[发明专利]一种基于碳纳米管插入层减弱金属/锗费米能级钉扎效应的异质结及其制作方法在审
| 申请号： | 202210295705.5 | 申请日： | 2022-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN116845095A | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 刘驰;魏玉宁;孙东明;成会明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/40;H01L29/16;H01L29/78 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及新型半导体器件的研发与应用领域，具体为一种基于碳纳米管插入层减弱金属/锗费米能级钉扎效应的异质结及其制作方法。该异质结是由顶部金属电极、碳纳米管薄膜插入层、锗衬底组成，锗衬底的顶部依次设置碳纳米管薄膜插入层和顶部金属电极，与碳纳米管薄膜插入层接触的顶部金属电极为铝/钛/金自下而上的叠层复合结构。本发明采用插入导电碳纳米管薄膜层的方法来缓解费米能级钉扎效应，网状的碳纳米管导电层有助于消除肖特基势垒高度，而且不会引入较大电阻，从而使金属与轻掺杂n‑Ge之间实现较小的的接触电阻。同时，这一工作为费米能级钉扎的调制和理解提供一种新的方式，有助于提升以新型材料为沟道的晶体管性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 插入 减弱 金属 费米 能级 效应 异质结 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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- 本发明公开了一种NiPt15合金的肖特基二极管及其制备方法，该制备方法包括在衬底上依次制备外延层、P+环，肖特基势垒层、铝合金层和正极导电层，在衬底的下表面上制备负极导电层，该制备方法使用LPCVD设备完成NiPt15合金，可获得较高真空度，使得合金过程气体压力可控，有效优化合金工艺过程。由于采用NiPt15合金渗入到第一导电类型的外延层中形成肖特基势垒层，生成的金属硅化物包括镍硅和铂硅成分可以形成良好的肖特基接触，铂金属的加入可以提高镍硅薄膜的热稳定性，大幅优化肖特基二极管的电参数特性。相较于镍金属合金有很大优势。
- 一种新型源极肖特基接触IGBT结构-202110249754.0
- 李平;林凡;廖永波;冯轲;李垚森;聂瑞宏;彭辰曦 - 电子科技大学
- 2021-03-08 - 2021-06-22 - H01L29/47
- 一种新型源极肖特基接触IGBT结构，包括：集电极金属区，与所述集电极金属区上表面接触的P+型集电区，与所述P+型集电区上表面接触的N+型缓冲层，与所述N+型缓冲层上表面接触的N‑型漂移区，与所述N‑型漂移区上表面接触的P型沟道区，与所述P型沟道区上表面接触的肖特基接触金属源区，将所述P型沟道区和部分肖特基接触金属源区包围的环形结构栅电极，在栅电极与相邻功能层之间设置的一层栅介质层。本发明取缔了传统IGBT所寄生的晶闸管结构，解决了困扰着IGBT的闩锁效应，并且可以降低生产成本，减小器件面积，提高电流驱动能力，并降低导通电阻。
- 一种基于二维硒化铟光存储器件-202022362007.1
- 赵清华;王涛;介万奇;安德烈斯·卡斯泰拉诺斯·戈麦斯;里卡多·夫里森达 - 西北工业大学
- 2020-10-21 - 2021-06-15 - H01L29/47
- 本发明涉及一种基于二维硒化铟光存储器件，其特征在于包括金属条、二维硒化铟、石墨、SiO
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