专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]具有反光识别区的掩模夹具-CN202020592068.4有效
  • 王国荃 - 上海凸版光掩模有限公司
  • 2020-04-20 - 2020-10-16 - G03F7/20
  • 本实用新型提供一种具有反光识别区的掩模夹具,用于掩模工作台,所述掩模工作台上方具有反光识别探测器,所述掩模夹具包括:夹具框体;掩模窗口,位于所述夹具框体中;以及反光识别区,位于所述夹具框体上,本实用新型在夹具框体上设置具有高反光率的反光识别区,使得不再需要整个掩模夹具的材质都具有高反射率,可以使用价格较低的金属替代原来昂贵的高反射金属材质,仅需在反光识别区设置高反射材料即可,从而大大降低了掩模夹具的材料成本及制造成本
  • 具有反光识别光掩模夹具
  • [发明专利]微晶图制作过程-CN03122478.4有效
  • 陈孟伟;杨大弘;张庆裕 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2003-04-28 - 2004-11-03 - H01L21/027
  • 一种微晶图制作过程,其首先在一基底的上方形成一阻层。之后,在阻层的上方设置第一掩模,该第一掩模上具有一高密度图案。之后,进行第一曝光步骤,以将该第一掩模上的高密度图案转移至阻层,其中第一曝光步骤的曝光能量为E1。之后,再于阻层的上方设置第二掩模,该第二掩模上具有一低密度图案。随后,进行第二曝光步骤,以将该第二掩模上的低密度图案转移至阻层,其中第二曝光步骤的曝光能量为E2,且E2大于E1。最后,进行显影步骤,以图案化阻层。
  • 微晶图制作过程
  • [发明专利]掩模检查装置-CN202310205204.8在审
  • 岸本良 - 株式会社斯库林集团
  • 2023-03-06 - 2023-09-22 - G03F1/84
  • 本发明提供一种能够以更高的检测精度对光掩模进行检测的可靠性高的掩模检查装置。掩模检查装置包括:保持部、第一光源、第二光源、混合部、照明光学系统、成像光学系统、图像传感器、以及运算处理部。保持部保持掩模。第一光源包括射出第一的单一的第一半导体发光元件。第二光源包括射出第二的单一的第二半导体发光元件。混合部将第一及第二混合。照明光学系统将引导到掩模。图像传感器接收通过成像光学系统而入射的,并生成拍摄图像。运算处理部基于拍摄图像来进行掩模的检查。
  • 光掩模检查装置
  • [发明专利]一种实现精准套刻的工艺方法-CN202010102702.6有效
  • 朱继光 - 联合微电子中心有限责任公司
  • 2020-02-19 - 2022-06-24 - G03F9/00
  • 本发明提供了一种实现精准套刻的工艺方法,该工艺方法包括:将需要精确套刻的至少两层掩模进行逻辑运算,生成包含第一层和第二层所需图形的合集掩模、第一层扩展掩模和第二层扩展掩模;提供目标介质层及覆盖其上的硬掩模层,利用半导体光刻工艺先将合集掩模的图形传导到所述硬掩模层上,形成硬掩模图形,再依次将第一层扩展掩模和第二层扩展掩模的图形传导到所述目标介质层上,形成第一层图形和与之零套刻精度的第二层图形。
  • 一种实现精准工艺方法
  • [发明专利]清洁掩模板的装置及方法-CN201310625617.8在审
  • 毛智彪 - 上海华力微电子有限公司
  • 2013-11-28 - 2014-03-19 - G03F1/82
  • 本发明涉及半导体制造装备技术领域,尤其是一种清洁掩模板的装置以及清洁方法。该装置包括具有排气口的腔体;位于所述腔体内的用于固定待清洁掩模板的平台;能够平行于掩模板表面移动的喷管,所述喷管具有沿着其长度延伸方向平行布置的第一组喷嘴与第二组喷嘴,所述第一组喷嘴与气溶剂的产生装置连接本发明在有效去除掩模板表面的微尘和沾污的同时,高效地去除了掩模板表面的静电,避免了静电释放对光掩模板的损伤,提高了去除掩模板表面微尘和沾污的效率,可以有效地延长掩模在生产中的使用寿命。
  • 清洁模板装置方法
  • [发明专利]一种4K光刻的方法-CN202110571029.5在审
  • 严振中;吴阳 - 赫智科技(苏州)有限公司
  • 2021-05-25 - 2022-11-25 - G03F7/20
  • 本发明涉及一种4K光刻的方法,包括以下步骤:步骤1:将紫外光和指引进行准直处理;步骤2:通过二向色镜后进行合束;步骤3:通过匀透镜组出来的光是均匀的发散光;步骤4:通过第一分片;步骤5:在步骤4基础上,通过第一掩模板反射回来的将带着第一掩模板上面的信息,接着再通过第一分片和第二分片反射到第二掩模板上,使第一掩模板的信息与第二掩模板的信息形成错位重合;步骤6:将重合的第二掩模板与第一掩模板所携带的信息,经透射通过第二分片、第三分片与照明光实现合束后通过第四分片实现了图形的转移,最后,由相机成像观测。
  • 一种光刻方法

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