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[发明专利]光掩模坯料的设计和光掩模坯料-CN202010110602.8有效
发明人： 笹本纮平;金子英雄;稻月判臣;深谷创一 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：提供设计包含透明基材和其上的光学膜的光掩模坯料的方法。所述光掩模坯料被加工成具有光学膜图案的透射性光掩模使得在通过光掩模透射曝光光时可转印该膜图案。使用比反射率作为指标来选择该光学膜，该比反射率等于反射率除以膜厚度。
光掩模坯料设计

[发明专利]制备光掩模坯料的方法、光掩模坯料，制备光掩模的方法、光掩模和金属铬靶-CN201810125208.4有效
发明人：稻月判臣;笹本纮平;由利勉 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及制备光掩模坯料的方法、光掩模坯料，制备光掩模的方法、光掩模和金属铬靶。具体涉及一种用于制备包含透明衬底和与其邻接的含铬膜的光掩模坯料的方法，包括通过溅射具有至多1ppm的Ag含量的金属铬靶来沉积含铬膜的步骤。当从光掩模坯料制备的光掩模在图案化曝光中被重复用于ArF准分子激光照射时，在光掩模上形成的缺陷数量被最小化。
制备光掩模坯料方法金属

[发明专利]半色调相移掩模坯和半色调相移掩模-CN201710900085.2有效
发明人：稻月判臣;高坂卓郎;笹本纮平;金子英雄 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明为半色调相移掩模坯和半色调相移掩模。提供包括透明基板和在其上的半色调相移膜的半色调相移掩模坯。所述半色调相移膜包括至少一个由硅系材料组成并且具有≤1013Ω/□的薄层电阻的层，所述硅系材料具有≤3at％的过渡金属含量，≥90at％的Si+N+O含量，30‑70at％的Si含量，30‑60at％的N+O含量，以及≤30at％的O含量。半色调相移膜在曝光于200nm以下的辐照时经历最小的图案尺寸变动劣化，并且具有耐化学品性和改进的加工性。
色调相移掩模坯

[发明专利]光掩模坯-CN202210025135.8在审
发明人： 笹本纮平;稻月判臣 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及光掩模坯，其包含透明衬底和含铬膜。所述含铬膜由一个或多个铬化合物层构成，铬化合物层由包含Cr、N和可选的O的铬化合物形成，并且具有如下组成：Cr含量≥30at％，Cr+N+O总含量≥93at％，且满足式：3Cr≤2O+3N。满足第一组成的铬化合物层的厚度在所述含铬膜的总厚度的大于70％～100％的范围内，所述第一组成是：N/Cr原子比≥0.95，Cr含量≥40at％，Cr+N总含量≥80at％，O含量≤10at％。
光掩模坯

[发明专利]光掩模坯-CN202210025028.5在审
发明人： 笹本纮平;稻月判臣 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及光掩模坯，其包含透明衬底和含铬膜。所述含铬膜由一个或多个铬化合物层构成，铬化合物层由包含Cr、N和可选的O的铬化合物形成，并且具有如下组成：Cr含量≥30at％，Cr+N+O总含量≥93at％，且满足式：3Cr≤2O+3N。满足第一组成的铬化合物层的厚度在所述含铬膜的总厚度的大于70％～100％的范围内，所述第一组成是：N/Cr原子比≥0.95，Cr含量≥40at％，Cr+N总含量≥80at％，O含量≤10at％。
光掩模坯

[发明专利]光掩模坯-CN202210025041.0在审
发明人： 笹本纮平;稻月判臣 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及光掩模坯，其包含透明衬底和含铬膜。所述含铬膜由一个铬化合物层构成，铬化合物层由包含Cr、N和可选的O的铬化合物形成，并且具有如下组成：Cr含量≥30at％，Cr+N+O总含量≥93at％，且满足式：3Cr≤2O+3N。所述第一组成是：N/Cr原子比≥0.95，Cr含量≥40at％，Cr+N总含量≥80at％，O含量≤10at％。
光掩模坯

[发明专利]光掩模坯-CN201610791249.8有效
发明人： 笹本纮平;稻月判臣 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明涉及光掩模坯，其包含透明衬底和含铬膜。所述含铬膜由一个或多个铬化合物层构成，铬化合物层由包含Cr、N和可选的O的铬化合物形成，并且具有如下组成：Cr含量≥30at％，Cr+N+O总含量≥93at％，且满足式：3Cr≤2O+3N。满足第一组成的铬化合物层的厚度在所述含铬膜的总厚度的大于70％～100％的范围内，所述第一组成是：N/Cr原子比≥0.95，Cr含量≥40at％，Cr+N总含量≥80at％，O含量≤10at％。
光掩模坯

[发明专利]光掩模坯、光掩模的制造方法和光掩模-CN202080039879.4在审
发明人：松桥直树;笹本纮平 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供光掩模坯，其中，抗蚀剂膜相对于含有铬的膜的密合性高，在辅助光掩模的主要图案的分辨率的、线图案的辅助图案的形成中能够实现良好的分辨率极限、良好的CD线性度。光掩模坯(511)在基板上包括被加工膜(21)；从与基板分离的一侧起，包括第1层(311)、第2层(312)和第3层(313)，第1层(311)含有氧和氮，铬含有率为40原子％以下，氧含有率为50原子％以上，氮含有率为10原子％以下，厚度为6nm以下，第2层(312)含有氧、氮和碳，铬含有率为40原子％以下，氧含有率为30原子％以上，氮含有率为17原子％以上，碳含有率为13原子％以下，厚度为46nm以上，第3层(313)含有氧和氮，铬含有率为50原子％以上，氧含有率为20原子％以下，氮含有率为30原子％以上。
光掩模坯光掩模制造方法

[发明专利]光掩模坯料及其制造方法-CN202110723451.8在审
发明人： 笹本纮平;金子英雄 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G03F1/68 文献下载
摘要：本发明涉及光掩模坯料及其制造方法。在包括透明基板和含有过渡金属及硅中的一者或两者的第一无机膜，以及含有过渡金属及硅中的一者或两者的任选第二无机膜的光掩模坯料中，当通过使用Bi的一次离子源和Cs的溅射离子源的TOF‑SIMS在透明基板和无机膜的厚度方向上测定二次离子强度时，在透明基板和无机膜的界面或无机膜的界面处检测的含碳二次离子强度高于分别在远离界面侧检测的含碳二次离子强度两者。
光掩模坯料及其制造方法

[发明专利]光掩模的制造方法和光掩模坯-CN202110731603.9在审
发明人： 笹本纮平 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G03F1/80 文献下载
摘要：本发明涉及光掩模的制造方法和光掩模坯。通过如下方法由光掩模坯制造光掩模，该光掩模坯包括透明基板、包含硅且不含铬的第一无机膜和包含铬且不含硅的第二无机膜，该第二无机膜与该第一无机膜接触，该方法包括如下步骤：使用抗蚀剂图案通过氟系干蚀刻形成第二无机膜的图案，以及使用第二无机膜的图案通过氟系干蚀刻形成第一无机膜的图案。
光掩模制造方法光掩模坯

[发明专利]光掩模坯料的设计和光掩模坯料-CN201510458035.4有效
发明人： 笹本纮平;金子英雄;稻月判臣;深谷创一 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：提供设计包含透明基材和其上的光学膜的光掩模坯料的方法。所述光掩模坯料被加工成具有光学膜图案的透射性光掩模使得在通过光掩模透射曝光光时可转印该膜图案。使用比反射率作为指标来选择该光学膜，该比反射率等于反射率除以膜厚度。
光掩模坯料设计

[发明专利]光掩模坯和制备光掩模的方法-CN201610597860.7有效
发明人： 笹本纮平;深谷创一;稻月判臣 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明涉及光掩模坯和制备光掩模的方法。在包括透明基材、电阻层和导电层的光掩模坯中，选择该导电层的电阻率和厚度与该电阻层的电阻率和厚度以满足特定的式(1)。在EB光刻中，能够以必要的充分低的电阻值建立接地并且能够以高精度进行EB写入。
光掩模坯制备光掩模方法

[发明专利]光掩模坯-CN201610788932.6有效
发明人： 笹本纮平 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明涉及光掩模坯，其包含透明衬底和含铬膜。所述含铬膜由包含Cr、N和可选的O的铬化合物形成，并且具有如下组成：Cr+N+O总含量≥93at％，且满足式：3Cr≤2O+3N。满足第一组成的铬化合物层的厚度在所述含铬膜的总厚度的10％～70％的范围内，所述第一组成是：N/Cr原子比≥0.95，Cr含量≥40at％，Cr+N含量≥80at％，O含量≤10at％。
光掩模坯

[发明专利]无机材料膜、光掩模坯料及光掩模的制造方法-CN201610509880.4有效
发明人：深谷创一;笹本纮平;中川秀夫 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明涉及无机材料膜、光掩模坯料及光掩模的制造方法。能够确保与以往的铬系材料膜同等的特性并且能够提高干蚀刻速度。如果是以0.1原子％以上且11.5原子％以下的浓度范围含有锡的无机材料膜，则可以避免锡局部存在而形成粒子、该粒子成为光学膜中的缺陷的问题。本发明的无机材料膜为通过溅射成膜的包含铬系材料的光掩模坯料用的无机材料膜，该无机材料膜包含具有导电性的遮光层，该遮光层含有0.1原子％以上且11.5原子％以下的锡和15原子％以下的氧。另外，氧浓度的下限例如为3原子％。另外，无机材料膜具有导电性，但利用电阻率进行评价时，优选为5000Ω/cm2以下。
无机材料光掩模坯料制造方法

[发明专利]半色调相移掩模坯和半色调相移掩模-CN201610195663.2有效
发明人： 笹本纮平;高坂卓郎;稻月判臣;金子英雄 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供半色调相移掩模坯，包括透明基板和半色调相移膜，该半色调相移膜由具有至少90at％的Si+N+O含量、30‑70at％的Si含量、30‑60at％的N+O含量和30at％以下的O含量的硅基材料组成，并且具有70nm以下的厚度。该半色调相移膜对于掩模图案加工足够薄，在曝光于亚200nm辐照时经历最小的图案尺寸变动劣化并且保持必要的相移和透射率。
色调相移掩模坯

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