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[发明专利]碳化硅单晶晶片及碳化硅单晶锭的制造方法-CN202310782655.8在审
发明人： 镰田功穗;土田秀一;星乃纪博;德田雄一郎;冈本武志 -专利权人：一般财团法人电力中央研究所;株式会社电装
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明是碳化硅单晶晶片及碳化硅单晶锭的制造方法。提供能获得高品位的碳化硅单晶的碳化硅单晶晶片的制造方法及碳化硅单晶晶片。通过气相生长法来制造的碳化硅单晶晶片，其中，晶片所包含的位错密度为3500个/cm2以下，在所述晶片的中心部、所述晶片的端部、及所述晶片的中间部分的比较中，所述KOH蚀坑密度的差小于平均值的50％。
碳化硅晶片单晶锭制造方法

[发明专利]成膜装置-CN201780012924.5有效
发明人：铃木邦彦;池谷尚久;深田启介;伊藤雅彦;镰田功穗;土田秀一;藤林裕明;上东秀幸;内藤正美;原一都;青木宏文;小泽隆弘 -专利权人：纽富来科技股份有限公司;株式会社力森诺科
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：提供能够抑制气体的蔓延、能够抑制由沉积物的附着引起的颗粒的发生、能够防止形成的膜发生结晶缺陷的成膜装置。供给部(4)具备：第1隔壁(32)；第2隔壁(401)，以规定间隔设置于第1隔壁的下部；第3隔壁(402)，以规定间隔设置于第2隔壁的下部；第1流路(431)，设置在供第1气体导入的第1隔壁与第2隔壁之间；第2流路(432)，设置在供第2气体导入的第2隔壁与第3隔壁之间；第1配管(411)，从第2隔壁一直到第3隔壁的下方，与第1流路连通；第2配管(421)，设置为包围第1配管，从第3隔壁一直到第3隔壁的下方，与第2流路连通；以及凸部，设置在第1配管的外周面(411c)或第2配管的内周面(421b)，从第1配管的外周面以及第2配管的内周面的一方朝向另一方突出。
装置

[发明专利]碳化硅单晶晶片及碳化硅单晶锭的制造方法-CN202011015571.4有效
发明人： 镰田功穗;土田秀一;星乃纪博;德田雄一郎;冈本武志 -专利权人：一般财团法人电力中央研究所;株式会社电装
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：提供能获得高品位的碳化硅单晶的碳化硅单晶晶片的制造方法及碳化硅单晶晶片。通过气相生长法来制造的碳化硅单晶晶片，其中，晶片所包含的位错密度为3500个/cm2以下，在所述晶片的中心部、所述晶片的端部、及所述晶片的中间部分的比较中，所述KOH蚀坑密度的差小于平均值的50％。
碳化硅晶片单晶锭制造方法

[发明专利]碳化硅铸锭、碳化硅铸锭的制造方法和碳化硅晶片的制造方法-CN202211612081.1在审
发明人： 镰田功穗;星乃纪博;别役洁;土田秀一;冈本武志;堀合慧祥 -专利权人：一般财团法人电力中央研究所;未来瞻科技株式会社;株式会社电装;丰田自动车株式会社
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供：在封闭籽晶中的微管的同时减少了螺旋位错的聚集的碳化硅铸锭、其制造方法和碳化硅晶片的制造方法。一种碳化硅铸锭，其具备：由碳化硅单晶构成、且具有作为中空缺陷的微管(5)的籽晶(2)；设于籽晶(2)上的由碳化硅构成的缓冲层(3)；以及设于缓冲层(3)上的由碳化硅构成的块状晶体生长层(4)，缓冲层(3)和块状晶体生长层(4)具有延续至被缓冲层(3)封闭的微管(5)的多个螺旋位错(6)，在块状晶体生长层(4)中共用微管(5)的多个螺旋位错(6)彼此的间隔为150μm以上。
碳化硅铸锭制造方法晶片

[发明专利]碳化硅单晶及其制造方法-CN201980040774.8有效
发明人：徳田雄一郎;上东秀幸;星乃纪博;土田秀一;镰田功穗 -专利权人：株式会社电装;一般财团法人电力中央研究所
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：在SiC单晶(6)的生长中添加重金属元素，将其添加密度设定为1×1015cm‑3以上。这样的构成的SiC单晶(6)是不易因生长中产生的热应力而产生位错的SiC单晶。因此，在将SiC单晶(6)切片而制成晶片并在其上使SiC层外延生长的情况下，也变得不易产生位错。通过设定为这样的构成，能够制成可抑制位错的产生或增殖的SiC单晶。
碳化硅及其制造方法

[发明专利]碳化硅单晶的制造方法及制造装置以及碳化硅单晶锭-CN202111193447.1在审
发明人：星乃纪博;镰田功穗;土田秀一;神田贵裕;冈本武志 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：提供能够得到使贯通位错等缺陷减少的碳化硅单晶的碳化硅单晶的制造方法及制造装置以及碳化硅单晶锭。得到使贯通位错等缺陷减少的碳化硅单晶。本发明的碳化硅单晶的制造方法为，通过将原料气体供给至配置有籽晶基板的反应容器内，并且将前述反应容器内加热至既定温度，使碳化硅单晶在前述籽晶基板的表面成长，其特征在于，具有第1工序和第2工序，在前述第1工序中，将前述反应容器内的温度控制成第1既定温度的状态，使碳化硅单晶在前述籽晶基板的表面成长，由此进行贯通位错的湮灭、或者贯通位错的合成，在前述第2工序中，在前述第1工序后将前述反应容器内的温度维持成第1既定温度的状态，由此使前述贯通位错的末端接近籽晶基板的表面。
碳化硅制造方法装置以及单晶锭

[发明专利]SiC外延晶片及其制造方法-CN201880032744.8有效
发明人：深田启介;石桥直人;坂东章;伊藤雅彦;镰田功穗;土田秀一;原一都;内藤正美;上东秀幸;藤林裕明;青木宏文;杉浦利和;铃木克己 -专利权人：昭和电工株式会社;一般财团法人电力中央研究所;株式会社电装
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本实施方式的SiC外延晶片的制造方法具有外延生长工序，所述外延生长工序中，向所述SiC单晶基板的表面供给Si系原料气体、C系原料气体和具有Cl元素的气体，在所述SiC单晶基板上生长所述外延层，所述外延生长工序的生长条件中，成膜压力为30托以下，Cl/Si比为8～12，C/Si比为0.8～1.2，生长速度从生长初期起为50μm/小时以上。
sic 外延晶片及其制造方法

[发明专利]碳化硅单晶、碳化硅单晶晶片、碳化硅单晶外延晶片、电子器件-CN201680049110.4有效
发明人：冈本武志;近藤宏行;金村高司;宫原真一朗;海老原康裕;恩田正一;土田秀一;镰田功穗;田沼良平 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅单晶，其中，存在位错线(21)贯通c面、同时巴尔格矢量(bv)至少具有c轴方向的成分的贯通位错(20)。贯通位错中，巴尔格矢量与位错线的朝向所形成的角度(θ1)大于0°且在40°以内的贯通位错的密度为300个/cm2以下，角度大于40°的贯通位错的密度为30个/cm2以下。
碳化硅晶片外延电子器件

[发明专利]SiC外延晶片及其制造方法-CN201780082719.6在审
发明人：深田启介;石桥直人;坂东章;伊藤雅彦;镰田功穗;土田秀一;原一都;内藤正美;上东秀幸;藤林裕明;青木宏文;杉浦利和;铃木克己 -专利权人：昭和电工株式会社;株式会社电装
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种SiC外延晶片，具有主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角的SiC单晶基板、和设置于所述SiC单晶基板上的外延层，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm²以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm²以下。
单晶基板外延晶片外延层基底面偏离角主面相位错制造

[发明专利]双极型半导体装置及其制造方法-CN200580009661.X无效
发明人：中山浩二;菅原良孝;土田秀一;镰田功穗;三柳俊之;中村智宣 -专利权人：关西电力株式会社;财团法人电力中央研究所
申请日： 2005-03-25 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种双极型半导体装置，通电时电子和空穴再结合区域的至少一部分，是由碳化硅基片表面生长的碳化硅外延层形成。在制造双极型半导体装置时，用氢腐蚀处理碳化硅基片的表面后，从该处理面上使碳化硅外延生长而形成上述的外延层。通过用化学机械研磨处理碳化硅基片的表面，然后用氢腐蚀处理，可进一步减少向外延层的基面位错的传播。
双极型半导体装置及其制造方法

[发明专利]SiC结晶的制造方法以及SiC结晶-CN03806382.4有效
发明人： 镰田功穗;土田秀一 -专利权人：财团法人电力中央研究所
申请日： 2003-03-19 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及在SiC单晶基片上生长SiC结晶时闭塞中空缺陷的方法和利用该方法制得的结晶，该基片具有CVD法产生的称为微管的中空缺陷；使该基片与将C/Si原子比调整至结晶生长速度为碳原子供给控速的范围内的原料气体接触，使SiC结晶的多层外延生长并积层，使SiC单晶基片的中空缺陷分解到小的伯格斯矢量的位错上，阻碍缺陷延伸到结晶表面。本发明还提供将SiC结晶形成缓冲层，再使用将C/Si之比调整到高于形成缓冲层时的C/Si之比的方向上的原料气体，再积层SiC结晶，制造赋予所需膜质的SiC结晶的制造方法。
sic 结晶制造方法以及

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