[其他]二维电子气发射极半导体器件无效
| 申请号： | 85107336 | 申请日： | 1985-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN85107336A | 公开（公告）日： | 1987-05-20 |
| 发明（设计）人： | 朱恩均 | 申请（专利权）人： | 南京电子器件研究所 |
| 主分类号： | H01L29/70 | 分类号： | H01L29/70;H01L29/00 |
| 代理公司： | 电子工业部专利服务中心 | 代理人： | 许兆鹏 |
| 地址： | 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | N型半导体基片用离子注入工艺制成P型基区之后，用任何一种工艺方法例如CVD法淀积满足下列要求的发射极材料1)宽禁带、低空穴迁移率；2)电子亲和势低；3)与衬底材料间的界面态密度低、同时能重掺杂。则可制成二维电子气发射极半导体器件，即在发射极结界面的衬底材料一侧形成相当于重掺杂发射极的二维电子气层的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 电子 发射极 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、二维电子气发射极半导体器件。N型半导体基片用离子注入工艺(或任何一种工艺)制成P型基区之后，用任何一种工艺例如CVD工艺淀积满足下列要求的发射极材料：(1)宽禁带、低空穴迁移率；(2)电子亲和势低，(3)与衬底材料间的界面态密度低、同时能重掺杂。则可制成二维电子气发射极半导体器件，即在发射极结的衬底材料一侧形成相当于重掺杂发射极的二维电子气层的半导体器件。
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- 朱恩均 - 南京电子器件研究所
- 1985-10-03 - 1987-05-20 -
- N型半导体基片用离子注入工艺制成P型基区之后，用任何一种工艺方法例如CVD法淀积满足下列要求的发射极材料1)宽禁带、低空穴迁移率；2)电子亲和势低；3)与衬底材料间的界面态密度低、同时能重掺杂。则可制成二维电子气发射极半导体器件，即在发射极结界面的衬底材料一侧形成相当于重掺杂发射极的二维电子气层的半导体器件。
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