“吴郁”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果94个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种单级升压逆变器的混合六段直通调制方法-CN201711164775.2有效
发明人：李子楷;周玉斐;吴旗斌;何新安;吴郁;盛伦辉 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本发明公开了一种单级升压逆变器的混合六段直通调制方法，是四种直通插入方式的组合，将统六段直通调制（直通插入方式四）作为其中的一种直通插入方式，并另外提出三种直通插入方式。在相同的输出电压增益条件下，与传统六段直通调制方式相比，使用混合六段直通调制能够减小无源网络及桥臂开关管电压应力，减小桥臂开关管开关损耗及直通状态下的导通损耗，具有更高的变换效率。同时新调制方法能减小电感电流纹波，即减小了无源网络的电感体积。根据不同的输出电压增益可选择两种直通混合调制或四种直通混合调制，在增益较小时，四种直通混合调制的开关管电压应力及电感电流纹波均更小。
一种升压逆变器混合直通调制方法

[发明专利]一种逆阻IGBT的终端结构-CN202010102670.X有效
发明人：吴郁;李龙飞;王立昊;孙婉茹 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种逆阻IGBT的终端结构属于半导体领域，目前存在的终端面积过大，成本过高的现状，并且影响芯片的散热。针对这种情况提出了一种能够减小终端面积且不影响它耐压能力的终端结构。其特征在于：n环数量为一个；n环的两侧各有30—45个p环，且p环的峰值浓度大于1e18；两个p环之间引入了垂直于p环的n型和p型条形区，且构成的pn结垂直于p环；芯片的最外侧引入p型隔离区。垂直于p环的n型和p型条形区的峰值浓度小于1e16,且n型或p型条形区的宽度在2μm‑3μm。通过本项终端结构技术芯片的面积可以减少40％左右。
一种 igbt 终端结构

[发明专利]一种辐照加固的SiC超结MOS结构-CN202111167188.5有效
发明人：周新田;张仕达;贾云鹏;胡冬青;吴郁 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-10-03 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种辐照加固的SiC超结MOS结构，从下至上依次为N+漏区，P柱和N柱交替排列，位于N+漏区的上表面；左侧P‑base区、右侧P‑base区、左侧N‑source区、右侧N‑source区位于所述P‑base5的上表面；左中右三个P柱在芯片内部连为一体，并与左侧P‑plus区、右侧P‑plus相连；栅氧位于所述左侧N‑source区部分区域、右侧N‑source区部分区域、左侧P‑base区的预设区部分区域、右侧P‑base区的预设区部分区域、部分N柱的上表面；多晶硅栅，位于栅氧与隔离氧之间，栅氧位于最上端。本发明具有较强的抗辐照能力，同时具有栅漏电容低、开关损耗低、短路能力强的特点。
一种辐照加固 sic mos 结构

[发明专利]一种基于LDMOS器件内栅电荷补偿的抗总剂量方法-CN202111250922.4有效
发明人：王正江;胡冬青;贾云鹏;蒋佳烨;周新田;吴郁;李新宇 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种基于MOS器件内栅电荷补偿的抗总剂量效应的方法属于抗辐照半导体技术领域。本发明至少包括两种新型MOS器件结构和一种新型电路结构，能够大幅度增强LDMOS器件的抗辐照性能。本发明针对星载LDMOS在总剂量效应作用下产生的阈值漂移甚至是器件失效，提出在LDMOS栅极添加辅助栅极以共同构成复合栅极，再通过旁置的浮栅MOS来引入外部负压源。当总剂量效应使得LDMOS栅氧化层中积累一定量的正电荷后，通过浮栅MOS检测LDMOS阈值漂移程度，且其自身与外部负压源共同向LDMOS辅助栅极引入负电荷来抑制LDMOS的阈值漂移，并在LDMOS阈值回归正常范围后停止该过程，总体上达到将LDMOS阈值控制在合理范围内的效果。本发明可提高集成电路的抗辐照能力。
一种基于 ldmos 器件电荷补偿剂量方法

[发明专利]一种无人车实时局部路径规划方法-CN202310636186.9在审
发明人：吴俊英;成鹏;林希佳;唐晓炜;吴郁;明瑞浩;李鸿向 -专利权人：江苏金陵智造研究院有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G05D1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种无人车实时局部路径规划方法，提出一种实时局部路径规划及绕障技术，无人车在预先录制的全局路径和可允许变道范围内，进行实时局部路径规划和绕障计算，通过曲率和障碍物等约束条件剔除无效路径，设计评价函数对规划的局部路径进行代价计算，最终选择代价最小的路径为更新的路径；据此，无人车在整个运行过程中既能满足局部路径规划和绕障功能，又在目标全局路径范围内，本发明具有安全性高，可实施性强等优点，适宜在工业巡检和园区物流等领域的应用。
一种无人实时局部路径规划方法

[发明专利]一种基于平均无序度的基因组测序突变位点过滤方法-CN202310423663.3在审
发明人：吴郁;郭刚;邓望龙;任用;李诗濛 -专利权人：江苏先声医学诊断有限公司;南京先声诊断技术有限公司;北京先声医学检验实验室有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G16B20/30 文献下载
摘要：本申请属于生信分析技术领域，具体涉及一种基于平均无序度的基因组测序突变位点过滤算法，可用于突变位点假阳过滤。
一种基于平均无序基因组突变过滤方法

[发明专利]一种集成肖特基超势垒二极管的沟槽型SiC MOSFET结构-CN202310263723.X在审
发明人：周新田;李明伟;贾云鹏;胡冬青;吴郁 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2023-03-12 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种集成肖特基超势垒二极管的沟槽型SiC MOSFET结构，从下至上依次为漏极金属、N+衬底区、N‑漂移区、电流扩展层、P‑base区；P‑plus区，N‑source区均位于所述P‑base区预设区域的上表面，并相互并排，N‑source区位于左侧；栅极沟槽贯穿N‑source区、P‑base区，与电流扩展层接触，栅氧位于栅极沟槽内部；肖特基超势垒二极管沟槽贯穿P‑base区，与电流扩展层接触，肖特基超势垒二极管氧化层位于肖特基超势垒二极管沟槽内部。本发明有效抑制双极退化效应，使器件的功耗大大降低,还具有优秀的栅电荷特性、电容特性、反向恢复特性，以及较高的雪崩能力及短路能力的特点。
一种集成肖特基超势垒二极管沟槽 sic mosfet 结构

[实用新型]一种通用化车载底盘控制器-CN202222518053.5有效
发明人：吴豪;张云鹏;饶彬;张燕枝;牛坤;王璐阔;曹子健;吴郁;张轶男 -专利权人：江苏金陵智造研究院有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种通用化车载底盘控制器，包括控制模块、ADC模块、DAC模块、I/O模块以及通信模块；所述控制模块主要包含主控芯片、状态指示灯和控制软件等；所述ADC模块主要包含模拟量采集调理电路和固态继电器电路；所述DAC模块主要包含控制器模拟输出调理电路；所述的I/O模块主要包含输入光耦隔离电路和输出光耦隔离电路；通信模块主要包含CAN通信模块、485通信模块、232通信模块、USB通信模块和以太网通信模块。本实用新型解决了现有车载控制器外部接口匮乏、通用化差的问题；所有外部接口采用隔离方式，大大提高了控制器的抗干扰能力，并通过I/O扩展模块，丰富I/O接口，能够适应不同用户需求。
一种通用车载底盘控制器

[发明专利]一种具有半超结结构的快恢复二极管-CN202211106567.8在审
发明人：周新田;吴岳峰;张蕾;贾云鹏;吴郁;胡冬青;刘峰;刘洋 -专利权人：北京工业大学;阜新嘉隆电子有限公司
申请日： 2022-09-12 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种具有半超结结构的快恢复二极管涉及功率半导体技术领域。本发明采用掺杂不同的三层外延层，从上至下分为第一外延层，第二外延层和第三外延层，所述第一外延层采用低掺杂，位于P型区域之下，所述第二外延层采用高掺杂，位于第一外延层及第三外延层之间，所述第三外延层采用低掺杂，位于衬底层之上。本发明所述的结构可以有效降低反向击穿电压对对P型注入区掺杂浓度的敏感性，从而扩大了P型注入区的工艺窗口，同时增大了器件的反向击穿电压。
一种具有半超结结构恢复二极管

[发明专利]抽油机的工作状况的检测方法及装置-CN202111336196.8在审
发明人：张战敏;朱丹丹;闵贵芝;朱丽萍;吴郁;杨小平;谢唯一;刘重伯;刘玉芳;吴士仝;杜立红;李向一 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： E21B47/008 文献下载
摘要：本公开涉及一种抽油机的工作状况的检测方法及装置，上述方法包括：从抽油机工况数据库中获取抽油机的第一电参数数据，并对所述第一电参数数据进行数据预处理；使用经过所述数据预处理的第一电参数数据训练抽油机工况模型，使得所述抽油机工况模型学习并保存有所述第一电参数数据和所述抽油机的工况结果之间的对应关系，其中，所述抽油机工况模型为残差网络模型；使用训练后的抽油机工况模型对所述抽油机的工作状况进行检测。采用上述技术手段，解决现有技术中，在对抽油机的故障进行诊断，诊断过程繁琐、效率低等问题。
抽油机工作状况检测方法装置

[发明专利]平面型IGBT结构-CN202011330868.X有效
发明人：吴郁;方明;胡冬青;刘广海;薛云峰 -专利权人：北京工业大学;深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开平面型IGBT结构，包括芯片主体，所述芯片主体上设有多个平行分布的P阱，多个P阱间的步距由芯片主体的中心向边缘由小变大取值设置，且所述多个P阱围绕所述芯片主体的中心。通过对多个平行分布的P阱间的步距进行设置，使得多个P阱在芯片上的分布由中心向边缘由密变疏，该设置使得芯片中心区域的通态压降略高，周围区域的通态压降低，有效改善了芯片的散热性能及芯片上温度分布不均匀而导致的电流分布不均匀的情况，沟道沿(100)晶面的100晶向导电也提高芯片的导电性能。本发明的设计使平面型IGBT具有优异的散热一致性，防止芯片由于温度分布不均，某一点过热而导致烧毁，损毁整个芯片，大大提高芯片的可靠性。
平面 igbt 结构

[发明专利]一种具有内嵌沟道二极管的SiC MOSFET结构-CN201911040815.1有效
发明人：周新田;庞浩洋;贾云鹏;胡冬青;吴郁 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具有内嵌沟道二极管的SiC MOSFET结构，从下至上依次为漏极金属，衬底层，N‑漂移层，JFET区；P‑base区位于JFET区两侧，P‑base预设区域上表面为N+源区及P‑plus区；左侧N+源区、P‑base区以及部分JFET区上表面为MOSFET栅氧，右侧为厚度较薄的沟道二极管栅氧；MOSFET多晶硅栅位于MOSFET栅氧的上表面；沟道二极管多晶硅栅位于沟道二极管栅氧的上表面；隔离氧位于MOSFET多晶硅栅、沟道二极管多晶硅栅以及裸露的MOSFET栅氧和沟道二极管栅氧的上表面；源极金属位于N+源区、P‑plus区及隔离氧的上表面，且与沟道二极管多晶硅栅相连。
一种具有沟道二极管 sic mosfet 结构

[发明专利]一种内嵌沟道二极管的SiC MOSFET制备方法-CN201911040817.0有效
发明人：周新田;宫皓;贾云鹏;胡冬青;吴郁 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种内嵌沟道二极管的SiC MOSFET制备方法，具体包括在衬底层上表面依次生长N‑漂移层、JFET区；在JFET区两侧形成P‑base区；在P‑base区形成N+源区和P‑plus区；在JFET区、N+源区、P‑plus上表面形成MOSFET栅氧以及厚度较薄的沟道二极管栅氧；在MOSFET栅氧及沟道二极管栅氧的上表面形成MOSFET多晶硅栅和沟道二极管多晶硅栅；在MOSFET多晶硅栅及沟道二极管多晶硅栅上表面淀积SiO2以形成隔离氧；在器件正面溅射源极金属，在器件背面溅射漏极金属。
一种沟道二极管 sic mosfet 制备方法

[发明专利]一种具有内嵌沟道二极管的双沟槽SiC MOSFET结构及其制备方法-CN201911361615.6有效
发明人：贾云鹏;夏天;周新田;赵元富;胡冬青;吴郁 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具有内嵌沟道二极管的双沟槽SiC MOSFET结构及其制备方法，结构包括：N‑漂移层；衬底层；漏极金属；JFET区；P‑base区；N+源区；P‑region区；P‑plus区；MOSFET栅氧；沟道二极管栅氧，厚度要小于MOSFET栅氧；MOSFET多晶硅栅；沟道二极管多晶硅栅；隔离氧；源极金属。一方面，在电路中充当续流二极管的作用时，完全消除传统SiC MOSFET结构因少数载流子复合发生的双极退化效应，并且具备更低的开启电压，减小了功率损耗；另一方面，器件的输入电容、转移电容及栅电荷特性得到了极大改善。此外，相比传统器件的制造方法，只增加了一步刻蚀栅氧工艺，控制了制作成本。
一种具有沟道二极管沟槽 sic mosfet 结构及其制备方法

[发明专利]一种用于卵巢癌早期诊断的生物标志物及其应用-CN202211651535.6有效
发明人：李默;郭红燕;吴郁;王攀;姜月宁;岳威;马稷红;肖依楠;顾晓阳 -专利权人：北京大学第三医院（北京大学第三临床医学院）
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G01N33/574 文献下载
摘要：本发明提供了一种可用于卵巢癌早期诊断的生物标志物组合，所述的代谢标志物组合包括酪氨酸(tyrosine)、苯丙氨酸(phenylalanine)、丙氨酸(beta‑alanine)、去甲肾上腺素(norepinephrine)、香草扁桃酸(VMA)、12‑羟基十七碳三烯酸(12S‑HHT)和海茴香烯炔二醇(crithmumdiol)。基于本发明的宫腔液代谢标志物，可以从良性对照中诊断出早期卵巢癌；并且具有优于CA125的诊断效果。
一种用于卵巢癌早期诊断生物标志及其应用

1
2
3
4
5
6
7
下一页»
尾页
共 94 条