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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]发光元件和包括该发光元件的显示装置-CN202310188555.2在审
发明人：金东均;沈俊辅;柳熙娟;崔贞仁;柳喆锺;李耀闲;张圣爱;赵显敏;车炯来 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：公开了发光元件和包括该发光元件的显示装置。所述发光元件包括：芯，包括第一半导体层、设置在第一半导体层上的第二半导体层以及设置在第一半导体层与第二半导体层之间的发射层；以及第一元件绝缘膜，围绕芯的侧表面，其中，第一元件绝缘膜包括绝缘构件和弹性构件的复合体。
发光元件包括显示装置

[发明专利]发光二极管和包括该发光二极管的显示装置-CN202180083679.3在审
发明人：柳喆锺;金东旭;金世咏;李少荣;车炯来 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：根据本发明的发光二极管包括：第一端和第二端，彼此相对；电流阻挡层、第一半导体层、活性层和第二半导体层；以及绝缘膜，覆盖第一半导体层、活性层和第二半导体层的外周表面，并且在第二端处暴露电流阻挡层的至少一部分和第一半导体层的至少一部分。电流阻挡层、第一半导体层、活性层和第二半导体层在从第二端至第一端的方向上顺序地布置。
发光二极管包括显示装置

[发明专利]发光元件和包括该发光元件的显示装置-CN202211399975.7在审
发明人： 车炯来;金大贤;金东旭;徐东均;沈泳出 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：公开了一种发光元件，所述发光元件包括：芯，所述芯包括第一半导体层、设置在第一半导体层上的第二半导体层和设置在第一半导体层与第二半导体层之间的发射层；层间介电膜，围绕芯的侧表面；第一元件绝缘膜，围绕层间介电膜的外表面；以及第二元件绝缘膜，围绕第一元件绝缘膜的外表面。层间介电膜包括具有约10或更大的介电常数的氧化物绝缘材料，并且层间介电膜具有小于或等于约5nm的厚度。
发光元件包括显示装置

[发明专利]发光元件、制造发光元件的方法和包括该发光元件的显示装置-CN202180059115.6在审
发明人：沈泳出;车炯来;金东旭;张圣爱;咸智贤 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：提供了一种发光元件，所述发光元件包括：第一半导体层，包括第一类型的半导体，并且包括在发光元件的长度方向上布置的第1‑1半导体层和第1‑2半导体层；第二半导体层，包括不同于第一类型的第二类型的半导体；活性层，设置在第1‑2半导体层与第二半导体层之间；以及中间层，设置在第1‑1半导体层与第1‑2半导体层之间，并且具有多孔结构。
发光元件制造方法包括显示装置

[发明专利]发光元件和包括该发光元件的显示装置-CN202211017892.7在审
发明人：沈泳出;金鎭完;金东旭;徐东均;李昞柱;李承根;车炯来 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：提供了一种发光元件和包括该发光元件的显示装置。所述发光元件可以包括：发光元件芯，包括第一半导体层、第二半导体层和在第一半导体层与第二半导体层之间的发光层；以及单晶绝缘层，在发光元件芯的侧表面周围。
发光元件包括显示装置

[发明专利]发光器件、发光器件的制造方法和显示设备-CN202080103863.5在审
发明人：赵显敏;金东旭;金世咏;李承根;李昇我;李耀闲;张圣爱;车炯来;咸智贤 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：提供了一种发光器件、用于该发光器件的制造方法以及显示设备。发光器件包括：发光器件芯，包括第一半导体层、布置在第一半导体层上的第二半导体层以及布置在第一半导体层与第二半导体层之间的器件活性层；第一绝缘膜，形成在发光器件芯的侧表面上以围绕发光器件芯的侧表面，并且具有第一固定电荷；以及第二绝缘膜，布置为围绕第一绝缘膜的外侧表面，并且包括具有与第一固定电荷不同的第二固定电荷的材料。
发光器件制造方法显示设备

[发明专利]发光器件、用于制造发光器件的方法及包括发光器件的显示装置-CN202180052302.1在审
发明人： 车炯来;金东旭;沈泳出;张圣爱;咸智贤 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：一种发光器件包括：第一半导体层，包括第一类型半导体；第二半导体层，包括与第一类型半导体不同的第二类型半导体；活性层，设置在第一半导体层的一个表面与第二半导体层的一个表面之间；第一电极层，布置在第二半导体层的另一表面上，并且具有第一剖面面积；以及第二电极层，布置在第一半导体层的另一表面上，并且具有比第一剖面面积小的第二剖面面积。该发光器件的由第一半导体层、活性层、第二半导体层和第二电极层限定的侧表面与第一电极层的主表面垂直。
发光器件用于制造方法包括显示装置

[发明专利]发光元件、制造其的方法以及包括其的显示装置-CN202180050184.0在审
发明人： 车炯来;金东旭;张圣爱;咸智贤 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：一种发光元件可以包括：第一端部和第二端部，在发光元件的长度方向上定位；第一电极，与第一端部对应；第一半导体层，设置在第一电极上；活性层，设置在第一半导体层上；第二半导体层，设置在活性层上；以及第二电极，设置在第二半导体层上并且与第二端部对应。第二电极可以包括设置在第一半导体层上的第一层和设置在第一层上的第二层。第一半导体层可以包括掺杂有p型掺杂剂的p型半导体层。第二半导体层可以包括掺杂有n型掺杂剂的n型半导体层。第一电极可以与第一半导体层欧姆接触。第二电极可以与第二半导体层欧姆接触。
发光元件制造方法以及包括显示装置

[发明专利]发光器件和发光器件的制造方法以及显示设备-CN202080101758.8在审
发明人： 车炯来;金东旭;金世咏 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：提供了一种发光器件、发光器件的制造方法和包括该发光器件的显示设备。所述发光器件包括：发光器件芯，包括第一半导体层、布置在第一半导体层上的第二半导体层和布置在第一半导体层与第二半导体层之间的活性层；电极层，布置在发光器件芯的第二半导体层上；以及绝缘膜，围绕发光器件芯的侧面，其中，电极层的侧面比第二半导体层的侧面向外突出。
发光器件制造方法以及显示设备

[发明专利]发光器件、用于其的制造方法和包括其的显示装置-CN202080063197.7在审
发明人： 车炯来;金东旭;金明姬;金世咏;赵显敏 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：提供了一种发光器件、其制造方法以及包括该发光器件的显示装置。发光器件包括：第一半导体层，掺杂有第一极性，并且包括在第一方向上延伸的第一部分和连接到第一部分的一侧的第二部分；第二半导体层，掺杂有与第一极性不同的第二极性；活性层，设置在第一半导体层与第二半导体层之间；以及绝缘膜，设置为至少包围活性层的外表面并且在第一方向上延伸，其中，第二部分的在垂直于第一方向的第二方向上测量的直径大于第一部分的在第二方向上测量的直径，并且第二部分的侧表面是倾斜的。
发光器件用于制造方法包括显示装置

[发明专利]发光元件、其制造方法以及包括发光元件的显示装置-CN202080050385.6在审
发明人：李承根;金东旭;金大贤;金世咏;赵显敏;车炯来 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本公开提供了发光元件、其制造方法以及包括发光元件的显示装置。发光元件具有在一个方向上延伸的形状，并且包括：第一半导体层；以及第二半导体层；有源层，设置在第一半导体层与第二半导体层之间；第一电极层，设置在第一半导体层的、与第一半导体层的面向有源层的一个表面相对的另一表面上；第二电极层，设置在第二半导体层的、与第二半导体层的面向有源层的一个表面相对的另一表面上；以及绝缘膜，围绕第一电极层和第二电极层的侧表面的至少一部分以及有源层的侧表面，其中，绝缘膜包括第一区域和第二区域，并且围绕有源层的侧表面的第一区域的厚度大于围绕第一电极层的侧表面的第二区域的厚度。
发光元件制造方法以及包括显示装置

[发明专利]发光元件、其制造方法以及显示装置-CN202080048375.9在审
发明人：金东旭;金世咏;车炯来 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：公开了一种发光元件、用于发光元件的制造方法和显示装置。一种发光元件包括：半导体芯，其至少部分区域在一个方向上延伸，并且包括第一端部、第二端部以及在第一端部与第二端部之间的主体部分；第一电极层，设置为包围半导体芯的第二端部；第二电极层，设置为至少包围半导体芯的第一端部，并且与第一电极层间隔开；以及绝缘层，设置为包围半导体芯、第一电极层和第二电极层，其中，半导体芯的第二端部具有比主体部分的直径小的直径。
发光元件制造方法以及显示装置

[发明专利]发光元件和包括其的显示装置-CN201980092656.1在审
发明人：闵正泓;金大贤;金东旭;赵显敏;金世咏;李昇我;车炯来 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种发光元件可以包括发射堆叠图案，发射堆叠图案包括在一个方向上堆叠的第一导电半导体层、活性层和第二导电半导体层。这里，活性层可以包括在发射堆叠图案的纵向方向上与第一导电半导体层接触的第一表面以及与第二导电半导体层接触并同时与第一表面相对的第二表面。第一导电半导体层可以包括至少一个n型半导体层，并且第二导电半导体层可以包括至少一个p型半导体层。此外，第一活性层的第一表面在发射堆叠图案内在发射堆叠图案的纵向方向上可以位于与发射堆叠图案的总长度的一半的‑20％至+20％对应的点处。
发光元件包括显示装置

[发明专利]用于制造发光元件的方法和包括发光元件的显示装置-CN201980060103.8在审
发明人：李昇我;金东旭;赵显敏;金大贤;闵正泓;李东彦;车炯来 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供了用于制造发光元件的方法和包括该发光元件的显示装置。用于制造发光元件的所述方法包括以下步骤：提供形成在基底上的半导体结构；通过测量从半导体结构发射的具有不同波长的光在半导体结构上限定波长区域；以及根据波长区域在半导体结构上形成具有不同直径且彼此间隔开的纳米图案，并且蚀刻半导体结构以形成元件棒。
用于制造发光元件方法包括显示装置

[发明专利]发光二极管及其制造方法和包括该发光二极管的显示装置-CN201980058626.9在审
发明人：闵正泓;金东旭;车炯来;金大贤;赵显敏 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：发光二极管包括：第一导电半导体层；活性层，设置在第一导电半导体层的一个表面上；第二导电半导体层设置在活性层上；绝缘膜围绕第一导电半导体层、活性层和第二导电半导体层中的每个的外周表面；以及电极层设置在第二导电半导体层上。第一导电半导体层包括其外周表面覆盖有绝缘膜的第一区域和未覆盖有绝缘膜的第二区域。第一导电半导体层的在第一区域中的外周表面和第一导电半导体层的在第二区域中的外周表面具有不同的周长。
发光二极管及其制造方法包括显示装置

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