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[发明专利]装配式超高层核心筒悬挂结构体系-CN201810911637.4有效
发明人：杜彬;何政;柯善杰;曾一平;黄国辉 -专利权人：大连理工大学;中机国际工程设计研究院有限责任公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： E04B1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种装配式超高层核心筒悬挂结构体系，包括呈矩阵分布的至少一个核心筒；核心筒呈正四棱柱状，沿其轴线依次设有多个悬臂主梁组；悬臂主梁组包括与所述核心筒的四个侧棱一一对应的四对悬臂主梁，相邻所述悬臂主梁组之间的所述核心筒的侧面通过多个减震装置与悬挂结构耗能连接。本发明的主体结构采用传统现浇混凝土，保证结构的刚度和整体性；悬挂结构采用装配式混凝土结构，实现装配式结构在超高层建筑结构的应用；悬挂结构采用模块化结构(盒形单元)，实现装配式结构的构件标准化，减少模板数量，提高经济性；盒形单元相互之间以及悬挂结构与主体结构之间采用可拆卸连接，提高了结构的震后可恢复性能。
装配式高层核心悬挂结构体系

[发明专利]一种纳米级图形化衬底及其制作方法-CN201711011477.X有效
发明人：王晓东;段瑞飞;王军喜;曾一平;付强 -专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请日： 2017-10-26 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米级图形化衬底及其制作方法，通过在蓝宝石衬底上溅射AlN层，然后将AlN层经过退火后，再在退火后的AlN层上形成纳米图案，从而制作得到。此种衬底具有制作工艺简单、成本低廉，能够大幅提高AlN晶体质量和UV‑LED(深紫外发光二极管)出光效率等特点，是以后生长深紫外LED的必备产品。
一种纳米图形衬底及其制作方法

[发明专利]有机电致发光器件变温多脉冲瞬态电流响应的测试方法-CN201811105744.4有效
发明人：樊鹏凯;关敏;曾一平;刘彩池;郝秋艳;刘辉 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明为一种有机电致发光器件变温多脉冲瞬态电流响应的测试方法。该方法通过调制不同温度下脉冲电压的占空比，从而改变脉冲施加时器件内部载流子的堆积状态，并对比不同占空比下电流响应数据的正向电流峰值和反向电流峰值之间的关系，来分析有机电致发光器件内部载流子的输运机制，为制备性能更高的有机电致发光器件提供检测手段和分析方法。本发明能够实现对有机电致发光器件在脉冲电压驱动下的变温电流响应特性的测试与分析。
有机电致发光器件变温多脉冲瞬态电流响应测试方法

[发明专利]电化学刻蚀装置及其刻蚀方法-CN202310305165.9在审
发明人：赵思齐;刘兴昉;闫果果;王雷;赵万顺;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C25F7/00 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种电化学刻蚀装置及其刻蚀方法。其中，该电化学刻蚀装置包括夹具结构、容器结构和电源结构。夹具结构用于在电化学刻蚀过程中夹设目标刻蚀样片，以暴露目标刻蚀样片的刻蚀区域；在电化学刻蚀过程中，夹具结构设置在容器结构中，且刻蚀区域与容器结构中的电解质溶液接触；电源结构正极与夹具结构电连接，并且电源结构负极连接至与电解质溶液接触的阴极；其中，电解质溶液为氢氧化钾溶液和过氧化钠溶液的混合液。因此，基于本公开的上述电化学刻蚀装置，能够确保电化学刻蚀工艺的安全性更高，同时保证简单易操作，且能够在低成本以及低危险系数的情况下完成对碳化硅的高精度刻蚀。
电化学刻蚀装置及其方法

[发明专利]利用DLTS研究碳化硅MOS界面态的制样及优化方法-CN201910951973.6有效
发明人：何亚伟;闫果果;刘兴昉;申占伟;赵万顺;王雷;张峰;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种利用DLTS研究碳化硅MOS界面态的制样及优化方法，其中样品制备方法包括如下步骤：高温氧化；金属淀积；欧姆接触退火；第一版光刻形成肖特基电极开孔；第二版光刻形成肖特基结构开孔及MOS结构开孔；正面金属淀积；金属剥离。采用此方法可以解决碳化硅MOS界面态和外延层内的深能级信号叠加在一起，导致拟合分析困难的问题。本发明还涉及一种优化肖特基结构在多版套刻时特性变差的方法，解决金属剥离得到肖特基结构和MOS结构时，肖特基接触特性较差的问题。
利用 dlts 研究碳化硅 mos 界面优化方法

[发明专利]化学气相沉积设备及碳化硅外延层制备方法-CN202211664731.7在审
发明人：刘兴昉;杨尚宇;闫果果;王雷;赵万顺;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明提供一种化学气相沉积设备，包括：备样室、操作室、反应室以及取样室。其中，备样室适用于提供放置装载有衬底晶圆片的托盘的空间；操作室，包括：机械手以及陷气阱，机械手适用于抓取备样室中的托盘并输运至对应的反应室；陷气阱适用于排空进入操作室的气体；反应室，包括：多个生长室以及中转室，多个生长室分别适用于提供生长相应外延层的反应空间；中转室适用于在多个生长室同时生长对应的外延层时，对多个托盘提供暂存的空间；取样室，适用于放置装载有反应完成的晶圆片的托盘；其中，操作室配置为设置于化学气相沉积设备的中心，其他各室配置为设置于操作室的周围；操作室与其它各室之间通过阀门连接。
化学沉积设备碳化硅外延制备方法

[发明专利]碳化硅外延设备及碳化硅外延层制备方法-CN202211664730.2在审
发明人：刘兴昉;杨尚宇;闫果果;王雷;赵万顺;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅外延设备，包括：备样室、多个中转室、反应室以及取样室。其中，备样室适用于提供放置装载有衬底晶圆片的托盘的空间；多个中转室，分别设置于备样室与第一生长室之间、第一生长室和第二生长室之间以及第二生长室与取样室之间，适用于对托盘提供暂存的空间；反应室，包括：第一生长室、第二生长室以及第三生长室；第一生长室适用于提供生长缓冲层的反应空间；第二生长室适用于提供生长N型外延层的反应空间；第三生长室适用于提供生长P型外延层的反应空间；取样室适用于放置装载有反应完成的晶圆片的托盘；其中，各室均配置有气垫导轨，气垫导轨上设置有多个自动气垫机构；并且相邻两室之间通过阀门连接。
碳化硅外延设备制备方法

[发明专利]使用单向光注入调制的激光器阵列-CN202211160594.3在审
发明人：郭宁;张杨;曾一平;关敏;杨尚宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：本发明涉及硅基光电子学技术领域，提供一种使用单向光注入调制的激光器阵列，包括：阵列排布的多个激光器单元，每个激光器单元包括：波导光栅耦合器、主激光器和从激光器；波导光栅耦合器包括：光栅单元、波导单元和氧化单元；其中，光栅单元包括第一光栅和第二光栅，波导单元的两侧下方分别与第一光栅和第二光栅相连，氧化单元位于波导单元的上表面；主激光器位于第一光栅的下方，从激光器位于第二光栅的斜下方，且从激光器的出光区域在水平方向上的投影与第二光栅在水平方向上的投影不重叠。本发明可以采用简单的工艺和结构实现波导光的单向注入。
使用单向注入调制激光器阵列

[发明专利]基于液晶调控的垂直腔面发射激光器及其制备方法-CN202110186788.X有效
发明人：邵泓焰;曾一平;张杨;崔利杰;崔宁 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于液晶调控的垂直腔面发射激光器，所述垂直腔面发射激光器包括传统氧化限制型垂直腔面发射激光器结构和液晶模式调制结构，其中，传统氧化限制型垂直腔面发射激光器结构，用于发射激发模式；液晶模式调制结构，位于所述传统氧化限制型垂直腔面发射激光器结构之上，通过液晶折射率的改变实现对传输光场损耗的影响，从而控制激射模式。本发明还提供了一种用于制备上述基于液晶调控的垂直腔面发射激光器的制备方法。
基于液晶调控垂直发射激光器及其制备方法

[发明专利]一种MOS器件的沟道迁移率和光刻变化量的检测方法-CN202210978074.7在审
发明人：申占伟;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本公开提供了一种MOS器件的沟道迁移率和光刻变化量的检测方法，包括：制备第一MOS器件和第二MOS器件；根据第一MOS器件线性区的导通电阻R1和第二MOS器件线性区的导通电阻R2，得到两者之间的差值ΔR1；根据第一栅沟槽的个数、单位长度和第一栅沟槽的宽度得到M1；绘制ΔR1与M1的曲线图，确定曲线斜率K2和截距rs；根据栅电极接触的单位面积电容、栅电极接触点处所施加的电压以及第一MOS器件/第二MOS器件中以N漂移层为沟道的阈值电压得到M2；通过K2与M2，得到MOS器件积累型沟道迁移率。本公开有效避免光刻、刻蚀等工艺对所提取沟道迁移率准确性的影响，丰富了MOS器件沟道迁移率的检测途径。
一种 mos 器件沟道迁移率光刻变化检测方法

[发明专利]一种宽禁带功率半导体器件及制备方法-CN202011264915.5有效
发明人：申占伟;刘兴昉;闫果果;王雷;赵万顺;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种宽禁带功率半导体器件及制备方法，包括：半导体基片，基片中形成p型掺杂层(40)、n+源区层(50)和p+基区层(60)，在一个元胞范围内p型掺杂层(40)左右分布不对称，n+源区层(50)和p+基区层(60)紧邻；栅电极接触(90)，其底部不超过p型掺杂层(40)的底部，其右侧壁与p型掺杂层(40)的边界紧邻，其左侧壁与p型掺杂层(40)的边界具有间隙，其与基片之间通过栅氧化层(80)隔开；钝化层(100)、源电极金属接触(110)、漏电接触(120)。本发明提供的宽禁带功率半导体器件在一个元胞内包括积累型沟道和反型沟道两种类型，具有很好的导通性能和栅氧化物可靠性。
一种宽禁带功率半导体器件制备方法

[发明专利]一种MOS器件及其制备方法-CN202210776329.1在审
发明人：申占伟;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提供了一种MOS器件，包括：衬底；碳传输层，设置于所述衬底上表面的一侧，所述碳传输层中包含C元素；h‑BNC层，设置于所述衬底上表面的另一侧；缓冲层，设置于所述碳传输层和h‑BNC层的上方；所述缓冲层所用材料为h‑BN；防漏电层，设置于所述缓冲层的上方；所述防漏电层所用材料为Al2O3；源电极，设置于所述衬底的下表面；栅电极，设置于所述防漏电层的上方；隔离层，设置于所述碳传输层、h‑BNC层、缓冲层和防漏电层的一侧，上端接触所述栅电极，下端接触所述衬底。本公开中的MOS器件及其制备方法，通过在衬底上设置h‑BNC层，h‑BNC层带隙和迁移率可调，使得能衬底下表面可以产生高密度、高迁移率的导电载流子。
一种 mos 器件及其制备方法

[发明专利]基于液晶调控的垂直腔面发射激光器及其制备方法-CN202011068518.0有效
发明人：邵泓焰;关宝璐;张杨;崔利杰;崔宁;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所;北京工业大学
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本公开提供一种基于液晶调控的垂直腔面发射激光器，包括：第一半导体层，用于发射激发光，其表面为开设有凹槽的GaAs保护层，所述凹槽处作为所述激发光的中心出光孔，微调控层位于所述GaAs保护层上，所述微调控层对应所述凹槽设置有一容纳空间，所述凹槽和所述容纳空间共同构成一液晶盒，所述液晶盒内填充有液晶材料；本公开还包括一种基于液晶调控的垂直腔面发射激光器的制备方法；本公开可以根据激光器工作状态和需要，动态调控输出的模式，不用高度依赖表面反相结构的精度，可以灵活地调节激光器的输出功率，可精确控制凹槽部分和非凹槽部分对谐振波长的反射率，从而控制不同横模的往返损耗。
基于液晶调控垂直发射激光器及其制备方法

[发明专利]MOS器件的制备方法及MOS器件-CN202011029074.X有效
发明人：申占伟;刘兴昉;赵万顺;王雷;闫果果;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开提供一种MOS器件的制备方法和MOS器件，该MOS器件包括宽禁带半导体基片和SOI基片，所述宽禁带半导体基片为碳化硅、氮化镓、氧化镓、金刚石中的任意一种，该方法包括：在宽禁带半导体基片的上表面注入硼或氮原子，形成表面掺杂层；在表面掺杂层中注入包含有氢离子的活性基团；对SOI基片的绝缘介质层表面进行等离子激活，使绝缘介质层中形成羟基活性等离子基元；通过表面掺杂层中包含的氢离子和绝缘介质层中包含的羟基活性等离子基元，键合宽禁带半导体基片和SOI基片，对硅介质层进行低温氧化处理，形成栅介质层；在宽禁带半导体基片的下表面依次淀积镍、钛、铝的多层金属，形成背面电极接触；在栅介质层的正面淀积金属薄膜层，形成正面电极接触。
mos 器件制备方法

[实用新型]一种梳棉机活动盖板骨架结构-CN202121769020.7有效
发明人： 曾一平;黄波;戴羡磊;周淼鑫;潘剑龙 -专利权人：浙江锦峰纺织机械有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： D01G15/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种梳棉机活动盖板骨架结构，包括盖板骨和设置在盖板骨上的端头，所述端头包括金属内芯、踵趾件、成型在金属内芯和踵趾件外的塑料件，所述塑料件与外部梳棉机盖板的盖板骨装配。本实用新型能够减小端头的重量，并且让踵趾件的安装更加方便。
一种梳棉机活动盖板骨架结构

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