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[发明专利]成膜装置-CN201780012924.5有效
发明人：铃木邦彦;池谷尚久;深田启介;伊藤雅彦;镰田功穗;土田秀一;藤林裕明;上东秀幸;内藤正美;原一都;青木宏文;小泽隆弘 -专利权人：纽富来科技股份有限公司;株式会社力森诺科
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：提供能够抑制气体的蔓延、能够抑制由沉积物的附着引起的颗粒的发生、能够防止形成的膜发生结晶缺陷的成膜装置。供给部(4)具备：第1隔壁(32)；第2隔壁(401)，以规定间隔设置于第1隔壁的下部；第3隔壁(402)，以规定间隔设置于第2隔壁的下部；第1流路(431)，设置在供第1气体导入的第1隔壁与第2隔壁之间；第2流路(432)，设置在供第2气体导入的第2隔壁与第3隔壁之间；第1配管(411)，从第2隔壁一直到第3隔壁的下方，与第1流路连通；第2配管(421)，设置为包围第1配管，从第3隔壁一直到第3隔壁的下方，与第2流路连通；以及凸部，设置在第1配管的外周面(411c)或第2配管的内周面(421b)，从第1配管的外周面以及第2配管的内周面的一方朝向另一方突出。
装置

[发明专利]成膜装置-CN201711130137.9有效
发明人：铃木邦彦;池谷尚久;矢岛雅美;原一都;藤林裕明;松浦英树;铃木克己 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明的实施方式的成膜装置具备：成膜室，可收容基板；气体供给部，设置在成膜室的上部，具有向基板的成膜面上供给气体的多个喷嘴；加热器，对基板进行加热；以及第一保护罩，在与气体供给部的多个喷嘴相对应的位置具有多个开口部。
装置

[发明专利]用于制造氮化镓半导体器件的方法-CN202110389082.3在审
发明人：小岛淳;笹冈千秋;恩田正一;长屋正武;原一都;河口大祐 -专利权人：株式会社电装;浜松光子学株式会社;国立大学法人东海国立大学机构
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种用于制造氮化镓半导体器件的方法，包括：制备氮化镓晶片(1)；在氮化镓晶片上形成外延生长膜(3)，以提供具有芯片形成区域(RA)的已处理晶片(10)；在已处理晶片的一个表面侧上执行表面侧处理；去除氮化镓晶片，并将已处理晶片分开成芯片形成晶片(30)和回收晶片(40)；在芯片形成晶片的另一表面侧形成另一表面侧元件部件(60)。
用于制造氮化半导体器件方法

[发明专利]氮化镓半导体器件及其制造方法-CN202110389491.3在审
发明人：笹冈千秋;小岛淳;恩田正一;长屋正武;原一都;河口大祐 -专利权人：株式会社电装;浜松光子学株式会社;国立大学法人东海国立大学机构
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：氮化镓半导体器件包括：芯片形成衬底(110)，该芯片形成衬底(110)由氮化镓制成，并且具有一个表面(110a)和与该一个表面相反的另一表面(110b)；一个表面侧元件部件(11)，该表面侧元件部件设置在一个表面上并提供半导体元件的一个表面侧的部件；和构成与另一表面接触的背面电极的金属膜(61)。另一个表面具有不规则性，该不规则性由具有梯形横截面的多个凸部和位于该凸部之间的多个凹部提供。多个凸部中每个凸部的梯形横截面的上底表面与所述一个表面相反。
氮化半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体芯片及其制造方法-CN202110389492.8在审
发明人：长屋正武;原一都;河口大祐;油井俊树;笹冈千秋;小岛淳;恩田正一 -专利权人：株式会社电装;浜松光子学株式会社;国立大学法人东海国立大学机构
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种半导体芯片，包括：由氮化镓制成的外延膜(3)；以及设置在外延膜中的半导体元件；芯片形成衬底(110)，其包括外延膜并具有第一表面(110a)、与第一表面相反的第二表面(110b)以及连接第一表面和第二表面的侧表面(110c)；和在侧表面上的凹凸。
半导体芯片及其制造方法

[发明专利]SiC外延晶片及其制造方法-CN201880032744.8有效
发明人：深田启介;石桥直人;坂东章;伊藤雅彦;镰田功穗;土田秀一;原一都;内藤正美;上东秀幸;藤林裕明;青木宏文;杉浦利和;铃木克己 -专利权人：昭和电工株式会社;一般财团法人电力中央研究所;株式会社电装
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本实施方式的SiC外延晶片的制造方法具有外延生长工序，所述外延生长工序中，向所述SiC单晶基板的表面供给Si系原料气体、C系原料气体和具有Cl元素的气体，在所述SiC单晶基板上生长所述外延层，所述外延生长工序的生长条件中，成膜压力为30托以下，Cl/Si比为8～12，C/Si比为0.8～1.2，生长速度从生长初期起为50μm/小时以上。
sic 外延晶片及其制造方法

[发明专利]SiC外延晶片及其制造方法-CN201780082719.6在审
发明人：深田启介;石桥直人;坂东章;伊藤雅彦;镰田功穗;土田秀一;原一都;内藤正美;上东秀幸;藤林裕明;青木宏文;杉浦利和;铃木克己 -专利权人：昭和电工株式会社;株式会社电装
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种SiC外延晶片，具有主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角的SiC单晶基板、和设置于所述SiC单晶基板上的外延层，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm²以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm²以下。
单晶基板外延晶片外延层基底面偏离角主面相位错制造

[发明专利]成膜装置-CN201711130148.7在审
发明人：铃木邦彦;池谷尚久;矢岛雅美;原一都;藤林裕明;松浦英树;铃木克己 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明的实施方式的成膜装置具备：成膜室，收容基板并进行成膜处理；气体供给部，设置在成膜室的上部，并向基板上供给气体；以及加热器，对基板进行加热；成膜室具有温度上升抑制区域，所述温度上升抑制区域位于气体供给部的下部，并且抑制供给到加热器上部的气体的温度上升。
成膜室加热器气体供给部成膜装置成膜处理供给气体收容基板对基板基板加热

[发明专利]制造碳化硅单晶的装置-CN201710281775.4有效
发明人：徳田雄一郎;原一都;小岛淳 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2017-10-17 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种制造碳化硅单晶(20)的装置通过从籽晶的下面供应原料气体(3)来在籽晶(5)上生长碳化硅单晶。该装置包括加热容器(8)和定位于加热容器中的基部(9)。籽晶安装于基部上。该装置还包括用于引起净化气体沿着加热容器的内壁表面流动的第一入口(8b)、用于将净化气体供应至第一入口的净化气体源(14)、用于引起净化气体沿着基部的外壁表面流动的第二入口(93)、以及用于支撑基部以及用于将净化气体从基部的下面供应至基部的机构(11)。
制造碳化硅装置

[发明专利]制造碳化硅单晶的装置和方法-CN201610862561.1在审
发明人： 原一都;徳田雄一郎 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种制造碳化硅单晶(20)的装置通过从籽晶的下面供应用于碳化硅的原料气体(3)来在由碳化硅单晶基片制成的籽晶(5)的表面上生长碳化硅单晶。该装置包括具有第一侧和与第一侧相反的第二侧的基部(9)。籽晶安装于基部的第一侧上。该装置还包括用于支撑基部并且用于从基部的第二侧将净化气体供应至基部的净化气体引入机构(11)。基部具有用于从基部朝着籽晶的外缘排出所供应净化气体的净化气体引入路径(94，95c)。
制造碳化硅装置方法

[发明专利]碳化硅单晶制造设备-CN201280037766.6在审
发明人： 原一都 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2012-07-24 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅单晶制造设备，其包括真空室(6)、设置晶种(5)的台座(9)、源气(3)的入口(2)、从所述真空室(6)的底面朝着所述台座(9)延伸的反应室(7)、围绕所述反应室(7)的外周设置的第一加热装置(13)、围绕所述台座(9)的外周设置的第二加热装置(14)、设置在所述真空室(6)中的第一和第二加热装置(13,14)的外侧的出口(4)。在朝着所述台座(9)供应从所述反应室(7)供应的所述源气(3)之后，使所述源气在所述反应室(7)与碳化硅单晶(20)之间在碳化硅单晶(20)的径向方向上向外流动，并通过所述出口(4)排出。
碳化硅制造设备

[发明专利]制造碳化硅单晶的装置-CN201110431762.3在审
发明人：徳田雄一郎;原一都;小岛淳 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：一种制造碳化硅单晶(20)的装置通过从籽晶的下面供应原料气体(3)来在籽晶(5)上生长碳化硅单晶。该装置包括加热容器(8)和定位于加热容器中的基部(9)。籽晶安装于基部上。该装置还包括用于引起净化气体沿着加热容器的内壁表面流动的第一入口(8b)、用于将净化气体供应至第一入口的净化气体源(14)、用于引起净化气体沿着基部的外壁表面流动的第二入口(93)、以及用于支撑基部以及用于将净化气体从基部的下面供应至基部的机构(11)。
制造碳化硅装置

[发明专利]制造碳化硅单晶的装置和方法-CN201110431747.9无效
发明人： 原一都;徳田雄一郎 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种制造碳化硅单晶(20)的装置通过从籽晶的下面供应用于碳化硅的原料气体(3)来在由碳化硅单晶基片制成的籽晶(5)的表面上生长碳化硅单晶。该装置包括具有第一侧和与第一侧相反的第二侧的基部(9)。籽晶安装于基部的第一侧上。该装置还包括用于支撑基部并且用于从基部的第二侧将净化气体供应至基部的净化气体引入机构(11)。基部具有用于从基部朝着籽晶的外缘排出所供应净化气体的净化气体引入路径(94，95c)。
制造碳化硅装置方法

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