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[发明专利]成膜装置-CN201780012924.5有效
发明人：铃木邦彦;池谷尚久;深田启介;伊藤雅彦;镰田功穗;土田秀一;藤林裕明;上东秀幸;内藤正美;原一都;青木宏文;小泽隆弘 -专利权人：纽富来科技股份有限公司;株式会社力森诺科
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：提供能够抑制气体的蔓延、能够抑制由沉积物的附着引起的颗粒的发生、能够防止形成的膜发生结晶缺陷的成膜装置。供给部(4)具备：第1隔壁(32)；第2隔壁(401)，以规定间隔设置于第1隔壁的下部；第3隔壁(402)，以规定间隔设置于第2隔壁的下部；第1流路(431)，设置在供第1气体导入的第1隔壁与第2隔壁之间；第2流路(432)，设置在供第2气体导入的第2隔壁与第3隔壁之间；第1配管(411)，从第2隔壁一直到第3隔壁的下方，与第1流路连通；第2配管(421)，设置为包围第1配管，从第3隔壁一直到第3隔壁的下方，与第2流路连通；以及凸部，设置在第1配管的外周面(411c)或第2配管的内周面(421b)，从第1配管的外周面以及第2配管的内周面的一方朝向另一方突出。
装置

[发明专利]碳化硅晶片及其制造方法-CN202211656107.2在审
发明人： 藤林裕明;长屋正武;大原淳士;星真一;金村高司 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：碳化硅晶片，其包括：基础晶片(20)，其由碳化硅制成并掺杂有n型杂质；和外延层(30)，其布置在基础晶片(20)的主表面(20a)上，由碳化硅制成并掺杂有n型杂质。基础晶片(20)具有厚度t1和平均杂质浓度n1，外延层(30)具有厚度t2和平均杂质浓度n2。基础晶片(20)和外延层(30)被构造为满足数学公式1：[式1]‑0.01780.012+(t2/t1)×0.057‑(n2/n1)×0.029‑{(t2/t1)‑0.273}×{(n2/n1)‑0.685}×0.1080.0178。
碳化硅晶片及其制造方法

[发明专利]成膜装置-CN201711130137.9有效
发明人：铃木邦彦;池谷尚久;矢岛雅美;原一都;藤林裕明;松浦英树;铃木克己 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明的实施方式的成膜装置具备：成膜室，可收容基板；气体供给部，设置在成膜室的上部，具有向基板的成膜面上供给气体的多个喷嘴；加热器，对基板进行加热；以及第一保护罩，在与气体供给部的多个喷嘴相对应的位置具有多个开口部。
装置

[发明专利]用于制造半导体器件的设备-CN202210131974.8在审
发明人： 藤林裕明;小出雄也;森博隆 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：一种用于制造半导体器件的设备。该设备包括成膜装置(53)、第一检测器(55)和第二检测器(56)。成膜装置形成用于埋封布置在半导体装置中的衬底(100)处的沟槽的埋封层。第一检测器检测衬底的设置有沟槽的第一区域(102)的状态。第二检测器检测衬底的第二区域(103)的状态，第二区域布置在第一区域的外部。成膜装置基于与第一区域的状态对应的第一检测结果和与第二区域的状态对应的第二检测结果之间的差小于或等于阈值的条件，结束埋封层的成膜。
用于制造半导体器件设备

[发明专利]SiC外延晶片及其制造方法-CN201880032744.8有效
发明人：深田启介;石桥直人;坂东章;伊藤雅彦;镰田功穗;土田秀一;原一都;内藤正美;上东秀幸;藤林裕明;青木宏文;杉浦利和;铃木克己 -专利权人：昭和电工株式会社;一般财团法人电力中央研究所;株式会社电装
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本实施方式的SiC外延晶片的制造方法具有外延生长工序，所述外延生长工序中，向所述SiC单晶基板的表面供给Si系原料气体、C系原料气体和具有Cl元素的气体，在所述SiC单晶基板上生长所述外延层，所述外延生长工序的生长条件中，成膜压力为30托以下，Cl/Si比为8～12，C/Si比为0.8～1.2，生长速度从生长初期起为50μm/小时以上。
sic 外延晶片及其制造方法

[发明专利]半导体制造装置-CN201980088935.0在审
发明人： 藤林裕明;竹内有一 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：半导体制造装置具有：薄膜形成部(10)，具有腔室(11)，该腔室具备设置基板(17)的设置台(13)并将基板加热、并且导入使薄膜(18)在基板之上生长的供给气体；以及供给气体单元(20，30)，向腔室内导入供给气体。供给气体单元具有：供给配管(100a～100e，110a～110c)，供给来自气体导入源(21a～21e，31a～31c)的气体；原料用的流量控制器(22a～22e，32a～32c)；集合配管(101，111)，在比流量控制器靠下游侧生成混合气体；分配配管(102a～102e，112a～112c)，连接到集合配管的下游侧；压力控制器(24，34)，调整混合气体压力；以及分配用的流量控制器(23a，23b，33a，33b)，控制混合气体的流量。
半导体制造装置

[发明专利]SiC外延晶片及其制造方法-CN201780082719.6在审
发明人：深田启介;石桥直人;坂东章;伊藤雅彦;镰田功穗;土田秀一;原一都;内藤正美;上东秀幸;藤林裕明;青木宏文;杉浦利和;铃木克己 -专利权人：昭和电工株式会社;株式会社电装
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种SiC外延晶片，具有主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角的SiC单晶基板、和设置于所述SiC单晶基板上的外延层，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm²以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm²以下。
单晶基板外延晶片外延层基底面偏离角主面相位错制造

[发明专利]成膜装置-CN201711130148.7在审
发明人：铃木邦彦;池谷尚久;矢岛雅美;原一都;藤林裕明;松浦英树;铃木克己 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明的实施方式的成膜装置具备：成膜室，收容基板并进行成膜处理；气体供给部，设置在成膜室的上部，并向基板上供给气体；以及加热器，对基板进行加热；成膜室具有温度上升抑制区域，所述温度上升抑制区域位于气体供给部的下部，并且抑制供给到加热器上部的气体的温度上升。
成膜室加热器气体供给部成膜装置成膜处理供给气体收容基板对基板基板加热

[发明专利]成膜装置以及成膜方法-CN201210544538.X无效
发明人：铃木邦彦;佐藤裕辅;伊藤英树;土田秀一;镰田功穂;伊藤雅彦;内藤正美;藤林裕明;安达步;西川恒一 -专利权人：纽富来科技股份有限公司;财团法人电力中央研究所;株式会社电装;丰田自动车株式会社
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明涉及成膜装置以及成膜方法，用于抑制原料气体在喷淋板上的反应。成膜装置（100）使用喷淋板（124）朝向腔室（103）内的基板（101）供给多种气体。喷淋板（124）具有按照沿着基板（101）侧的第1面的方式在其内部延伸，与供给多种的各气体的气体管（131）连接的多个气体流路（121）；和被贯穿设置成将该多个各气体流路（121）与腔室（103）内在第1面侧连通的多个气体喷出孔（129）。在成膜装置（100）中，从气体管（131）供给到喷淋板（124）的多个气体流路（121）的多种的各气体在喷淋板（124）的内部以及附近不混合地分别从气体喷出孔（129）向基板（101）供给。
装置以及方法

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