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[发明专利]一种微型发光芯片及其制作方法-CN202210376529.8在审
发明人：王涛;柴圆圆;朱小松;张偲;谷鹏军 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种微型发光芯片及其制作方法，包括：外延层，外延层包括第一半导体层，第二半导体层以及位于第一半导体层和第二半导体层之间的有源层；还包括分别设于第一半导体层和第二半导体上第一欧姆接触层和第二欧姆接触层；分别设于第一欧姆接触层和第二欧姆接触层的第一金属蚀刻阻挡层和第二金属蚀刻阻挡层，第一金属蚀刻阻挡层和第二金属蚀刻阻挡层具有抗蚀刻特性；以及分别设于第一金属蚀刻阻挡层和第二金属蚀刻阻挡层之上的第一电极和第二电极。通过金属蚀刻阻挡层的阻挡作用，使得欧姆接触层及金属蚀刻阻挡层不会被蚀刻，金属与半导体层之间的欧姆接触良好，提高了芯片的发光效率。
一种微型发光芯片及其制作方法

[发明专利]外延结构及其制作方法、发光器件-CN202111328868.0有效
发明人： 柴圆圆 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延结构及其制作方法、发光器件。该外延结构的制作方法包括：提供衬底，衬底包括第一表面；对第一表面进行区域划分，以获得半导体生长区和牺牲层生长区；牺牲层生长区包括间隔设置的多个第一生长区和多个第二生长区，在第一生长区形成第一牺牲层，在第二生长区形成第二牺牲层；于半导体生长区形成半导体基层；对半导体基层进行导电掺杂，以获得沿第一方向交替排布的第一半导体层和第二半导体层；去除第二牺牲层，并在第二生长区形成有源层。通过上述制作方法，晶格失配产生的应力和缺陷不会沿外延叠层的形成方向延伸和扩大，能显著的降低外延叠层的应力和缺陷，提高了外延叠层的长晶质量，有利于载流子在有源层的复合发光。
外延结构及其制作方法发光器件

[发明专利]芯片转移方法以及显示装置-CN202110853908.7有效
发明人： 柴圆圆;王涛;朱小松 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种芯片转移方法以及显示装置。芯片转移方法包括以下步骤：提供一生长基板，该生长基板表面形成有芯片；在芯片远离生长基板的一侧依次覆盖牺牲层和第一胶层；其中，牺牲层至少将芯片的电极包裹；提供一暂态基板，并通过暂态基板将芯片转移至一目标基板；依次去除第一胶层和牺牲层，以裸露芯片。在去除上述第一胶层的过程中，上述牺牲层会保护芯片不受损伤，从而提高了转移后芯片的良率，节约了成本；并且，通过设置上述牺牲层，可以通过使牺牲层部分裸露，并去除牺牲层以将其表面的第一胶层一并去除，使得刻蚀工艺无需考虑刻蚀选择比，降低了刻蚀工艺的要求。
芯片转移方法以及显示装置

[发明专利]一种微发光二极管显示器及制作方法-CN202111175277.4有效
发明人： 柴圆圆;王涛;朱小松;张偲 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微发光二极管显示器及制作方法，且所述微发光二极管显示器的制作方法至少包括：提供半导体外延层；将所述半导体外延层转移到暂时基板上，且所述暂时基板和所述半导体外延层通过透明胶材层键合；蚀刻所述半导体外延层，并在所述半导体外延层上沉积电极，形成微发光二极管；将所述微发光二极管和所述透明胶材层转移至显示基板上，且所述电极电性连接所述显示基板，所述透明胶材层位于所述微发光二极管相对于所述显示基板的一侧；图案化所述透明胶材层，以形成微透镜于所述微发光二极管上。通过本发明提供的一种微发光二极管显示器的制作方法，可提高显示面板的亮度。
一种发光二极管显示器制作方法

[发明专利]发光组件、显示屏及发光组件的制作方法-CN202110944737.9有效
发明人： 柴圆圆;王涛;朱小松;张偲 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光组件、显示屏及发光组件的制作方法，其中，发光组件中的第二导电层为透光层，其将绝缘保护层和各半导体序列的顶面覆盖，并在第二导电层上设有第三导电层，该第三导电层的电阻小于第二导电层的电阻，且第二导电层覆盖各半导体序列的顶面的第一区域外露于第三导电层；该第三导电层与第二导电层在电路连接关系上呈并联连接，使得二者并联后的总电阻，小于与第二导电层和第三导电层叠加后同等厚度的第二导电层的电阻，从而降低各半导体序列形成的发光芯片的电压，且第二导电层覆盖各半导体序列的顶面的第一区域外露于第三导电层，因此又能保证出光效率。
发光组件显示屏制作方法

[发明专利]微发光二极管磊晶结构及其制造方法、微发光二极管-CN202111057499.6在审
发明人：王涛;柴圆圆;朱小松;张偲 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及微发光二极管磊晶结构及其制造方法、微发光二极管，所述微发光二极管磊晶结构包括依次层叠设置的第一半导体层、有源层、第二半导体层；所述有源层包括N层(AlBGa1‑B)0.5In0.5P垒和N+1层(AlAGa1‑A)0.5In0.5P阱。通过N层(AlBGa1‑B)0.5In0.5P垒和N+1层(AlAGa1‑A)0.5In0.5P阱形成3‑5对量子阱，可减少有源层对红光波段的吸收，同时减少了电子空穴的移动空间，以降低电流扩展，在微发光二极管磊晶结构在发光时，可使得光在更低的电流密度下被提取，进而提高微发光二极管磊晶结构的发光效率。
发光二极管结构及其制造方法

[发明专利]一种花球状锌离子掺杂的CdS光催化剂的制备方法-CN201810823484.8有效
发明人：马德琨;柴圆圆;黄少铭 -专利权人：温州大学
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： B01J35/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种花球状锌离子掺杂的CdS高效光催化剂的制备方法，包括步骤1)：以CdCl2，硫粉为原料，二乙烯三胺为溶剂，60℃溶剂热反应48小时合成CdS‑DETA纳米片；2)以制备的CdS‑DETA纳米片为原料，二水合氯化锌为原料，乙二醇为溶剂，160℃溶剂热反应一定时间得到超薄纳米片自组装的花球状锌离子掺杂的CdS光催化剂。其中目标光催化剂具有由超薄纳米片自组装而成的三维花球结构。本发明的制备方法绿色，环保，可大规模生产，且在可见光照射下，催化剂可以可高效率的催化对硝基苯胺，制备对苯二胺，具有反应速度快，转化率高等优点。
种花球状离子掺杂 cds 光催化剂制备方法

[实用新型]一种具有防尘功能的机械臂学习电子设备-CN201921619401.X有效
发明人：穆建华;建文芳;蒋庆丽;王卓;柴圆圆 -专利权人：河北农业大学
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： B25J9/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有防尘功能的机械臂学习电子设备，包括放置台、风扇、旋转电机、第三转杆、支架和操纵杆，所述放置台上设置有控制装置，且控制装置右侧面通过铰链与装置门相连接，同时装置门上设置有百叶窗，所述风扇镶嵌在控制装置的顶端，所述支架设置在放置台上，且支架设置在工件的右侧，所述支架的左侧壁上设置有固定板。该具有防尘功能的机械臂学习电子设备，设置有风扇，风扇可以对控制装置进行降温，在风扇的作用下，加快热量从百叶窗散出，加快控制装置降温，保持控制装置工作环境良好，同时防尘网可以减少外界灰尘通过百叶窗进入到控制装置内，避免灰尘长时间积累容易影响防尘网的使用。
一种具有防尘功能机械学习电子设备

[发明专利]铜铟硫/硫化镉/二硫化钼纳米片光电极的制备及应用-CN201810093800.0有效
发明人：马德琨;柴圆圆;余文缘;黄少铭 -专利权人：温州大学
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： C25B3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜铟硫/硫化镉/二硫化钼纳米片光电极的制备及应用，制备方法为先采用水热合成方法合成得到CuInS₂纳米片光电极，然后通过水浴沉积的方法构筑得到CuInS₂/CdS异质结光电极，再采用水热的方法将MoS₂负载到CuInS₂/CdS异质结光电极的表面，得到最终产物CuInS₂/CdS/MoS₂纳米片光电极。制备得到的CuInS₂/CdS/MoS₂纳米片可作为光电极光电还原对硝基苯胺。本发明的制备方法绿色、环保，适用于大规模生产，制备得到的产物在可见光照射下，不加入牺牲剂的条件下，加上一定的电压即可高效率的催化还原对硝基苯胺，制备对苯二胺，具有反应速度快，转化率高等优点，具有很好的使用价值和应用前景。
制备光电极纳米片二硫化钼纳米片对硝基苯胺硫化镉铜铟硫异质结应用反应速度快可见光照射催化还原对苯二胺水热合成最终产物电还原高效率牺牲剂水热水浴沉积合成构筑环保

[发明专利]Pt/BiVO₄片状结构复合光催化剂的合成及其应用-CN201611253451.1有效
发明人：马德琨;屈德朋;柴圆圆;黄少铭 -专利权人：温州大学
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： B01J23/648 文献下载
摘要：本发明公开了一种Pt/BiVO₄片状结构复合光催化剂的合成及其应用，合成得到的光催化剂是由铂负载在片状BiVO₄表面构成一种具有良好光催化活性的非均相复合光催化剂。以Pt/BiVO₄片状结构复合材料为光催化剂，运用发光波长λ>400nm、功率为300W的氙灯在室温下照射2,6‑二取代基苯酚发生偶联反应合成相应的联苯二酚类化合物，或者照射2,4‑二取代基苯酚发生偶联反应合成相应的羟基邻位上的联苯酚类化合物。
pt bivo4 片状结构复合光催化剂合成及其应用

[发明专利]一种高效CdS-CdIn₂S₄超结构光催化剂的制备方法-CN201610401933.0有效
发明人：马德琨;柴圆圆;汪婷;黄少铭 -专利权人：温州大学
申请日： 2016-06-07 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效的CdS纳米线/CdIn2S4纳米片复合超结构光催化剂的制备方法包括步骤：1)以醋酸镉、二乙基二硫代氨基甲酸钠为原料，乙二胺和十二硫醇为混合溶剂，180℃溶剂热反应24小时合成CdS纳米线；2)以制备的CdS纳米线，InCl3·4H2O，L‑半胱氨酸为原料，乙二醇为溶剂，200℃下回流一定时间合成最终产品。本发明提供的产品制备方法绿色、环保、可规模化。CdS纳米线/CdIn2S4纳米片复合超结构可应用于光催化、光电催化分解水产氢等能源转化领域。
一种高效 cds cdin sub 结构光催化剂制备方法

[发明专利]一种大比表面积拟薄水铝石及其制备方法和应用-CN201310125306.5无效
发明人：李殿卿;柴圆圆;冯俊婷;冯拥军 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2013-04-11 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： C01F7/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种大比表面积、大孔容拟薄水铝石及其制备方法和应用，本发明采用成核晶化隔离法合成一种具有大比表面积、大孔容的拟薄水铝石前体。所得拟薄水铝石粉比表面积为250~400m2•g-1，孔容0.5~2.0cm3•g-1。用该拟薄水铝石为前驱体制备的氧化铝载体具有大比表面积、孔结构丰富、高抗压碎强度等优良性能，其比表面积为100~200m2•g-1，孔容为0.5~1.2cm3•g-1，平均孔径为10~30nm，其抗压碎强度为50~200N/粒。将该氧化铝载体负载活性组分制备成催化剂，活性组分分散度达到25~55%。将该催化剂用于蒽醌法制备过氧化氢的加氢反应，表现出高的氢化效率和活性蒽醌选择性，同时有长的使用寿命。
一种表面积拟薄水铝石及其制备方法应用

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