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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体元件及半导体元件的制造方法-CN201610423688.3有效
发明人： 奥尔加·克雷姆帕斯卡;罗曼·卢普塔克;米夏尔·库博维奇 -专利权人：赛米控电子股份有限公司
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L29/70 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体元件，其包括MESA形的双极半导体芯片(1)，其中将第一金属化层(4)布置在半导体芯片(1)的第一主表面(2)上且将第二金属化层(5)布置在半导体芯片(1)的第二主表面(3)上，所述第二主表面被布置为与半导体芯片(1)的第一主表面(2)相背，其中将氧化铝层(7)布置在半导体芯片(1)的边缘表面(6)上，所述边缘表面环绕半导体芯片(1)周围延伸并且连接第一和第二主表面(2，3)。此外，本发明涉及用于制造半导体元件(10)的方法。
半导体元件制造方法

[发明专利]肖特基二极管和其制造方法-CN201210101700.0有效
发明人：斯特凡·斯塔罗韦茨基;奥尔加·克雷姆帕斯卡;马丁·普雷德梅尔斯基 -专利权人：赛米控电子股份有限公司
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本申请涉及一种肖特基二极管和其制造方法，该制造方法具有以下重要步骤准备高掺杂物浓度的优选为晶圆形式的半导体基体，该半导体基体具有构成第一电接触表面的第一主面；在所述半导体基体的与第一主面相对设置的面上外延沉积具有相同导电性的和较低掺杂物浓度的半导体层；在第一金属层与半导体层之间构成肖特基接触的情况下在所述半导体层上布置第一金属层；借助连接介质连接平面接触体与第一金属层；构成至少一个单个肖特基二极管；在所述至少一个肖特基二极管的边缘区域内布置钝化层。
肖特基二极管制造方法

[实用新型]肖特基二极管-CN201220133084.2有效
发明人：斯特凡·斯塔罗韦茨基;奥尔加·克雷姆帕斯卡;马丁·普雷德梅尔斯基 -专利权人：赛米控电子股份有限公司
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本申请涉及一种肖特基二极管(2)，其具有第一主面(4)和第二主面(6)及边缘面(8)，其中各个主面(4，6)同时构成相应的第一和第二电接触表面，所述肖特基二极管具有层式构造，层式构造由具有第一高掺杂物浓度的半导体基体(10)、相同导电性和较低掺杂物浓度的半导体层(12)、与半导体层构成肖特基接触(200)的第一金属层(20)、由连接介质(30)制成的层和在此上与第二金属层(22)连接的平面接触体(32)组成，并且所述肖特基二极管具有其边缘面(8)的钝化层(60)，该钝化层至少覆盖边缘面(8)的那个在所述肖特基接触(200)周围的区段。
肖特基二极管

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