专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果15个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]微型发光二极管及显示面板-CN202110443075.7有效
  • 陈建智;蔡百扬;陈飞宏;曾彦钧 - 錼创显示科技股份有限公司
  • 2021-04-23 - 2023-02-24 - H01L33/38
  • 本发明提供一种微型发光二极管及一种显示面板,微型发光二极管包括外延结构、第一接垫、第一欧姆接触层以及电流传导层。外延结构包括第一型半导体层、第二型半导体层以及主动层。第一接垫电性连接第一型半导体层。第一欧姆接触层电性连接于第一型半导体层以及第一接垫之间。电流传导层电性连接于第一欧姆接触层以及第一接垫之间。第一欧姆接触层在第一型半导体层所在的平面上的垂直投影至少部分远离第一接垫在第一型半导体层所在的平面上的垂直投影。
  • 微型发光二极管显示面板
  • [发明专利]微型发光二极管结构-CN202211021422.8在审
  • 罗子元;周芸瑄;王鸿轩;蔡百扬;陈飞宏;林子旸 - 錼创显示科技股份有限公司
  • 2022-08-24 - 2022-11-15 - H01L33/44
  • 本发明提供一种微型发光二极管结构,包括磊晶结构、第一绝缘层以及第二绝缘层。磊晶结构包括第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层。第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层的第一部分构成平台。平台具有顶面以及第一侧表面。第二型半导体层的第二部分相对于平台凹陷而形成平台面。第二型半导体层的第二部分具有第二侧表面。第一绝缘层从平台的顶面沿着第一侧表面覆盖至平台面,且暴露出第二侧表面。第二绝缘层直接覆盖第二侧表面,其中第一绝缘层与第二绝缘层的厚度比值介于10至50之间。
  • 微型发光二极管结构
  • [发明专利]微型发光元件及显示装置-CN201810801693.2有效
  • 蔡百扬;陈飞宏;史诒君 - 錼创显示科技股份有限公司
  • 2018-07-20 - 2021-02-19 - H01L33/48
  • 本发明提供一种微型发光元件,包括元件层、第一电极以及第二电极。元件层包括本体和配置于本体上的凸起结构。第一电极电性连接元件层。第二电极电性连接元件层。第一电极、第二电极及凸起结构设置于本体的同一侧。凸起结构位于第一电极与第二电极之间。第一电极与第二电极的连线通过凸起结构。本体具有表面。凸起结构于表面具有第一高度。第一电极与第二电极的任一于表面具有第二高度。第一高度为H1,第二高度为H2,且0.8≤H1/H2≤1.2。一种具有多个微型发光元件的显示装置也被提出。
  • 微型发光元件显示装置
  • [发明专利]显示面板及其修复方法-CN201711142302.2有效
  • 廖冠咏;李允立;李玉柱;吴志凌;林京亮;蔡百扬 - 英属开曼群岛商镎创科技股份有限公司
  • 2017-11-17 - 2021-01-26 - H01L27/15
  • 本发明公开了一种显示面板,具有多个发光二极管与电路基板。电路基板具有多条第一导线、多条第二导线与多个导接线路。导接线路其中之一用以电性连接多个发光二极管其中之一。每一导接线路具有第一接垫部、第二接垫部、第三接垫部与连接部。第一接垫部用以电性连接对应的发光二极管的第一电极与第一导线其中之一。第二接垫部与第一接垫部间隔有第一间隙。第二接垫部用以电性连接对应的发光二极管的第二电极。第三接垫部电性连接第二导线其中之一。第三接垫部与第二接垫部间隔有第二间隙。连接部连接第二接垫部与第三接垫部。
  • 显示面板及其修复方法
  • [发明专利]覆晶式发光二极管及其应用-CN201210489396.1无效
  • 甘明吉;宋健民;蔡百扬 - 铼钻科技股份有限公司
  • 2012-11-26 - 2014-05-07 - H01L33/12
  • 本发明是有关于一种覆晶式发光二极管,包括:基板、半导体磊晶多层复合结构、第一与第二电极、第一与第二类金刚石/导电材料多层复合结构与绝缘保护层,其中,绝缘保护层为一具有不同折射率材料的堆栈结构,以及第一与第二类金刚石/导电材料多层复合结构于所述覆晶式发光二极管里可缓冲热应力现象,因此,所述覆晶式发光二极管可提升其整体输出光率,并避免元件光电特性变差,进而提高其可靠度与寿命。本发明亦关于上述覆晶式发光二极管的制法与应用。
  • 覆晶式发光二极管及其应用
  • [发明专利]垂直式发光二极管结构及其制作方法-CN201110089895.7无效
  • 黄侯魁;蔡百扬 - 新世纪光电股份有限公司
  • 2011-04-08 - 2012-10-17 - H01L33/10
  • 一种垂直式发光二极管结构,包括半导体堆叠层、绝缘阻障层以及金属堆叠层。半导体堆叠层包括第一型半导体层、主动层与第二型半导体层,且主动层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。绝缘阻障层覆盖半导体堆叠层并具有开口,且开口暴露出半导体堆叠层。金属堆叠层堆叠于绝缘阻障层的开口内而与第二型半导体层实体连接。金属堆叠层包括欧姆接触层、反射层与导电阻障层,其中反射层位于欧姆接触层与导电阻障层之间,且欧姆接触层与第二型半导体层实体连接。一种垂直式发光二极管结构的制作方法亦被提出。本发明可有效地阻挡反射层的金属原子迁移,使垂直式发光二极管结构具有较佳的光电表现效益。
  • 垂直发光二极管结构及其制作方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top