[发明专利]IGBT半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202310275117.X | 申请日： | 2023-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN115985943A | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 易坤;包涵 | 申请（专利权）人： | 晶艺半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 周浩杰 |
| 地址： | 610041 四川省成都市中国（四川）自由*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种IGBT半导体器件及其制作方法。该IGBT半导体器件具有发射区、体接触区、体区、载流子存储层、沟槽栅区以及发射极沟槽结构。发射极沟槽结构包括填充在发射极沟槽中的发射极电介质和发射极导电材料，发射极沟槽从器件顶面垂直向下穿越体接触区、体区和载流子存储层并延伸进漂移区。发射极沟槽的延伸深度大于栅区沟槽的延伸深度。本发明可有效改善空穴电流的流通路径，使得空穴电流从参考地电位的发射极沟槽底部和侧壁垂直向上流入发射极金属，从而减少了发射区下方区域的空穴电流，抑制了PN结开启，显著提高了器件的抗短路能力、抗闩锁能力以及大电流关断能力。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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