专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]微型发光元件-CN202110458871.8有效
  • 曾彦钧;林子旸;吴俊德;史诒君 - 錼创显示科技股份有限公司
  • 2021-04-27 - 2023-09-26 - H01L33/46
  • 本发明提供一种微型发光元件,包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一型电极与第二型电极以及光反射层。发光层设置于第一型半导体层上。第二型半导体层设置于发光层上。第一型电极与第二型电极皆设置于第二型半导体层上。光反射层设置于发光层与第一型电极之间。光反射层包括氧化区域与非氧化区域,氧化区域的反射率大于非氧化区域的反射率。氧化区域的一部分于第一型半导体层上的正投影与第一型电极于第一型半导体层上的正投影至少部分重叠。
  • 微型发光元件
  • [发明专利]微型半导体元件-CN202110458456.2有效
  • 曾彦钧;林子旸;吴俊德;史诒君 - 錼创显示科技股份有限公司
  • 2021-04-27 - 2023-06-06 - H01L33/06
  • 本发明提供一种微型半导体元件,包括半导体结构、电流局限层以及第一型电极与第二型电极。电流局限层设置于半导体结构中,其中电流局限层包括氧化区域与非氧化区域。第一型电极与第二型电极皆设置于电流局限层上。氧化区域的一部分于所述半导体结构远离所述第一型电极和所述第二型电极的一底面上的正投影位于所述第一型电极于所述底面上的正投影与所述第二型电极于所述底面上的正投影之间。
  • 微型半导体元件
  • [发明专利]微型半导体元件以及微型半导体结构-CN202211428047.9在审
  • 萧瑜萱;赖腾宪;林子旸 - 錼创显示科技股份有限公司
  • 2022-11-15 - 2023-03-07 - H01L33/44
  • 本发明提供一种微型半导体元件以及微型半导体结构。微型半导体元件包括磊晶结构以及光学层。光学层配置于磊晶结构上。光学层为多层膜结构且包括第一膜层、第二膜层以及配置于第一膜层与第二膜层之间的第三膜层。第一膜层的折射率与第二膜层的折射率皆大于第三膜层的折射率。第三膜层的厚度大于第一膜层的厚度与第二膜层的厚度。光学层对微型半导体元件的外部光的反射率大于微型半导体元件的磊晶结构的自发光。本发明的微型半导体元件可让外部光对磊晶结构的影响最小化,以确保磊晶结构本身的特性,可具有较佳的结构可靠度。
  • 微型半导体元件以及结构
  • [发明专利]微型发光二极管结构-CN202211021422.8在审
  • 罗子元;周芸瑄;王鸿轩;蔡百扬;陈飞宏;林子旸 - 錼创显示科技股份有限公司
  • 2022-08-24 - 2022-11-15 - H01L33/44
  • 本发明提供一种微型发光二极管结构,包括磊晶结构、第一绝缘层以及第二绝缘层。磊晶结构包括第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层。第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层的第一部分构成平台。平台具有顶面以及第一侧表面。第二型半导体层的第二部分相对于平台凹陷而形成平台面。第二型半导体层的第二部分具有第二侧表面。第一绝缘层从平台的顶面沿着第一侧表面覆盖至平台面,且暴露出第二侧表面。第二绝缘层直接覆盖第二侧表面,其中第一绝缘层与第二绝缘层的厚度比值介于10至50之间。
  • 微型发光二极管结构

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