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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]校正半导体光刻的光掩模的临界尺寸均匀性的方法-CN201811129008.2有效
发明人： T.塞勒;J.韦尔特;K.戈哈德;V.德米蒂耶夫;U.布特格雷特;T.谢鲁布尔;Y.尤瓦尔佩列茨 -专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司;卡尔蔡司SMS有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明涉及校正半导体光刻的光掩模(2)的临界尺寸均匀性(CDU)的方法，包括以下步骤：‑确定转换系数作为校准参数，‑通过写入像素场(5)校正所述光掩模(2)，‑验证因此校正的光掩模(2)，其特征在于，转换系数用于验证校正的光掩模
校正半导体光刻光掩模临界尺寸均匀方法

[发明专利]光掩模坯料的设计和光掩模坯料-CN202010110602.8有效
发明人：笹本纮平;金子英雄;稻月判臣;深谷创一 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：提供设计包含透明基材和其上的光学膜的光掩模坯料的方法。所述光掩模坯料被加工成具有光学膜图案的透射性光掩模使得在通过光掩模透射曝光光时可转印该膜图案。
光掩模坯料设计

[发明专利]一种超高阶的灰度光刻方法及其设备-CN202110572433.4在审
发明人：严振中;吴阳 -专利权人：赫智科技(苏州)有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种超高阶的灰度光刻方法及其设备，包括以下步骤：步骤1：将紫外光和指引光分别通过第一准直透镜模组和第二准直透镜模；步骤2：通过二向色镜后进行合束；步骤3：通过第三准直透镜组；步骤4：通过第一分光片，将一部分光透射到第一光掩模板上；步骤5：通过第一光掩模板反射回来的光将带着第一光掩模板上面的信息，接着再通过第一分光片和第二分光片反射到第二光掩模板上；步骤6：第二光掩模板与第一光掩模板所携带的信息，经透射通过第二分光片，再通过第三分光片与照明光实现合束；步骤7：通过第四分光片，光束打到样品上，照射出光掩模板上面的信息，实现了图形的转移。
一种超高灰度光刻方法及其设备

[发明专利]光掩模坯料、光掩模、光掩模的制造方法和显示装置的制造方法-CN202211150078.2在审
发明人：田边胜;浅川敬司;中村仁美;安森顺一 -专利权人：豪雅株式会社
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：[课题]提供一种具有高的抗静电击穿特性、并且与以往相比能够降低负载效应等的光掩模坯料、光掩模、光掩模的制造方法和显示装置的制造方法。[解决手段]例如FPD制造用的光掩模坯料的特征在于，其具有透明基板和该透明基板上的遮光膜，遮光膜含有钛(Ti)和硅(Si)，遮光膜的薄层电阻值为40Ω/sq以上。由此，与现有的光掩模坯料相比能够改善抗静电击穿特性，并且能够降低负载效应。
光掩模坯料制造方法显示装置

[发明专利]光掩模坯料-CN201410738666.7有效
发明人：笹本纮平;稻月判臣;深谷创一;中川秀夫;金子英雄 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：本发明提供了光掩模坯料，具体地提供了包含透明衬底和在透明衬底上沉积的含铬膜的光掩模坯料。该含铬膜包含至少一个CrC化合物层，其包含最高至50原子％Cr、至少25原子％O和/或N之和、和至少5原子％C。由该坯料制备具有在衬底上形成的光掩模图案的光掩模，该光掩模用于使用具有最高至250nm波长的曝光光形成具有最高至0.1μm线宽的抗蚀剂图案的光刻法。
光掩模坯料

[发明专利]组装薄胶膜于光掩模上的方法、设备及其组装体-CN201010001427.5有效
发明人：林锦鸿;陈志成;何铭涛 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-01-06 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种组装薄胶膜于光掩模上的方法、设备及其组装体。在该设备中，一腔体具有至少一端口，以将该腔体填充一气氛的极度洁净干空气(XCDA)或一惰性气体。一薄胶膜组装器设置于该腔体中。一真空紫外光(VUV)光源，当该腔体填充该极度洁净干空气或该惰性气体时，用以照射一光掩模固定于该薄胶膜组装器。在该方法中，以真空紫外光照射光掩模于一气氛的极度洁净干空气或惰性气体，以及当光掩模于该气氛的极度洁净干空气或惰性气体的环境且曝露在真空紫外光中，组装一薄胶膜于该光掩模上。本发明可降低或消除光掩模模糊，并且可降低晶片低良率的风险。光掩模在模糊污染物产生之前的耐久性也得以延长，还可降低工艺费用。
组装胶膜光掩模上方法设备及其

[发明专利]用于形成精细图案的光掩模及使用该光掩模形成精细图案的方法-CN201010610214.2有效
发明人：李健雨;郭尚圭;李昌淳 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2010-12-17 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明提供一种具有主图案和包含在主图案中的辅图案的光掩模。该光掩模使得甚至用具有相对较大尺寸的光掩模也可容易地形成精细图案。
用于形成精细图案光掩模使用方法

[发明专利]掩模-CN200510093170.X有效
发明人：金雄权;赵兴烈 -专利权人： LG.飞利浦LCD有限公司
申请日： 2003-04-16 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：一种掩模，包括：透明掩模基板；在透明掩模基板上形成的用于截断入射光的屏蔽部分；和在掩模基板上形成的至少两个部分曝光部分，每个具有不同的光透射率。
掩模

[发明专利]光掩模结构和光刻设备-CN202110342840.6在审
发明人：王保光;马芳 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种光掩模结构和一种光刻设备。所述光掩模结构包括掩模版和防尘膜框架，所述掩模版包括芯片图案区域和位于芯片图案区域周围的边缘区域，所述边缘区域内设置有透光结构；所述防尘膜框架设置在所述掩模版的背面，所述防尘膜框架在掩模版背面的正投影位于边缘区域内，且所述透光结构设置于防尘膜框架在掩模版背面的正投影的范围内。利用所述光掩模结构进行曝光时，曝光光线周围的散射光在透过透光结构后被防尘膜框架阻挡而难以传递到基片表面，可以降低在基片表面产生非必要图像的风险，有助于提高曝光质量及生产良率。所述光刻设备利用上述光掩模结构进行曝光。
光掩模结构光刻设备

[发明专利]晶化设备、用于晶化设备的光学部件、晶化方法、薄膜晶体管和显示器-CN03147124.2无效
发明人：谷口幸夫;松村正清;山口弘高;西谷干彦;辻川晋;木村嘉伸;十文字正之 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2003-06-27 - 公布日： 2004-02-18 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：一种晶化设备，包括照射移相掩模(1)的发光光学系统(2)，其用具有反转峰型强度分布的光束照射非晶半导体膜(4)以产生结晶半导体膜，反转峰型强度分布在相应于移相掩模(1)的移相部分的点具有最小的光强。会聚/发散元件(3)设置在发光光学系统(2)和移相掩模(1)之间的光径上。会聚/发散元件(3)把自发光光学系统(2)提供的光束转换为具有向上凹入强度分布的光束以照射移相掩模(1)，其中在移相部分光强最低并且随着远离移相部分光强增加。
设备用于光学部件方法薄膜晶体管显示器

[发明专利]光掩模及其制造方法-CN95107777.5无效
发明人：长谷川升雄;寺泽恒男;福田宏;早野胜也;今井彰;茂庭明美;冈崎信次 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1995-06-28 - 公布日： 2003-05-28 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种光掩模，该光掩模可防止用投影曝光装置进行掩模图形复制时因所用掩模的析像不良所引起的成品率的降低，或防止产生不需要的投影像，且该光掩模在由半透明膜和相移器构成的半透明区域中设有由透明区域构成的主图形，通过各个区域的光的相位差实质上为180°。在此光掩模的主图形的周围配置透射光的相位差与主图形同相且透明的辅助图形。其中心线与主图形中心的距离D满足D＝bλ/NAm的关系。b的取值范围为1.35＜b≤1.9。
光掩模及其制造方法

[发明专利]光掩模及其制造方法-CN02149933.0无效
发明人：长谷川升雄;寺泽恒男;福田宏;早野胜也;今井彰;茂庭明美;冈崎信次 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1995-06-28 - 公布日： 2003-06-11 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种光掩模,该光掩模可防止用投影曝光装置进行掩模图形复制时因所用掩模的析像不良所引起的成品率的降低,或防止产生不需要的投影像,且该光掩模在由半透明膜和相移器构成的半透明区域中设有由透明区域构成的主图形,通过各个区域的光的相位差实质上为180°。在此光掩模的主图形的周围配置透射光的相位差与主图形同相且透明的辅助图形。其中心线与主图形中心的距离D满足D＝bλ/NAm的关系。b的取值范围为1.35＜b≤1.9。
光掩模及其制造方法

[发明专利]光掩模盒及其耐磨件-CN202010291475.6在审
发明人：邱铭乾;盛剑平 -专利权人：家登精密工业股份有限公司
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： G03F1/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种光掩模盒及其耐磨件，特别是一种具有耐磨件的光掩模盒。其中，该光掩模盒为一种大尺寸光掩模盒且为直立式，用以容置光掩模，主要包括一上盖体与一盒体，该盒体用以与该上盖体组合，形成一内部空间可容纳一光掩模。该盒体外设置有一导位块，该导位块可以协助导正盒体与上盖体的相对位置，该盒体内接触直立式光掩模的接触面设置有至少一卡槽，而该卡槽上设置有至少一耐磨组。
光掩模盒及其耐磨

[发明专利]防尘薄膜组件以及安装该防尘薄膜组件的光掩模-CN201410163552.4有效
发明人：関原一敏 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： G03F1/64 文献下载
摘要：提供一种安装防尘薄膜组件后的光掩模的变形小，而且防尘薄膜组件的装卸容易，且可信性高的防尘薄膜组件以及安装该防尘薄膜组件的光掩模。本发明的防尘薄膜组件40为，由至少具有4个边的防尘薄膜组件框架10构成，在防尘薄膜组件框架10的至少4处的角部上，设置从光掩模70侧端面向设置防尘薄膜42的端面的阴螺纹11，另外，该防尘薄膜组件40的光掩模然后，此弹性体层43，在该防尘薄膜组件40被用连接部件101安装在光掩模70上的场合，被压扁,与光掩模70表面的接触宽为0.3～1.0mm的范围，由此,防尘薄膜组件40和光掩模70之间的密封性良好。
防尘薄膜组件光掩模防尘薄膜组件框架弹性体层防尘薄膜连接部件可信性密封性阴螺纹侧端角部压扁装卸变形

[发明专利]光掩模基板及制造方法、光掩模制造方法和图案转印方法-CN201210187324.1有效
发明人：池边寿美;田中敏幸 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2012-06-07 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： G03F1/60 文献下载
摘要：本发明涉及光掩模基板及其制造方法、光掩模制造方法和图案转印方法，即使是精细化的转印用图案，也能够忠实于图案设计值高精度地进行转印。该光掩模基板用于成为光掩模，该光掩模在主表面形成转印用图案，通过安装于接近式曝光装置，与曝光装置的载置台所载置的被转印体之间设置接近间隙地被曝光来进行转印，该光掩模基板通过在主表面上的1个或者多个特定区域进行除去量与特定区域外的周边区域不同的形状加工，形成凹形状、凸形状或者凹凸形状，来降低将光掩模基板安装到曝光装置时产生的接近间隙的基于位置的变动，并且形状加工使从接近间隙的基于位置的变动中提取出的曝光装置所固有的变动降低。
光掩模基板制造方法光掩模图案

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