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[发明专利]具有双层外延结构的Trench MOS肖特基整流器件及制造方法-CN202110460839.3在审
发明人：高耿辉;田洪光;黄福成;李晓婉;曲艳凯 -专利权人：厦门吉顺芯微电子有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提出一种具有双层外延结构的Trench MOS肖特基整流器件及制造方法，其特征在于：带有双层外延结构，其上下两层N型掺杂外延层的掺杂浓度和厚度不同。该方案在保障保证反向电压和反向漏电特性的前提下，实现了正向压降；并通过双层外延结构，由于上层外延浓度低的特点改善了反向偏置下势垒金属附近电场强度；下层外延浓度高可以降低正向导通时提电阻。
具有双层外延结构 trench mos 肖特基整流器件制造方法

[发明专利]在晶格高度失配的衬底上外延生长半导体的方法-CN00120258.8无效
发明人：王望南;尤里·G·施莱特;尤里·T·莱班尼 -专利权人：华上光电股份有限公司
申请日： 2000-07-14 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明是提供一种在高度失配的蓝宝石衬底上采用具有固-液相变的过渡层外延生长半导体的方法，目的是消除生长半导体时半导体和衬底的晶格参数之间高度失配所引起的应力。此方法包括在温度低于过渡层的熔点时在蓝宝石衬底上外延生长过渡层，和在温度高于过渡层的熔点时在保护层上外延生长厚度比保护层厚度厚的外延半导体层。其特征在于外延生长过渡层之后及在外延生长半导体层之前，在温度低于过渡层的熔点时在过渡层上外延生长具有熔点高于外延生长的半导体的生长温度的保护层。
晶格高度失配衬底外延生长半导体方法

[发明专利]一种8英寸肖特基管用硅外延片的制造方法-CN201410375368.6有效
发明人：马林宝 -专利权人：南京国盛电子有限公司
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种8英寸肖特基管用硅外延片的制造方法，其步骤为选择合适的腐蚀流量和腐蚀时间，减小腐蚀杂质在外延反应器的浓度，以减小外延生长时的自掺杂。第一层外延生长在高浓度的衬底表面生长一层纯度外延层，对衬底片表面和边缘进行包封，控制其生长温度、生长速率和外延时间，以使包封层达到理想效果，同时必须考虑低温淀积以减少自掺杂杂质的蒸汽压和固态扩散速率；选择合适的外延条件，使外延片的形变最小。第二层外延生长生长一层电阻率和厚度符合器件要求的外延层。
一种肖特基管用外延制造方法

[发明专利]5″功率MOS管用硅外延片的制造方法-CN200610039599.5有效
发明人：马林宝 -专利权人：南京国盛电子有限公司
申请日： 2006-04-17 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率VDMOS管用硅外延片的制造方法，其技术工艺在于：选择合适的气腐流量和气腐时间，减小气腐杂质在外延反应器的浓度，以减小外延生长时的自掺杂。第一层外延生长：在高浓度的衬底表面生长一层纯度外延层，对衬底片表面和边缘进行包封，控制其生长温度、生长速率和外延时间，以使包封层达到理想效果，同时必须考虑低温淀积以减少自掺杂杂质的蒸气压和固态扩散速率；选择合适的外延条件，使外延片的形变最小。第二层外延生长：生长一层电阻率和厚度符合器件要求的外延层。
功率 mos 管用外延制造方法

[发明专利]一种外延层续长方法-CN202010622415.8在审
发明人：杨国文;赵勇明;张雨;赵卫东 -专利权人：度亘激光技术(苏州)有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种外延层续长方法，所述外延层续长方法包括：将生长中断的外延片置于反应室中，通入保护气体；将所述反应室的温度升高至目标温度；通入刻蚀气体对所述外延片的生长中断层进行刻蚀；完成目标深度的刻蚀后，停止通入所述刻蚀气体；通入生长材料，继续生长目标层。本申请实现了生长中断的外延片续长，降低外延生长的报废率。
一种外延层续长方法

[发明专利]晶圆的外延生长方法及设备-CN202211562139.6在审
发明人：薛帆;王力;刘宝阳;王雄 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆的外延生长方法及设备，属于半导体制造技术领域。晶圆的外延生长方法，包括：将晶圆放置在外延生长设备的反应腔室内部的基座上；向所述反应腔室内通入硅源气体，在所述晶圆的表面生长第一外延层；判断所述第一外延层的生长是否中断；如果所述第一外延层的生长中断，在第一温度下向所述反应腔室内通入刻蚀气体，对所述晶圆表面生长的第一外延层进行刻蚀；在对所述第一外延层的刻蚀深度达到设定值后，向所述反应腔室内通入硅源气体，在所述晶圆的表面生长第二外延层。本发明的技术方案能够解决意外中断的外延晶圆的处理问题，避免资源的浪费，并提高外延晶圆的产能。
外延生长方法设备

[发明专利]一种独立供应金属卤化物的氢化物气相外延装置-CN200610165539.8无效
发明人：段瑞飞;王军喜;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-12-21 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：一种独立供应金属卤化物的氢化物气相外延装置，其中：金属卤化物供应炉外部设有加热装置，该供应炉设有通气管道；该供应炉内部放置金属镓、铟、铝、铁、镁中的一种或多种或者经过提纯的金属卤化物；该供应炉设有反应气体/载气通道，生成或者直接的金属卤化物通过载气携带进入氢化物气相外延炉进行氮化物材料的生长；氢化物气相外炉延生长室包括有；一外延生长室；一衬底装置设于外延生长室内，衬底装置在外延生长室外部接有调速马达；反应气体管道通过外延生长室的密封盘进入外延生长室，载气携带反应气体通过该反应气体管道进入外延生长室内，并流动到衬底上进行反应生长氮化物单晶衬底；一加热装置，环绕于外延生长室外。
一种独立供应金属卤化物氢化物外延装置

[发明专利]外延结构体及其制备方法-CN201110095149.9有效
发明人：魏洋;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2011-04-15 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种外延结构体的制备方法，包括以下步骤：提供一基底，所述基底具有一外延生长面；在所述基底的外延生长面上悬空设置碳纳米管层；在所述设置有碳纳米管层的外延生长面上生长外延层。本发明进一步提供一种外延结构体。
外延结构及其制备方法

[实用新型]一种非平面结构的外延层、UVC-LED芯片、发光装置-CN202320129167.2有效
发明人：郝茂盛;袁根如;陈朋;马后永 -专利权人：上海芯元基半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种非平面结构的外延层、UVC‑LED芯片、发光装置，该非平面结构的外延层包括：第一外延层，所述第一外延层生长于一复合衬底上周期性排布的若干第一结构之间的间隙中；第二外延层，所述第二外延层生长于所述第一外延层的第一面，包括若干生长顶峰，相邻所述生长顶峰之间的第一外延层横向闭合，形成横向闭合低谷；且所述横向闭合低谷的高度低于所述生长顶峰；N型外延层、发光层、P型外延层，按照所述第二外延层的形状，在所述第一外延层的基础上依次堆叠，以解决因A1浓度过高而导致UVC‑LED的外延层生长裂纹的问题。
一种平面结构外延 uvc led 芯片发光装置

[发明专利]具有梯度深度P型区域的结势垒肖特基二极管及制备方法-CN201910885329.3在审
发明人：黎大兵;刘新科;孙晓娟;贾玉萍;石芝铭 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有梯度深度P型区域的结势垒肖特基二极管及制备方法，包括：衬底；在衬底的背面制作而成的负极；在衬底的正面外延生长的n+型氮化镓层；在n+型氮化镓层上外延生长的n型氮化镓层，n型氮化镓层的外围具有圆环形高阻区，且n型氮化镓层上刻蚀有若干个梯度深度的沟槽，每一沟槽内生长有p型氮化镓；在n型氮化镓层、p型氮化镓和圆环形高阻区的表面制作而成的正极本发明具有梯度深度的p型区域，可调节器件高电场强度区域的电场分布，同时通过双层外延氮化镓结构能形成良好的欧姆接触以及更好的PN结，有效提高了器件的性能，另外高阻区能有效抑制器件在高压下位于电极边缘的击穿
具有梯度深度区域结势垒肖特基二极管制备方法

[发明专利]一种双层基区SiC NPN集成晶体管及其制作方法-CN201910089310.8有效
发明人：蒲红斌;唐新宇;王曦;安丽琪;刘青;李佳琪;杜利祥 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种双层基区SiC NPN集成晶体管，包括衬底，衬底的上端表面依次设置有第一外延层、第二外延层、第三外延层、第四外延层、第五外延层；第五外延层和第四外延层组成凸台三；第三外延层和第二外延层组成凸台二；第一外延层为凸台一；还包括钝化层，钝化层覆盖凸台三、凸台二和凸台一的外表面及衬底的上端表面；凸台三的上端表面设有电极一；凸台二的上端表面设有电极二；凸台三的上端表面设有有电极三。本发明还公开了该双层基区SiC NPN集成晶体管的制作方法。本发明提供的双层基区SiC NPN集成晶体管的基区采用低高结的双层结构，降低增益β随温度的漂移程度。
一种双层 sic npn 集成晶体管及其制作方法

[发明专利]外延生长方法及外延硅片-CN202211677623.3在审
发明人：张远超;王力;梁鹏欢;张奔 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种外延生长方法及外延硅片，属于半导体制造技术领域。外延生长方法，应用于外延生长设备，所述外延生长设备包括反应腔室和位于所述反应腔室内的基座，所述外延生长方法包括：将抛光后的硅片放置在所述基座上；利用硅源气体在抛光后的硅片上依次沉积预制层和外延层，使得所述预制层的致密度高于所述外延层的致密度本发明的技术方案能够抑制或防止重掺衬底中的杂质向外延层的扩散，减小重掺外延片的过渡区宽度。
外延生长方法硅片

[发明专利]SiC外延晶片及其制造方法-CN201880032744.8有效
发明人：深田启介;石桥直人;坂东章;伊藤雅彦;镰田功穗;土田秀一;原一都;内藤正美;上东秀幸;藤林裕明;青木宏文;杉浦利和;铃木克己 -专利权人：昭和电工株式会社;一般财团法人电力中央研究所;株式会社电装
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本实施方式的SiC外延晶片的制造方法具有外延生长工序，所述外延生长工序中，向所述SiC单晶基板的表面供给Si系原料气体、C系原料气体和具有Cl元素的气体，在所述SiC单晶基板上生长所述外延层，所述外延生长工序的生长条件中，成膜压力为30托以下，Cl/Si比为8～12，C/Si比为0.8～1.2，生长速度从生长初期起为50μm/小时以上。
sic 外延晶片及其制造方法

[发明专利]用于外延生长设备的预热环以及外延生长设备-CN202010373469.5在审
发明人：邓晓军 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开一种用于外延生长设备的预热环以及外延生长设备，该预热环包括上环部和下环部，上环部与下环部同轴自上而下叠置，上环部的外径与下环部的外径相等，上环部的内径小于下环部的内径，上环部的一侧设有排气通道
用于外延生长设备预热以及

[发明专利]外延生长设备的工艺腔室及外延生长设备-CN202211060377.7在审
发明人：夏俊涵;邓晓军 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明提供一种硅外延生长设备的工艺腔室及外延生长设备，包括：腔体以及设置在腔体中的基座和预热环，其中，腔体的侧壁上沿水平方向相对设置有进气口和出气口；预热环环绕在基座与腔体的侧壁之间，且是可升降的，以能够使预热环的上表面在进行外延工艺时位于第一高度位置
外延生长设备工艺