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[发明专利]一种铂薄膜及其制作方法-CN202210350962.4在审
发明人：吕伟明;范亚明;王逸群;时文华;曾中明;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：提供了一种铂薄膜及其制作方法，所述制作方法包括：利用抛光液对陶瓷衬底进行化学机械抛光处理，以获得具有预定粗糙度的陶瓷衬底；在预定的衬底温度下，利用磁控溅射法在陶瓷衬底上沉积形成铂薄膜；对铂薄膜进行退火处理。本发明通过采用化学机械抛光处理以及多次溅射的方式制备获得了具有厚度薄、方阻低、均一性高、成本低等优点的铂薄膜，实现了在厚度较薄的条件下，铂薄膜的电学性能与厚膜的性能相当，在保证良好性能的同时降低了生产成本。因此，将其应用于电阻温度传感器中，不仅有利于满足电阻温度传感器产品对环境温度的精准测量的要求，还有利于降低电阻温度传感器的生产成本，提高生产效率。
一种薄膜及其制作方法

[发明专利]抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器及信息存储方法-CN202211068186.5在审
发明人：方彬;范亚明;曾中明 -专利权人：江西省纳米技术研究院
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器及信息存储方法。所述抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器包括至少一个磁存储单元，所述磁存储单元包括依次层叠设置的第一反铁磁层、磁性存储层、非磁性层、铁磁固定层以及第二反铁磁层，其中，所述磁性存储层和铁磁固定层的磁矩取向平行或反平行，并且所述磁性存储层的磁矩取向能够随通入所述第一反铁磁层的电流改变，且所述磁性存储层在零磁场时只对应一种电阻状态。本发明提供的一种抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器具有抗外部磁场干扰、热稳定性高等特点。
磁场干扰自旋轨道磁性随机存储器信息存储方法

[发明专利]MOSFET器件及其制作方法-CN202310952551.7在审
发明人：曾春红;江磊枫;孙玉华;崔奇;董志华;张宝顺;曾中明 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOSFET器件及其制作方法。MOSFET器件包括器件结构层以及与所述器件结构层匹配的源极、漏极和栅极，所述器件结构层包括漂移区、沿第一方向依次层叠设置在所述漂移区的第一区域上的基区、欧姆接触区以及沿第一方向层叠设置在所述漂移区的第二区域上的源区，所述源区沿第二方向设置在所述基区、所述欧姆接触区的两侧且与所述基区、所述欧姆接触区邻接，所述源区与所述漂移区之间的界面为阶梯结构。本发明提供的MOSFET器件的反向击穿电压更高、正向导通性能更好。
mosfet 器件及其制作方法

[发明专利]基于多波长超表面元件的三维重建系统及三维重建方法-CN202310784436.3在审
发明人：王逸群;吴东岷;陈辰;吕柏莹;张宝顺;曾中明 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多波长超表面元件的三维重建系统及三维重建方法，三维重建系统包括光源模组、超表面元件、采集模组以及计算模组。光源模组出射多波长光束；超表面元件设置于光束的出射路径上，超表面元件用于将光源模组出射的光束投影成结构光点云，其中，不同波长的光束被投影成不同尺寸或不同位置的结构光点云单元，多个结构光点云单元相互交叠、交错或规律分布，形成结构光点云投影图案；采集模组采集结构光点云投影图案经被测物体反射后的投影图案信息；以及计算模组根据采集模组采集的投影图案信息，计算被测物体的三维信息。本发明的基于多波长超表面元件的三维重建系统，对比单波长三维重建系统，通过投影点密度的成倍增加，提高了三维重建系统分辨率和精度，并通过多个结构光点云分布方式，减少了三维信息的丢失。
基于波长表面元件三维重建系统方法

[发明专利]强自旋轨道耦合结构、制备方法及SOT器件-CN202310441435.9在审
发明人：李尚坤;胡瑞;雒雁翔;曾中明 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明揭示了一种强自旋轨道耦合结构、制备方法及SOT器件，所述强自旋轨道耦合结构的制备方法包括以下步骤：提供一硅衬底；基于磁控溅射工艺，分别采用单质铋靶和单质铂靶在所述硅衬底上交替沉积单质铋薄膜和单质铂薄膜，得到铂铋合金薄膜；基于磁控溅射工艺，在铂铋合金薄膜上沉积覆盖层。本发明基于磁控溅射，采用单质铋靶和单质铂靶交替生长单质铋薄膜和单质铂薄膜并结合退火工艺的方式制备强自旋轨道耦合结构中的铂铋合金薄膜，具有大面积、表面原子级平整、成分精确可控等优点。
自旋轨道耦合结构制备方法 sot 器件

[发明专利]光刻载片托盘及其制作方法-CN202310448675.1在审
发明人：尹立航;吕伟明;翟豪;华秀竹;祝伟;王逸群;曾中明 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻载片托盘以及其制作方法，光刻载片托盘包括托盘本体以及具有弹性形变的限位件；托盘本体上设置有容纳载片的容置槽；限位件设置于所述托盘本体上且部分延伸至所述容置槽内，所述限位件能提供垂直于所述容置槽深度方向上或者沿所述容置槽深度方向上的抵持力，以对所述容置槽内的载片进行限位。本发明的光刻载片托盘能够对放置于其上的样品实现准确限位，以实现小尺寸样品的高精度、对准光刻工艺，同时提高现有光刻机对样品尺寸的兼容性。
光刻托盘及其制作方法

[发明专利]一种应变传感器及其制作方法-CN202010301342.2有效
发明人：吴伟灿;曾中明;蔡佳林;张黎可;林文魁 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种应变传感器，包括柔性衬底及依序层叠设置于柔性衬底上的第一电极层、磁隧道结器件和第二电极层；其中，磁隧道结器件的电阻随着应变传感器所受应变的变化而改变。本发明还公开了上述应变传感器的制作方法。本发明解决了现有的应变传感器电阻变化率较小、并且随着使用时间传感性能变差，最终导致无法正常工作的问题。
一种应变传感器及其制作方法

[发明专利]用于TDL-TDC的神经网络测量校准系统和方法-CN202111470307.4在审
发明人：吴东岷;许玥;张宝顺;曾中明 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G04F10/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于TDL‑TDC的神经网络测量校准系统和方法，该系统包括：TDL‑TDC模块，采用码密度校准法完成对延迟链的初始校准，获得初始校准值；温度传感模块，采集FPGA芯片上系统运行温度，获得运行温度信息；上位机神经网络校准模块，搭建多层学习网络，将所述的运行温度信息和初始校准值作为网络的输入，输出为延迟单元的延迟时间，建立温度信息与延迟单元的延迟时间之间对应的非线性变化关系。本发明通过学习网络找出延迟单元延迟时间数据与温度数据之间对应的非线性变化关系，在实际工作时仅需通过一次校准和温度的采集即可得到当前延迟链各段单元更加精确的非线性校准结果。
用于 tdl tdc 神经网络测量校准系统方法

[发明专利]晶振元件的封装结构及封装方法-CN202310126037.8有效
发明人：张琪;王逸群;姜春宇;吴东岷;曾中明;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H03H9/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶振元件的封装结构及封装方法，晶振元件的封装结构包括晶圆体、基板以及恒温晶振元件。所述晶圆体内形成有真空腔室，所述真空腔室的腔室壁上设置有在厚度方向贯穿所述腔室壁的导电柱；所述基板设置于所述真空腔室内，所述基板包括主体部以及与所述主体部间隔设置的支撑部，所述主体部悬空设置于所述真空腔室内，所述支撑部支撑于晶圆体的所述腔室壁上且通过绝热薄膜与所述主体部相连接；所述恒温晶振元件位于所述真空腔室内且设置于所述基板的主体部上，所述恒温晶振元件电连接所述导电柱。本发明的晶振元件的封装结构，采用独特的真空悬挂式封装结构，具有非常小的物理尺寸、低功耗、快速预热和严格的温度稳定性。
元件封装结构方法

[发明专利]在SiC衬底上生长III族氮化物薄膜的方法及应用-CN202211563222.5在审
发明人：邓旭光;张宝顺;董晟园;曾春红;曾中明 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种在SiC衬底上生长III族氮化物薄膜的方法及应用。所述方法包括：采用NH3对SiC衬底进行预处理，预处理使SiC衬底表面的晶格台阶间距变大；在经过预处理的SiC衬底表面生长III族氮化物薄膜，包括周期性循环生长的第一生长过程和第二生长过程；第一生长过程采用第一V/III，第二生长过程采用第二V/III，且第一V/III大于第二V/III。本发明所提供的方法通过预处理与交替循环生长的结合，能够显著地控制薄膜内残余应力，很大程度地将薄膜的残余应力控制为适当的残余压应力或较小的残余张应力，得以在确保不发生开裂现象的前提下，显著提高所生长的III族氮化物薄膜的厚度，并显著降低位错密度。
sic 衬底生长 iii 氮化物薄膜方法应用

[发明专利]谐振式双轴磁传感器及双轴磁传感器测试系统-CN202110678758.0有效
发明人：林文魁;云小凡;张宝顺;曾中明;王笑怡 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G01R33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种谐振式双轴磁传感器及双轴磁传感器测试系统。所述谐振式双轴磁传感器包括ΔE效应敏感结构，所述ΔE效应敏感结构包括依次叠设的第一电极层、压电层和至少一FeGa/高k值材料复合磁性薄膜，所述FeGa/高k值材料复合磁性薄膜包括叠设的FeGa磁性薄膜层和高k值材料薄膜层，其中，至少一FeGa磁性薄膜层叠设在压电层上并作为第二电极层，所述FeGa磁性薄膜层具有(110)或(100)晶体学择优取向，在FeGa磁性薄膜层的面内和面外两个方向上均具有ΔE效应。本发明的谐振式双轴磁传感器利用复合磁性薄膜层中ΔE效应的面内、面外各向异性实现双轴磁场强度探测，具有谐振频率f和回波损耗S11两种读出方式，可以有效探测面内和面外的磁场强度。
谐振式双轴磁传感器双轴磁测试系统

[发明专利]基于尺寸效应的薄膜体声波谐振器及其应用-CN202110951802.0在审
发明人：林文魁;云小凡;程伟;王逸群;王笑怡;张宝顺;曾中明 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于尺寸效应的薄膜体声波谐振器及其应用。所述基于尺寸效应的薄膜体声波谐振器包括依次叠设在谐振腔上的的第一电极和第二电极，所述第一电极与第二电极之间设置有压电层；所述第一电极和第二电极之间还设置有纳米级厚度的插入层。本发明实施例提供的一种FBAR温度传感器，通过在FBAR中插入一层纳米级厚度的插入层，在不明显降低器件谐振频率的基础上，大幅提高了FBAR温度传感器的探测灵敏度。
基于尺寸效应薄膜声波谐振器及其应用

[发明专利]光电探测器及其制作方法-CN202211327506.4在审
发明人：黄宏娟;赵德胜;张宝顺;陆书龙;曾中明 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：提供了一种光电探测器，其包括：芯片部和基板部，所述芯片部和所述基板部键合组装在一起，以使所述芯片部的组件一侧面对所述基板部的组件一侧，所述芯片部的背向所述基板部的一侧为入光侧，所述芯片部的芯片电极位于所述芯片部的吸收层和所述基板部之间。还提供了一种该光电探测器的制作方法。本发明的光电探测器及其制作方法，将芯片部作为光入射一侧，从而入射的光直接照射到吸收层上，增大了吸收层的吸光面积，进而提高了光电探测器的响应度。
光电探测器及其制作方法

[发明专利]磁调谐压电微机械超声换能器及其制作方法-CN202211320396.9在审
发明人：杨瑞;曾中明;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁调谐压电微机械超声换能器及其制作方法，所述磁调谐压电微机械超声换能器包括依次层叠设置的下电极、压电层以及上电极，其中，所述上电极和/或所述下电极为具有磁致伸缩效应的压磁层。本发明的磁调谐压电微机械超声换能器，其能够利用磁致伸缩效应来调谐PMUT的工作特性，并同时具备磁传感性能。
调谐压电微机超声换能器及其制作方法

[发明专利]一种大尺寸单轴的MEMS振镜-CN202211255965.6在审
发明人：李永成;吴东岷;曾中明 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G02B26/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种大尺寸单轴的MEMS振镜，包括框架呈环形；振镜位于框架内部，振镜包括中心轴；一对扭转轴对称设置在振镜两侧，一对扭转轴与中心轴同轴设置，且扭转轴一端与框架固定，另一端与振镜的外环面固定；一对驱动单元，对称设置在振镜两侧，驱动单元与对应侧的扭转轴固定，且驱动单元用于驱动扭转轴扭转以带动振镜绕中心轴旋转。本申请能够根据工况自由设计驱动件的大小，调节驱动力，满足大尺寸MEMS振镜的驱动需求；能够在驱动力下发生较大角度的偏转，同时具有优良的抗冲击性能及合适的工作频率；可根据谐振频率进行设计，保证振镜工作在谐振频率下，有效提高扫描效果。
一种尺寸 mems 振镜

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