[发明专利]一种低空洞率LED芯片的制作方法在审
| 申请号： | 202211283776.X | 申请日： | 2022-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN115602774A | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 范凯平;唐恝;邓梓阳;姚晓薇;于倩倩 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00;C23C14/24;C23C14/14 |
| 代理公司： | 广东广盈专利商标事务所(普通合伙) 44339 | 代理人： | 李俊 |
| 地址： | 528226 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种低空洞率LED芯片的制作方法，涉及发光二极管技术领域，包括以下步骤：在外延片上按照LED芯片工艺流程制作绝缘膜层和金属膜层；在每一层绝缘膜层成型之后，将所对应的绝缘膜层连同外延片浸入绝缘体纳米粒子流体中进行加热及超声震荡处理；然后将其取出进行清洗，并置于N |
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| 搜索关键词： | 一种 空洞 led 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
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