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[发明专利]磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法-CN00129590.X无效
发明人：陈诺夫;杨君玲;何宏家;钟兴儒;吴金良;林兰英 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2000-10-08 - 公布日： 2004-01-07 - 主分类号： H01L21/208 文献下载
摘要：一种磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法，步骤如下以砷化镓单晶片为衬底；用石墨或石英制成生长容器；将纯镓、纯锰和砷化镓晶体按比例放入生长容器中，在外延炉中经充分溶解、混合后，在过冷度下进行外延生长；生长溶液中x和y为原子比；在砷化镓等单晶片衬底上直接生长外延层；在衬底上生长单层结构，或生长多层结构；生长温度范围573K-1073K。
磁性半导体异质液相外延生长方法

[发明专利]用于生长半导体超薄外延结构的一种外延层-CN201910643463.2有效
发明人：游正璋;马后永;李起鸣 -专利权人：上海显耀显示科技有限公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于生长半导体超薄外延结构的一种外延层，外延层从下往上依次包括第一外延层、第二外延层，位于第一外延层与第二外延层之间的电子流扩散层；第一外延层、第二外延层和电子流扩散层的导电类型相同。本发明的外延层能够有效减小外延层表面的应力，为后续材料层的生长提供了良好的生长界面，从而提高超薄外延结构的质量和最终所制备的器件的性能。
用于生长半导体超薄外延结构一种

[发明专利]在半导体基底上同时生长单晶和多晶的方法-CN201210181336.3有效
发明人：刘继全;高杏 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-06-04 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅基底上同时生长单晶硅和多晶硅的方法，包括步骤：在硅基底上依次生长二氧化硅掩蔽层和多晶硅籽晶层；采用光刻刻蚀工艺在硅基底上刻蚀出单晶硅生长区域；采用外延生长工艺在单晶硅生长区域内生长单晶硅、同时在多晶硅生长区域内生长多晶硅。本发明的外延生长工艺中，通过使生长温度设置在较低值，能降低多晶硅的表面的粗糙度；以及通过调整外延生长工艺中的压强，能使多晶硅和单晶硅的外延生长速率相同，从而能使外延生长后硅基底表面平整，提高硅基底的表面平整度
半导体基底同时生长多晶方法

[发明专利]一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法-CN200610152201.9无效
发明人：郝瑞亭;周志强;任正伟;徐应强;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-09-18 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在砷化镓(GaAs)衬底上外延生长锑化镓(GaSb)的方法，该方法采用双缓冲层生长工艺，具体包括：A.在580℃条件下在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；B.在550℃条件下在生长的GaAs缓冲层上生长锑化铝(AlSb)缓冲层；C.在400至500℃条件下在生长的AlSb缓冲层上生长GaSb外延层。利用本发明，将单缓冲层工艺改变为双缓冲层工艺，先在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层，然后在生长的GaAs缓冲层上生长AlSb缓冲层，最后在生长的AlSb缓冲层上生长GaSb外延层，使其促进外延层二维生长的特性，从而有效提高了GaSb外延层的晶体质量和表面平整度。
一种砷化镓衬底外延生长锑化镓方法

[发明专利]外延硅片和外延硅片的制造方法-CN201480063950.7有效
发明人：鸟越和尚;小野敏昭;中村浩三 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2014-09-12 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：外延硅片的制造方法具备如下工序：使外延膜在硅片的表面生长的外延膜生长工序（步骤S3）、以及将外延硅片的温度从使外延膜生长时的温度开始下降的降温工序（步骤S4），降温工序中控制外延硅片的降温速率，以使外延膜中的不包括该外延膜的表面在内的位置的氧浓度达到
外延硅片制造方法

[发明专利]应用于外延工艺中的光刻套刻标记的制备方法-CN201010511407.2有效
发明人：王雷;孟鸿林 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-10-19 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于外延工艺中的光刻套刻标记的制备方法，其中光刻套刻标记包括外延生长前的被对准层图形和外延生长后的对准层图形，根据外延时一维图形的生长速度和二维图形的生长速度的差异，在被对准层图形的光刻掩膜版的四角对称地增加或减掉具有补偿生长速度差异的补偿图形采用本发明的制备方法，能降低因生长速度不同引起的外延畸变。
应用于外延工艺中的光刻标记制备方法

[发明专利]一种生长高表面质量超厚IGBT结构碳化硅外延材料的方法-CN201911248802.3在审
发明人：赵志飞;李赟;王翼;周平;李忠辉 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种生长高表面质量超厚IGBT结构碳化硅外延材料的方法。该方法首先生长高掺p型外延层，而后进行化学机械抛光（CMP）处理表面，再进行原位刻蚀进一步处理损伤层，然后生长超厚n型外延层。可在生长超厚n型外延层过程中，重复抛光、原位刻蚀和外延步骤一次或更多次，最终实现高表面质量的超厚IGBT结构外延生长。本发明方法可以解决生长100微米甚至200微米以上的IGBT结构外延材料的表面台阶聚束问题，大力推进SiC IGBT器件走向实际应用，具有较高的推广价值。
一种生长表面质量 igbt 结构碳化硅外延材料方法

[发明专利]微型发光二极管外延片的生长方法-CN202011040907.2有效
发明人：姚振;从颖;董彬忠;李鹏 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种微型发光二极管外延片的生长方法，生长方法包括：在衬底上生长外延层；在衬底上生长外延层时，在反应腔腔盖通入吹扫气体，将反应腔内产生的副产物吹扫到反应腔的尾气端，使副产物排到反应腔外；吹扫气体的使用量与各层生长所需的MO源使用量、各层生长所需的反应气体的流量、各层的生长厚度、各层掺杂浓度均呈正相关；吹扫气体的使用量还与外延层各层的生长阶段相关，外延层各层的生长阶段分为初始生长阶段、中间生长阶段和结束生长阶段，吹扫气体在中间生长阶段时的使用量大于在初始生长阶段和结束生长阶段时的使用量该生长方法可以减少外延片生长过程中表面颗粒物的产生，形成优良表面，保证微型发光二极管的发光效果。
微型发光二极管外延生长方法

[发明专利]一种硅外延片的制造方法-CN201611221262.6有效
发明人：刘勇;金龙;谭卫东 -专利权人：南京国盛电子有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延片的制造方法，其技术工艺在于：采用单片常压硅外延设备，首先要选择合适的H₂流量、温度和时间来对衬底硅片进行烘烤处理，去除表面的自然氧化层，保证外延前表面质量。第一层外延生长：在高浓度掺杂的衬底表面生长一层不掺杂的本征层，对衬底表面进行包封；控制本征层的生长温度、生长速率和生长时间，以达到理想的包封效果。第二层外延生长：采用SiHCl₃作为硅源，加大主H₂流量，通入合适流量HCl，以降低生长速率，生长较薄厚度符合器件要求的外延层。
生长衬底表面外延生长本征层包封高浓度掺杂自然氧化层衬底硅片硅外延片合适流量烘烤处理技术工艺器件要求掺杂的第一层硅外延前表面速率和外延层外延片常压单片硅源去除制造保证

[发明专利]一种发光二极管及其制备方法-CN201710875584.0在审
发明人：琚晶;马后永;展望;游正璋 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2017-09-25 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管及其制备方法，包含：第一外延导电层，生长在衬底上，具有第一导电类型；外延过渡层，生长在第一外延导电层上，具有第一导电类型；多量子阱结构层，生长在外延过渡层上；第二外延导电层，生长在多量子阱结构层上，具有第二导电类型；其中，外延过渡层在生长过程中，通过控制其具有高于第一外延导电层及多量子阱结构层的碳含量，调整该层为微缺陷晶体结构，缓冲第一外延导电层与多量子阱结构层之间的应力。本发明通过在第一外延导电层与多量子阱结构层之间生长外延过渡层来缓冲两者间的应力，并通过控制该外延过渡层中的碳杂质含量来调节第一外延导电层获得好的外延晶体质量，有效提升发光二极管的光电性能及可靠性。
导电层多量子阱结构层过渡层发光二极管生长第一导电类型缓冲制备导电类型光电性能晶体结构生长过程外延晶体碳杂质微缺陷衬底

[发明专利]一种GAAFET氮化镓场效应晶体管的制备方法-CN202111421947.6在审
发明人：刘新科;高麟飞;黎晓华;宋利军;黄双武 -专利权人：深圳大学
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种GAAFET氮化镓场效应晶体的制备方法，包括：在单晶衬底的表面刻蚀形成中间垂直凸出的纳米线，在纳米线两侧的刻蚀表面生长氧化层使氧化层与纳米线的高度齐平，并蒸镀金属膜，经剥离、退火形成栅极；在栅极表面生长氧化层后外延生长Si外延层，并刻蚀Si外延层至栅极氧化层的高度，在垂直于纳米线的方向上生长长条形氮化镓，形成第一纳米线，生长氧化层蒸镀金属膜，剥离、退火；生长氧化层并外延生长Si外延层，在垂直于纳米线的方向上生长长条形氮化镓，形成第二纳米线，并生长氧化层蒸镀金属膜，剥离、退火；选择性刻蚀外延生长Si外延层，在第一纳米线和第二纳米线的两端蒸镀金属，经剥离、退火形成欧姆电极。
一种 gaafet 氮化场效应晶体管制备方法

[发明专利]深沟槽的硅外延填充方法-CN201110238539.7无效
发明人：刘继全;肖胜安;季伟;于源源 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-08-19 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明公开了一种深沟槽的硅外延填充方法，可应用于超级结MOSFEFT，该方法包括以下步骤：1)在硅衬底上生长一层N型外延层；2)在该N型外延层上生长一层介质膜；3)以该介质膜为掩模，在该N型外延层上刻蚀出沟槽；4)进行硅外延生长，用P型硅外延填充沟槽；5)对硅片表面进行平坦化；6)重复一次步骤4)和5)，进行第二次硅外延生长和硅片表面的平坦化。该硅外延填充方法通过两次反型硅外延生长和硅片表面平坦化工艺，获得了在沟槽内无空洞或较小空洞的硅外延层，从而提高了超级结MOSFET器件的击穿电压。
深沟外延填充方法

[发明专利]改善硅外延片背面边缘长硅的方法-CN202210260870.7在审
发明人：米姣;薛宏伟;袁肇耿;刘永超;侯志义;任丽翠 -专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种改善硅外延片背面边缘长硅的方法，属于硅外延生长技术领域，方法包括：外延生长前，向外延反应腔室内通入大流量的气态HCl，刻蚀去除外延反应腔室以及基座内沉积的硅；外延生长采用化学气相沉积法，将具有特定弯曲度的衬底放入基座的片坑内，且衬底向远离基座的方向弯曲；外延生长之后，将外延片取出，再次向外延反应腔室通入大流量的气态HCL。本发明由于采用了具有特定弯曲度的衬底，及外延生长前后均采用大流量的气体刻蚀清洗，因此可以明显改善硅外延片背面边缘长硅问题，减小硅外延片边缘局部平整度，避免后道光刻聚焦不良问题，满足后道工序光刻要求，从而能够提高光刻图形的位置准确性
改善外延背面边缘方法

[发明专利]Ⅲ族氮化物结构及其制作方法-CN202080097533.X在审
发明人：程凯;刘慰华 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本申请提供了一种Ⅲ族氮化物结构及其制作方法，制作方法中，先以图形化的第一掩膜层为掩膜，对第一Ⅲ族氮化物外延层刻蚀形成凹槽；再至少在凹槽的底壁形成第二掩膜层，以第二掩膜层为掩膜，对第一Ⅲ族氮化物外延层进行第一次外延生长，以横向生长形成填满凹槽的第二Ⅲ族氮化物外延层；之后对第二Ⅲ族氮化物外延层进行第二次外延生长，以在第二Ⅲ族氮化物外延层以及图形化的第一掩膜层上生长形成第三Ⅲ族氮化物外延层。由于第一Ⅲ族氮化物外延层的位错主要为在厚度方向延伸的位错，因而生长方向为横向生长的第一次外延生长可以阻断位错继续向上延伸，从而可以显著降低第二Ⅲ族氮化物外延层以及第三Ⅲ族氮化物外延层的位错密度。
氮化物结构及其制作方法

[发明专利]一种FinFET源漏外延三层结构及其形成方法-CN201911352504.9在审
发明人：雷海波;田明;宋洋;廖端泉 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供一种FinFET源漏外延三层结构及其形成方法，在PMOS区的源、漏上外延生长掺杂B的SiGe的轻掺杂结构；在SiGe的轻掺杂结构上外延生长含碳薄掺杂层；在含碳薄掺杂层上外延生长掺杂B的SiGe的重掺杂结构；在PMOS区的源、漏上外延生长掺杂P的Si轻掺杂结构；在掺杂P的Si轻掺杂结构上外延生长含碳薄掺杂层；在碳薄掺杂层上外延生长掺杂P的Si重掺杂结构。本发明在两层之间引入含碳薄掺杂层，利用碳抑制掺杂物扩散的特性，增强外延在高温退火过程掺杂梯度的稳定性，从而提高器件稳定性。
一种 finfet 外延三层结构及其形成方法