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[发明专利]外延结构的制备方法-CN201210122618.6有效
发明人：魏洋;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一支持外延层生长的外延生长面；在所述基底的外延生长面设置一石墨烯层，所述石墨烯层使所述外延生长面部分被覆盖且部分被暴露；以及在基底的外延生长面被暴露的部分生长外延层
外延结构制备方法

[发明专利]一种基于桶式外延炉的硅衬底外延层生长方法-CN202010357763.7有效
发明人：任永宁;葛洪磊;刘依思;陈宝忠;刘如征;张雁斌;柏伟东;白帅;任恬 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于桶式外延炉的硅衬底外延层生长方法，首先将硅衬底放入桶式外延炉内进行初始定位后在硅衬底表面进行外延生长形成第一层外延层，第一层外延层厚度小于设定外延层总厚度；然后将形成第一层外延层的硅衬底相对初始位置转动，进行外延生长至设定外延层总厚度，采用两步生长过程，先进行第一层外延层生长，形成的第一层外延层覆盖了衬底，在进行二次生长时，硅衬底正面及侧面边缘杂质的蒸发被第一层外延层抑制；硅衬底背面采用多晶及氧化层进行背封，背面杂质的蒸发也被有效抑制，再次生长完成外延层生长，能够有效抑制外延自掺杂效应。
一种基于外延衬底生长方法

[发明专利]外延生长检测方法-CN202310291626.1在审
发明人：丁雄傑;刘薇;李焕婷;张红;周泽成;邱树杰;李浩然;李锡光 -专利权人：广东天域半导体股份有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延生长检测方法，提供一衬底托盘，所述衬底托盘上具有主容置槽和副容置槽；所述生长检测方法包括：步骤1，将生长衬底放置在所述主容置槽，将参考衬底放置于所述副容置槽；步骤2，控制所述衬底托盘匀速旋转并在所述衬底托盘上的衬底生长外延层，以使所述生长衬底上形成外延层的同时，所述参考衬底上形成参考外延层；步骤3，测试所述参考外延层的镀膜参数以作为所述外延层的检测参数。与现有技术相比，本发明可在生长衬底上生长的外延层的同时在参考衬底上生长参考外延层，检测参考外延层的参数以作为生长衬底上外延层的参数，无需破坏产品上的外延层结构。
外延生长检测方法

[发明专利]用于生长外延结构的掩模及其使用方法-CN201110025710.6有效
发明人：魏洋;冯辰;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2011-01-24 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： C30B25/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于生长外延结构的掩模及其使用方法。该掩模包括：一碳纳米管层，且该碳纳米管层具有多个开口，从而使得基底的外延生长面可以通过该多个开口部分暴露，通过该掩模使外延层从所述基底的外延生长面通过该开口暴露的部分生长。该掩模的使用方法包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一支持外延层生长的外延生长面；在所述基底的外延生长面设置一掩模，该掩模包括：一碳纳米管层，且该碳纳米管层包括多个开口，从而使得基底的外延生长面通过该多个开口部分暴露；以及在所述基底的外延生长面生长外延层。
用于生长外延结构及其使用方法

[发明专利]外延层的生长设备和外延层生长过程中的缺陷检测方法-CN201711463957.X在审
发明人：向光胜;叶青贤;喻海波;蔡云聪 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： C23C14/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延层的生长设备和外延层生长过程中的缺陷检测方法，属于半导体技术领域。该生长设备包括反应腔室和检测装置，检测装置包括光源模块，用于提供照射到生长中的外延层上的紫外光；图像获取模块，用于在至少一个生长阶段结束时获取紫外光照射在外延层上所产生的待测图像；处理模块，用于根据待测图像的灰度判断生长至生长阶段结束时的外延层是否存在缺陷，通过获取当前生长阶段紫外线照射在外延层上所产生的待测图像，再根据待测图像的灰度判断外延层是否存在缺陷，可以在外延层生长出现缺陷时及时反馈外延层生长过程中形成的缺陷，便于操作人员及时对外延层的生长做出调整，有利于减少外延层的内部缺陷，提高外延片的良率。
外延层待测图像生长过程生长阶段生长设备生长灰度判断检测装置缺陷检测半导体技术领域图像获取模块紫外光照射紫外线照射处理模块反应腔室光源模块内部缺陷紫外光外延片良率照射反馈

[发明专利]外延结构体的制备方法-CN201110076903.4有效
发明人：魏洋;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延结构体的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一外延生长面；在所述基底的外延生长面设置一碳纳米管层；在所述基底的外延生长面生长一第一外延层并覆盖所述碳纳米管层；在所述第一外延层的表面设置一碳纳米管层，其中，所述第一外延层的表面为该第一外延层的外延生长面；以及，在所述第一外延层的表面生长一第二外延层。该外延结构体的制备方法工艺简单，成本低廉，且污染小。
外延结构制备方法

[发明专利]外延工艺方法-CN201911162959.4有效
发明人：涂火金;刘厥扬;胡展源 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延工艺方法，两次以上的子外延层生长工艺，在最顶层子外延层之前的各子外延层的所述子外延层生长工艺完成之后还包括气体清洗工艺，用于将对应的子外延层生长工艺的残余工艺气体去除，之后再进行外延生长工艺参数切换并进行下一次子外延层生长本发明能防止残余工艺气体在生长工艺参数切换过程中产生缺陷，从而能在多次子外延层生长工艺中防止缺陷产生。
外延工艺方法

[发明专利]一种侧向外延生长的方法及半导体结构-CN201811145385.5有效
发明人：吴真龙;叶培飞;李俊承;林志伟;陈凯轩 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种侧向外延生长的方法及半导体结构，其中，所述侧向外延生长的方法在进行外延生长的过程中，通入预设气体，以使含卤素原子气体可以与外延材料与掩膜层形成的多晶膜层进行反应，避免多晶膜层中的位错或缺陷对侧向生长的外延层的膜层质量产生不良影响的问题并且，当外延层的外延材料中含有高铝组分时，利用所述侧向外延生长的方法进行外延层的生长，还可以解决二次外延生长过程中样品拿出接触空气导致外延层被空气中的氧气氧化的问题，以避免在进行二次外延生长的过程中，导致的表面退化而导致表面粗糙的问题
一种侧向外延生长方法半导体结构

[发明专利]沟槽型双层栅MOS器件的制备方法-CN201010027312.3有效
发明人：金勤海;李卫刚;缪进征 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-01-20 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型双层栅MOS器件的制备方法，包括如下：在沟槽刻蚀形成之后，进行垂直的离子注入在沟槽下方的外延层内形成具有第一导电类型的第一阱区，第一导电类型与所述MOS器件的外延层导电类型相反；在制备两层栅之间的氧化层时，采用热氧化法生长氧化层；而在接触孔刻蚀形成之后，在接触孔下方进行离子注入，在接触孔下方形成具有第一导电类型的第二阱区，第二阱区延伸到外延层中，第二阱区的深度深于后续在所述沟槽中形成的上层栅在外延层内的深度
沟槽双层 mos 器件制备方法

[发明专利]一种非平面结构外延层及其芯片结构的制备方法-CN202310060677.3在审
发明人：郝茂盛;袁根如;陈朋;马后永 -专利权人：上海芯元基半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种非平面结构外延层及其芯片结构的制备方法，该方法包括：提供一复合衬底，其中，复合衬底包括第一衬底以及形成在第一衬底上的图形化层，图形化层包括周期性排布的若干第一结构；生长第一外延层，第一外延层形成于周期性排布的若干第一结构之间的间隙中，且填满间隙；生长第二外延层，第二外延层形成于第一外延层上，且控制第二外延层的纵向生长速率，以使得第二外延层具有若干生长顶峰；且控制第二外延层的横向生长速率，以使得第二外延层相邻的生长顶峰之间形成横向闭合低谷；且横向闭合低谷的高度低于生长顶峰；按照第二外延层的形状，在第二外延层的表面依次生长N型外延层、发光层、P型外延层。
一种平面结构外延及其芯片制备方法

[发明专利]一种8英寸VDMOS功率管用硅外延片的制造方法-CN201911196733.6有效
发明人：马梦杰 -专利权人：南京国盛电子有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种8英寸VDMOS功率管用硅外延片的制造方法，包括步骤：（1）选用掺As衬底，衬底电阻率≤0.004Ω.cm；（2）进行第一外延层的生长，在衬底表面用生长温度为1040~1080℃，生长速率为≤1.5μm/min生长第一外延层，在第一层外延层生长完成后用氢气吹扫腔体；（3）进行第二外延层的生长，在第一外延层表面用生长温度为1040~1060℃，生长速率为2~3μm/min生长第二外延层。本发明选用合适衬底，满足器件和外延要求，有效提高外延层电阻率均匀性，减小边缘与中心区域过渡区的偏差，提高管芯的良率。
一种英寸 vdmos 功率管用外延制造方法

[发明专利]一种半导体器件的制备方法-CN202011533023.0在审
发明人：杨国文;唐松 -专利权人：度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，包括：衬底层，在衬底层上同层设置第一外延生长层和第二外延生长层，第一外延生长层和第二外延生长层为电流阻挡层，衬底层在第一外延生长层和第二外延生长层之间的部分为通道区，第一外延生长层、第二外延生长层与通道区的顶面位于同一平面，平面与衬底层的底面平行。通过第一外延生长层和第二外延生长层的电流阻挡作用，使得电流的扩散区域以及电流的流经路径得到有效控制，进而提高器件的电光转换效率。同时，平整的衬底层可以在形成平整的功能层时，无需额外的工艺处理即可直接生长形成平整功能层，有效提高器件的可靠性。
一种半导体器件制备方法

[发明专利]氮化镓同质外延方法-CN202211139490.4在审
发明人：王瑞;庄文荣;孙明;颜建峰;敖辉 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司;东莞市中器集成电路有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓同质外延方法，包括步骤：提供一氮化镓衬底，在氮化镓衬底上生长氮化镓外延层，其中，生长氮化镓外延层包括多个生长阶段，每个当前生长阶段的生长温度高于前一生长阶段的生长温度，每个当前生长阶段的生长速率大于前一生长阶段的生长速率，以抑制生长氮化镓外延层过程中，氮化镓衬底在高温下的分解。本发明生长初期通过较低的生长温度，可以有效抑制氮化镓衬底表面的分解，从而获得良好的生长表面，提高氮化镓外延层的生长质量，后期通过提高生长温度和生长速率，可以有效提高氮化镓外延层的生长效率。通过上述方法，可以在保证生长效率的同时，避免氮化镓衬底表面的分解，获得晶体质量良好的氮化镓外延层。
氮化同质外延方法

[发明专利]半导体外延结构的制备方法-CN201110077488.4有效
发明人：魏洋;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体外延结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，且该基底具有一支持半导体外延层生长的外延生长面；在所述基底的外延生长面设置一碳纳米管层；以及在基底的外延生长面生长一掺杂的半导体外延层
半导体外延结构制备方法

[发明专利]外延生长预处理方法以及外延生长预处理工艺腔-CN201210484714.5有效
发明人：严利人;刘志弘;周卫;张伟 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延生长预处理方法以及外延生长预处理工艺腔，为解决现有的外延生长预处理工艺中，采用加热方法去除衬底表面杂质所带来到产品的品质表面、操作繁琐等问题而设计。所述外延生长预处理方法为使用激光照射衬底，以使所述衬底所需外延生长的表面局部升温至外延生长预处理所需温度；其中，所述衬底位于还原性气体中。所述外延生长预处理工艺腔，包括工艺腔体；所述工艺腔体上设有进气口、出气口以及用于照射位于所述工艺腔体内的衬底的激光装置。本发明外延生长预处理方法以及外延生长预处理工艺腔具有操作简便、快捷，产品质量有保证的特点。
外延生长预处理方法以及工艺