；以及多个绝缘层。单个第一贯穿部分暴露第一控制电极和设置在第一控制电极的两侧处的第一半导体图案。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]显示装置-CN202210994295.3在审
发明人：金明镐;金宰范;孙暻锡;李承俊;李昇宪;林俊亨 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10K59/122 文献下载
摘要：一种显示装置包括：第一半导体层；第一导电层，设置在第一半导体层上，并且包括在平面图中与第一半导体层至少部分地重叠以构成第一晶体管的第一电容器电极；第二电容器电极，设置在第一导电层上，并且在平面图中与第一电容器电极重叠以构成第一电容器；第二半导体层，设置在第二电容器电极上，并且包括在平面图中与第二电容器电极重叠以构成第二电容器的第三电容器电极；第二导电层，设置在第二半导体层上，并且与第二半导体层至少部分地重叠；以及第三导电层，设置在第二导电层上，从而通过使第一电容器电极、第二电容器电极和第三电容器电极重叠来实现高分辨率图像。
显示装置

[实用新型]显示装置-CN202222529064.3有效
发明人：金明镐;金宰范;孙暻锡;李承俊;李昇宪;林俊亨 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10K59/123 文献下载
摘要：提供一种显示装置，包括：基底；多个第一类晶体管，设置在所述基底上并且包括构成所述多个第一类晶体管的半导体层的第一半导体层；多个第二类晶体管，设置在所述所述多个第一类晶体管上并且包括构成所述多个第二类晶体管的半导体层的第二半导体层；第一金属层，设置在所述多个第二类晶体管上；以及第二金属层，设置在所述第一金属层上，其中，所述第一金属层包括第一存储电极和第一输入电极，所述第二金属层包括第二存储电极和第二输入电极，所述第一存储电极和所述第二存储电极构成存储电容器，并且所述第一输入电极和所述第二输入电极构成输入电容器。
显示装置

[发明专利]显示装置的像素-CN202211178595.0在审
发明人： 金宰范;金明镐;孙暻锡;李承俊;李昇宪;林俊亨 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：提供了显示装置的像素。该像素包括发光元件、第一晶体管至第三晶体管、第六晶体管至第七晶体管、第九晶体管和第一电容器。第一晶体管连接在第一电力与第二节点之间，并且控制供给到发光元件的驱动电流。第一电容器包括连接到第一节点的一个电极和连接到第三节点的另一电极。第二晶体管连接在第三节点与数据线之间。第三晶体管连接在与第一晶体管的栅电极连接的第一节点与第二节点之间。第六晶体管连接在第一电力与连接到第一晶体管的一个电极的第五节点之间。第七晶体管连接在第二节点与连接到发光元件的阳极的第四节点之间。第九晶体管连接在第五节点与偏置电力之间。第六晶体管和第七晶体管以及第九晶体管的栅电极连接到相同的发射控制线。
显示装置像素

[发明专利]显示装置-CN202211167146.6在审
发明人：金明镐;金宰范;孙暻锡;李承俊;李昇宪;林俊亨 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H10K59/121 文献下载
摘要：提供一种显示装置，包括：基底；第一半导体层，设置在所述基底上并且构成多个晶体管的半导体层；第二半导体层，设置在所述第一半导体层上并且构成多个晶体管的半导体层；第一数据导电层，设置在所述第二半导体层上；第一金属层，设置在所述第一数据导电层上；以及第二金属层，设置在所述第一金属层上，其中，所述第一金属层包括第一存储电极和第一输入电极，所述第二金属层包括第二存储电极和第二输入电极，所述第一存储电极和所述第二存储电极构成存储电容器，并且所述第一输入电极和所述第二输入电极构成输入电容器。
显示装置

[发明专利]晶体管和具有该晶体管的显示装置-CN201710817570.3有效
发明人：林志勋;金宰范;朴晙皙;孙暻锡;林俊亨 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-09-12 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供了一种晶体管和一种具有该晶体管的显示装置。所述晶体管包括：半导体层，包括沟道部、第一接触部和第二接触部；栅电极，面对浮置栅极；浮置栅极，设置在半导体层和栅电极之间浮置栅极与半导体层和栅电极绝缘。浮置栅极包括氧化物半导体。
晶体管具有显示装置

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及相关制造方法-CN201710790406.8有效
发明人：朴晙皙;林志勋;金宰范;林俊亨;孙暻锡 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-09-05 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供了一种薄膜晶体管阵列面板和相关制造方法。所述薄膜晶体管阵列面板包括晶体管，所述晶体管可以包括半导体、源电极、漏电极和栅电极。半导体可以包括第一掺杂区、第二掺杂区、源区、漏区和沟道区。沟道区设置在源区与漏区之间。第一掺杂区设置在沟道区与源区之间。第二掺杂区设置在沟道区与漏区之间。第一掺杂区的掺杂浓度低于源区的掺杂浓度。第二掺杂区的掺杂浓度低于漏区的掺杂浓度。源电极电连接到源区。漏电极电连接到漏区。栅电极与沟道区叠置。
薄膜晶体管阵列面板相关制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及相关制造方法-CN202210555540.0在审
发明人：朴晙皙;林志勋;金宰范;林俊亨;孙暻锡 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-09-05 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供了一种薄膜晶体管阵列面板和相关制造方法。所述薄膜晶体管阵列面板包括晶体管，所述晶体管可以包括半导体、源电极、漏电极和栅电极。半导体可以包括第一掺杂区、第二掺杂区、源区、漏区和沟道区。沟道区设置在源区与漏区之间。第一掺杂区设置在沟道区与源区之间。第二掺杂区设置在沟道区与漏区之间。第一掺杂区的掺杂浓度低于源区的掺杂浓度。第二掺杂区的掺杂浓度低于漏区的掺杂浓度。源电极电连接到源区。漏电极电连接到漏区。栅电极与沟道区叠置。
薄膜晶体管阵列面板相关制造方法

[发明专利]显示装置和制造显示装置的方法-CN202111203920.X在审
发明人： 金宰范;金明镐;金连洪;孙暻锡;李承俊;李昇宪;林俊亨 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：公开了显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括衬底、第一薄膜晶体管、第一绝缘层、第二薄膜晶体管、第二绝缘层、中间绝缘层、导电图案和显示元件，衬底包括显示区域和包括透射区域的部件区域，第一薄膜晶体管包括第一半导体层和第一栅电极，第一半导体层包括硅半导体，第一绝缘层覆盖第一栅电极，第二薄膜晶体管包括排列在第一绝缘层上的第二半导体层和第二栅电极，第二半导体层包括氧化物半导体，第二绝缘层覆盖第二栅电极并且具有与透射区域重叠的透射孔，中间绝缘层位于第一绝缘层与第二绝缘层之间，导电图案位于中间绝缘层与第一绝缘层之间，显示元件排列在第二绝缘层上，其中，透射孔暴露中间绝缘层的上表面。
显示装置制造方法

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