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[发明专利]外延生长用衬底-CN200910129736.8无效
发明人：大岛佑一 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2009-03-26 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种外延生长用衬底，其可以将通过镊子等造成的衬底操作位置限制在衬底周边部的极有限的一部分、从而能够大大抑制伴随衬底操作而污染等的区域。所述衬底为外延生长用的衬底(1)，在与进行外延生长的衬底(1)的表面(1a)相反的背面(1b)侧局部性地存在倒角部(3)。
外延生长衬底

[发明专利]外延生长方法-CN201010514570.4无效
发明人：缪燕 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-10-21 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延生长方法，包括如下步骤：第1步，选用硅烷作为硅源气体，以气相外延工艺生长第一外延层，反应温度为600～950℃，压力为20～200Torr，载气为氢气，氢气流量为15～45slm，所生长的第一外延层厚度为500～5000；第2步，选用二氯二氢硅作为硅源气体，以气相外延工艺生长第二外延层，反应温度为本发明外延生长的方法能够较好的抑制外延自掺杂现象，并取得较高的生产效率。
外延生长方法

[发明专利]外延生长方法-CN200510131733.X无效
发明人：朴性秀 -专利权人：三星康宁株式会社
申请日： 2005-12-16 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：提供了一种用于形成高质量外延生长半导体晶片的外延生长方法。该方法包括：在单晶晶片上形成单晶层；在单晶层上形成具有纳米尺寸点的掩模层；通过蚀刻掩模层和单晶层的表面形成具有纳米尺寸气孔的多孔缓冲层；退火多孔缓冲层；以及利用外延生长工艺在多孔缓冲层上形成外延材料层。根据本发明，利用刻蚀工艺在单晶晶片上形成了具有多孔缓冲层的外延材料层。由于该多孔缓冲层是利用刻蚀工艺和退火工艺形成的，因此晶片可以由多种材料形成。而且，本发明降低了外延生长衬底的缺陷密度、应力和弯曲程度，从而能够形成高质量的半导体晶片并提高成品率。
外延生长方法

[发明专利]外延生长方法-CN200510131615.9无效
发明人：朴性秀 -专利权人：三星康宁株式会社
申请日： 2005-12-15 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种用于形成高质量外延生长半导体晶片的外延生长方法。该方法包括：在单晶晶片上形成具有纳米尺寸的点的掩模层；通过蚀刻该掩模层和该晶片的表面在该单晶晶片的表面上形成具有纳米尺寸的孔的多孔层；利用外延生长工艺在该多孔层上形成外延材料层；以及退火该外延材料层。
外延生长方法

[实用新型]LED外延生长装置-CN201120464155.2有效
发明人：田宇;韩效亚;杜石磊;叶培飞;耿松涛;张双翔;张银桥;王向武 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2011-11-21 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：LED外延生长装置，属于外延生长设备技术领域，炉筒的上、下两端分别连接炉盖和炉底，在炉盖上分别设氮气进气口、混合气体接入通道和若干氢气进气通道；在炉盖和环形石墨护罩之间夹持环形均温组件，于环形石墨护罩内本实用新型可控制反应室与炉盖之间的温度，当反应室内的温度与炉盖的温度差较小时，在冷却装置表面就不容易生长颗粒。可省去更换冷却装置的工作量，节省时间，提高外延生产效率和外延产品的质量。
led 外延生长装置

[发明专利]外延晶片生长装置-CN201480064479.3在审
发明人：姜侑振 -专利权人： LG矽得荣株式会社
申请日： 2014-09-03 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用工艺气体流来生长外延层的外延晶片生长装置。该外延晶片生长装置包括：提供所述工艺气体在其中流动的区域的反应腔；环绕所述反应腔侧面的上部衬垫和下部衬垫；基座，所述基座布置在反应腔的中心，从而晶片布置在所述基座上；预热环，所述预热环布置与所述基座共面因此，使设置在所述下部衬垫上的预热环固定以在外延生长工艺中，使所述预热环与所述基座沿所有的方向维持预定的距离，从而能够以恒定的方式控制反应气体流向晶片，以在所述晶片的边缘处形成均匀的外延厚度。
外延晶片生长装置

[发明专利]在3C-SiC衬底上制备结构化石墨烯的方法-CN201210158547.5无效
发明人：郭辉;张晨旭;张克基;张玉明;张凤祁;邓鹏飞;雷天民 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明采用在Si衬底基片上先生长一层碳化层作为过渡；然后在温度为1150℃-1300℃下进行3C-SiC薄膜异质外延生长，生长气源为C3H8和SiH4；再在3C-SiC样片表面淀积一层0.5-1μm厚的SiO2，并在SiO2上刻出结构化图形窗口；然后将裸露的3C-SiC在800-1000℃下与气态CCl4反应，生成双层碳膜；再在Ar气中温度为1000-1100℃下退火10-20min，在刻出的窗口位置生成双层结构化石墨烯本发明具有双层结构化石墨烯表面光滑，孔隙率低的优点，可用于制作微电子器件。
sic 衬底制备结构化石方法

[发明专利]一种垂直结构功率器件外延层的生长方法及其功率器件-CN201410785079.3在审
发明人：苗操;伊迪亚·乔德瑞;杨秀程;朱廷刚;艾俊;王科 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直结构功率器件外延层的生长方法及其功率器件，该生长方法主要包括以下步骤：1）在光滑的衬底上生长一层或多层外延过渡层；2）对所述外延过渡层的表面进行部分蚀刻处理，以形成具有粗糙面的外延过渡层；3）在经过步骤2）处理后的所述外延过渡层的粗糙面上再生长一层目标外延层，本发明的生长方法，步骤简单、易于实施，经本方法生长的外延层不仅质量好，而且在后续将衬底剥离后，该外延层仍能保持较好的平整性，有利于后续的工艺加工
一种垂直结构功率器件外延生长方法及其

[发明专利]嵌入式外延层的制造方法-CN202010473990.6在审
发明人：涂火金;刘厥扬;胡展源 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种嵌入式外延层的制造方法，包括步骤：步骤一、采用干法刻蚀工艺在硅衬底中形成U型凹槽；步骤二、在凹槽中填充嵌入式外延层，包括分步骤：步骤21、进行外延生长形成缓冲层；步骤22、进行外延生长形成主体层，在主体层的生长过程中会形成颗粒缺陷；步骤23、在相同的外延生长腔体通入刻蚀气体进行回刻以去除颗粒缺陷；步骤24、进行外延生长形成盖帽层。本发明能消除嵌入式外延层的外延生长过程中产生的颗粒缺陷，从而能提高产品的良率。
嵌入式外延制造方法

[发明专利]一种氮化镓的外延生长方法及氮化镓层的制备方法-CN202310106414.1在审
发明人：常娟雄;王一;黄永;卢灏;邱慧嫣;程晨言;陈兴;陈财;龚子刚;万坤;董栩婷;邵语嫣;薛荣宇;王东;吴勇;韩超 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓的外延生长方法及氮化镓层的制备方法，其中氮化镓的外延生长方法包括如下步骤：在衬底上生长牺牲层；牺牲层内具有形成蜂窝状结构的多个外延孔，外延孔贯穿牺牲层，且外延孔远离衬底的一端的直径小于靠近衬底的一端的直径；在外延孔内以及牺牲层上外延生长氮化镓层。本发明中的方法，能够过滤来自衬底的穿透位错，减小了生长于牺牲层上方的氮化镓层的开裂的可能性，实现高质量氮化镓层的外延生长。
一种氮化外延生长方法制备

[发明专利]一种在GaAs衬底上生长GaSb外延片的方法及GaAs基衬底-CN202010570826.7在审
发明人：徐云;苏大鸿 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种在GaAs衬底上生长GaSb外延片的方法及GaAs基衬底。所述方法包括：在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层，在所述GaAs缓冲层上沉积Ga原子层，在所述Ga原子层上外延生长界面失配位错阵列IMF，在所述界面失配位错阵列IMF上外延生长GaSb外延层。减少穿透位错的产生，简化外延生长过程，提高了生长效率。
一种 gaas 衬底生长 gasb 外延方法

[发明专利]Ⅱ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法-CN201210037639.8无效
发明人：张艳华;马文全;曹玉莲 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-02-17 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种InAs/GaSbⅡ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法，包括：选择一衬底，作为外延层的承载体；在该衬底上外延生长缓冲层；降温，在该缓冲层上外延生长p型掺杂的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格层；在该p型掺杂的InAs/GaSbⅡ类超晶格层上外延生长本征InAs/GaSbⅡ类超晶格吸收层；在该本征InAs/GaSbⅡ类超晶格吸收层上外延生长n型掺杂的InAs/GaSbⅡ类超晶格层；在该n型掺杂的InAs/GaSbⅡ类超晶格层上外延生长n型掺杂的InAs盖层，完成InAs/GaSbⅡ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长。
晶格光谱红外光电探测器材料外延生长方法

[发明专利]碳化硅外延晶片及其制备方法-CN201380034721.8有效
发明人：姜石民 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：根据一个实施方案，提供一种制造外延晶片的方法，其包括在衬托器中准备晶片；以及在所述晶片上生长外延层，其中所述在所述晶片上生长外延层包括将原料供给到所述衬托器中；在所述晶片上以第一生长速度生长所述外延层；以及在所述晶片上以比所述第一生长速度更高的第二生长速度生长所述外延层。根据一个实施方案，提供一种碳化硅外延晶片，其包含碳化硅晶片；和所述碳化硅晶片上的碳化硅外延层，其中在所述碳化硅外延层上形成的表面缺陷为1ea/cm2以下。
碳化硅外延晶片及其制备方法

[发明专利]提高外延生长晶圆对位通过率的方法-CN202111344883.4在审
发明人：董俊;张顾斌;王雷 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高外延生长晶圆对位通过率的方法，其包括以下步骤：步骤一，获取原始版图；步骤二，光刻进行精准对位需要在原始版图中放置光刻对位标记；步骤三，将光刻对位标记通过刻蚀的方法留在晶圆上；步骤四，将刻有光刻对位标记的晶圆进行外延生长，生成外延生长图形，光刻对位标记会由于外延过程特有的延晶向生长的特点，会发生漂移的图形以及变形的图形，通过利用视觉成像镜头可调整焦距的特点以及外延生长图形的固定生长方向、漂移方向特点，过滤掉外延生长后光刻对位标记形成的杂波以及干扰图形，获取到光刻对位标记在外延生长前较为棱角分明的对位标记信号。本发明可以过滤掉外延生长后光刻对位标记形成的杂波以及干扰图形。
提高外延生长对位通过方法

[发明专利]一种外延生长温度测量方法以及外延设备温度校准方法-CN202210064387.1在审
发明人：王凯华;许健;严瑶 -专利权人：厦门士兰集科微电子有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：公开了一种外延生长温度测量方法以及外延设备温度校准方法，所述外延生长温度测量方法包括将待测衬底置于外延设备的腔体内进行外延生长；获取所述待测衬底在所述腔体内外延生长之后的当前对位标记参数；将所述当前对位标记参数与多个预设的标准对位标记参数进行对比，以获取所述腔体内的外延生长温度；其中，不同的标准对位标记参数对应不同的温度，与当前对位标记参数差异最小的标准对位标记参数所对应的温度为所述待测衬底的外延生长温度。本发明通过将当前对位标记的参数与标准对位标记的参数进行对比来测量外延生长温度，以避免温度计测温不能模拟外延设备腔体内部的温度环境、人为测量误差及多次反复测量的问题。
一种外延生长温度测量方法以及设备校准方法

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