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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种费米子系统的量子模拟方法、装置、电子设备及介质-CN202111090933.0在审
发明人：窦猛汉;李叶;何华鑫 -专利权人：合肥本源量子计算科技有限责任公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G06N10/20 文献下载
摘要：本申请属于量子计算领域，特别是一种费米子系统的量子模拟方法、装置、电子设备及介质，方法包括：将费米子系统的基态变换为量子比特系统的量子态；将所述费米子系统的费米子算符变换为所述量子比特系统的量子比特算符；基于所述量子比特系统的量子态和所述量子比特系统的量子比特算符模拟所述费米子系统的哈密顿量。本申请能够实现费米子系统的量子模拟。
一种费米子系统量子模拟方法装置电子设备介质

[发明专利]半导体装置和其生产方法-CN03155096.7有效
发明人：山田悟;永井亮;大汤静宪;中邑良一;高浦则克 -专利权人：尔必达存储器株式会社;株式会社日立制作所
申请日： 2003-08-27 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：在具有三个和多个不同费米能级的多晶硅栅电极结构的半导体装置中，具有最低费米能级的P型多晶硅在第一N型表面沟道MOS晶体管上；具有最高费米能级的第一N型多晶硅在第二N型表面沟道MOS晶体管上，和具有在最高费米能级和最低费米能级之间的中间费米能级的
半导体装置生产方法

[发明专利]费米子系统到量子比特系统的变换确定方法及变换框架-CN202111090978.8在审
发明人：窦猛汉;李叶;何华鑫 -专利权人：合肥本源量子计算科技有限责任公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G06N10/20 文献下载
摘要：本申请属于量子计算领域，特别是一种费米子系统到量子比特系统的变换确定方法及变换框架，方法包括：确定费米子系统映射到量子比特系统的求和集，其中，所述求和集用于表示所述量子比特系统的量子比特和所述费米子系统的轨道之间的编码关系，且目标量子比特的求和集以存储关联目标轨道的形式表示关联目标轨道的费米子占据数，所述关联目标轨道为与所述目标比特具有编码关系的轨道；根据所述求和集确定所述费米子系统的基态与所述量子比特系统的量子态之间的第一变换关系；根据所述第一变换关系确定所述费米子系统的费米子算符与所述量子比特系统的量子比特算符之间的第二变换关系。
费米子系统量子比特系统变换确定方法框架

[发明专利]用于费米子量子仿真的纠错的马约拉纳回路稳定子代码-CN201980083716.3在审
发明人： Z.蒋;R.巴布什;J.R.麦克林 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G06N10/00 文献下载
摘要：用于费米子量子仿真的纠错的方法、系统和装置。在一个方面，一种方法包括将费米子系统表示为顶点和边的图，其中，每个顶点表示费米子系统费米子模式，并且每个边表示两个相应的费米子模式之间的相互作用；向图中的每个边分配量子位以形成量子位系统；确定满足一组费米子对易和依赖关系的量子位算子，其中，量子位算子相对于图顶点非均匀；确定与图中的相应回路上的二次马约拉纳算子的乘积对应的稳定子算子，其中，定义的稳定子算子的公共本征空间定义了对待仿真的费米子系统的状态进行编码的代码子空间；以及通过在量子位哈密顿量下演进量子位系统来仿真费米子系统
用于费米量子仿真纠错马约拉纳回路稳定代码

[发明专利]有效减少在量子硬件上模拟费米子哈密顿量所需资源-CN201780049839.6有效
发明人： P.K.特梅;S.布拉维;J.甘贝塔;A.梅扎卡波 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2017-08-03 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G06N10/20 文献下载
摘要：用哈密顿量表征费米系统。费米系统包括费米子和费米模式，费米模式总数为2M。哈密顿量具有由自旋向上和自旋向下奇偶算子编码的奇偶对称性(1005)。按哈密顿量对费米模式进行分类，使得2M个模式的前半部分对应于自旋向上，2M个模式的后半部分对应于自旋向下(1010)。使用将奇偶算子变换为量子位M上的第一单量子位泡利算子和量子位2M上的第二单量子位泡利算子的费米子到量子位映射来变换哈密顿量和奇偶算子(1015)。
有效减少量子硬件模拟费米哈密顿量资源

[发明专利]源费米滤波器场效应晶体管-CN201580081177.1有效
发明人： U.E.阿夫西;I.A.扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-06-22 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：讨论了在源极和源极触点之间具有费米滤波器的费米滤波器场效应晶体管、结合这样的晶体管的系统以及用于形成它们的方法。这样的晶体管可以包括两者均具有第一极性的源极和漏极之间的沟道以及源极和源极触点之间的费米滤波器，使得费米滤波器具有与第一极性互补的第二极性。
费米滤波器场效应晶体管

[发明专利]一种费米子系统的宇称分层方法、装置、电子设备及介质-CN202111090986.2在审
发明人：窦猛汉;李叶;何华鑫 -专利权人：合肥本源量子计算科技有限责任公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G06N10/20 文献下载
摘要：本申请属于量子计算领域，特别是一种费米子系统的宇称分层方法、装置、电子设备及介质，方法包括：获取用于费米子系统的宇称分层的分层参数；根据所述分层参数对所述费米子系统的轨道进行宇称分层，获得分层后所有轨道的宇称轨道本申请能够实现费米子系统的宇称分层。
一种费米子系统分层方法装置电子设备介质

[发明专利]一种具有费米面拓扑层的半导体激光元件-CN202310782151.6在审
发明人：陈婉君;王星河;胡志勇;黄军;张会康;蔡鑫;刘紫涵;请求不公布姓名 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提出一种具有费米面拓扑层的半导体激光元件，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，上限制层与电子阻挡层之间和/或下限制层与下波导层之间设置有费米面拓扑层，费米面拓扑层为二维拓扑莫尔超晶格结构。本发明在上限制层与电子阻挡层之间和/或下限制层与下波导层之间设置费米面拓扑层，该费米面拓扑层可通过垂直向下的能带移动改变费米面拓扑结构，降低电子自旋的无序性和不稳定性，提升电子和空穴的注入效率，以及激光元件有源层的辐射复合效率
一种具有米面拓扑半导体激光元件

[发明专利]电子自旋费米接触场与极化率的精确测定方法-CN202310020244.5在审
发明人：杜鹏程;裴宏宇;贾一凡;高航;李进 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G01R33/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子自旋费米接触场与极化率的精确测定方法。在z向施加十倍于核自旋费米接触场的自旋耦合系综解耦磁场，利用核自旋构造敏感纵向磁场的单轴磁强计，通过检测核自旋的进动频率测量纵向磁场。圆偏振抽运激光的旋向由σ+转化为σ‑，测量核自旋在两种抽运激光下的进动频率差，转化为纵向磁场的变化量，即两倍的电子自旋费米接触场将电子自旋费米接触场的测量转化为核自旋进动频率的测量，与传统的测量方法相比有更高的测量精度。电子自旋的极化率与其费米接触场呈线性关系，可对电子自旋极化率做精确计算。本方法可用于原子自旋陀螺仪、核磁共振陀螺仪等仪器的电子自旋费米接触场测量与电子自旋极化率测量。
电子自旋费米接触极化精确测定方法

[发明专利]半导体装置-CN201010234111.0无效
发明人：中野佑纪;中村亮太;长尾胜久 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2010-07-20 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置，包括：由被添加了导电型杂质的材料构成的半导体区域；在所述半导体区域的表面上形成的绝缘膜；和在所述绝缘膜上形成、至少与所述绝缘膜相接的部分由具有比Si的费米能级更接近所述半导体区域的费米能级的费米能级的材料构成
半导体装置

[发明专利]半导体器件建模方法-CN201810398592.5在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳芯松微电子有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件建模方法，包括：提供一半导体器件，列出半导体器件的表面势非线性方程或费米能级非线性方程组，扫描表面势非线性方程或费米能级非线性方程组中的若干参数，建立表面势或费米能级与各参数的关系；利用人工神经网络拟合表面势或费米能级与各参数的关系；根据人工神经网络表征的表面势或费米能级及半导体器件的载流子运输方式推导沟道电流表达式和电荷表达式，获得半导体器件的模型。
半导体器件费米能级表面势非线性方程组人工神经网络非线性方程建模载流子半导体器件物理沟道电流集约模型扫描表面神经网络物理工艺运输方式电荷经验解拟合缩放推导开发

[发明专利]一种抑制费米子系统测量中的错误的方法及装置-CN202210945793.9有效
发明人：袁骁;张宇鹍 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G06N10/70 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种抑制费米子系统测量中的错误的方法及装置，该方法包括：基于对第一费米子系统进行的测量结果，确定携带噪声的第一约化密度矩阵；将第一约化密度矩阵，输入预先训练的错误抑制模型，获取降噪后的第二约化密度矩阵；基于第二约化密度矩阵，确定第一费米子系统的能量。
一种抑制费米子系统测量中的错误方法装置

[发明专利]一种判断电子器件费米能级发生钉扎效应的方法-CN201810135795.5有效
发明人：杨剑群;李兴冀;李何依;刘勇 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种判断电子器件费米能级发生钉扎效应的方法，涉及一种电子器件发生费米能级钉扎效应的确定方法。本发明为了解决目前还没有一种针对粒子辐射环境用电子器件发生费米能级钉扎效应的确定方法的问题。个并对辐照后器件进行深能级瞬态谱测试；对比按照不同辐照注量的DLTS结果曲线，分别比较深能级缺陷和浅能级缺陷对应的信号峰，如果随着辐照注量的增大，深能级缺陷浓度升高且浅能级缺陷浓度降低，则器件材料发生了费米能级的钉扎效应本发明适用于电子器件发生费米能级钉扎效应的确定。
一种判断电子器件费米能级发生效应方法

[发明专利]一种基于第一性原理和量子振荡测试的分析系统与方法-CN202211526031.1在审
发明人：刘冠章;周健;吕洋洋;曹琳 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G06F17/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于第一性原理和量子振荡测试的分析系统与方法，所述分析系统包括：数据输入模块，预处理模块，运算模块和输出模块，其中包含极值轨道可视化单元，用于可视化极值轨道在费米面中位置；极值曲线可视化单元，用于输出对应极值轨道在计算过程中的频率变化图；费米面选区计算单元，针对复杂费米面有效提高计算效率。本发明基于marching cubes、SKEAF中的slice‑to‑slice orbit matching、hdbscan算法能够快速准确地筛选与确定相关材料的量子振荡频率和有效质量信息，进而确定材料的费米面特征
一种基于第一性原理量子振荡测试分析系统方法

[发明专利]真实系统的全量子力学模拟方法-CN202180071580.1在审
发明人：王信东;傅强 -专利权人：索菲克斯科技有限责任公司;金斯顿投资有限责任公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G06N10/00 文献下载
摘要：解决的本征态包括基态和单费米子激发态。该方法包括：计算系统和/或孤立的粒子子系统的基态和单费米子激发态；使用杂化费米子之间的量子力学跃迁矩阵元素以及远程库仑和交换相互作用来计算给定的电荷和自旋密度下费米子之间的耦合；基于取决于粒子位置和粒子方向的能谱计算作为分子结构特性的函数的系统自由能
真实系统量子力学模拟方法

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