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[发明专利]一种肖特基势垒场效应晶体管及其制备方法-CN202211529256.2在审
发明人：马飞;王琛;曾超凡;路文墨 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基势垒场效应晶体管及其制备方法，该晶体管使用金属Mo为电极，以IGZO/HfO2异质界面为沟道的SB‑TFT结构。由于金属Mo的功函数大于IGZO，其间可形成肖特基接触，且IGZO/Mo肖特基势垒高度受栅极电场的调控，因此，在栅极电场作用下源漏电流可在较大范围内变化，形成场效应迁移率高、开关比大、漏电流小的SB‑TFT。
一种肖特基势垒场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种提高脉冲激光沉积薄膜均匀性与面积的光学沉积系统与方法-CN202110998579.5有效
发明人：马飞;王琛;路文墨 -专利权人：西安交通大学;陕西煤业化工技术研究院有限责任公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高脉冲激光沉积薄膜均匀性与面积的光学沉积系统与方法，该系统依次设置有真空腔体、透镜滑轨、反射镜滑轨和脉冲激光器。该系统能够制备大面积均匀薄膜的弊端。通过控制入射激光位置和脉冲发射的时机、数量，使得从靶材溅射出的等离子体均匀覆盖在基体表面，以获得大面积均匀的薄膜。
一种提高脉冲激光沉积薄膜均匀面积光学系统方法

[发明专利]一种设置空心阴极等离子体的PLD系统及薄膜的制备方法-CN202111322836.X有效
发明人：马飞;路文墨;王琛;李奉南 -专利权人：西安交通大学;陕西煤业化工技术研究院有限责任公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种设置空心阴极等离子体的PLD系统及薄膜的制备方法，该系统在现有的脉冲激光沉积系统(PLD)的真空腔体中设置等离子体放电系统，只需将现有的PLD系统中的气路不锈钢管中间部分更换为氧化铝绝缘陶瓷管，一端连接电源，另一端连接气路，即形成放电装置。该装置可以使氧等离子体负辉区重叠，电子与气体原子的碰撞次数增加，电离效果显著提高，有效提高脉冲激光沉积腔体中氧等离子体的浓度，降低ITO薄膜中氧空位的含量，改善非晶ITO薄膜晶体管阈值电压偏负的问题，一定程度上优化了器件的亚阈值摆幅和迁移率，有利于改善薄膜晶体管的性能。
一种设置空心阴极等离子体 pld 系统薄膜制备方法

[发明专利]一种氧化铝/a-IGZO薄膜晶体管及其制备方法-CN202210333660.6在审
发明人：马飞;曾超凡;王琛;路文墨 -专利权人：西安交通大学;陕西煤业化工技术研究院有限责任公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化铝/a‑IGZO薄膜晶体管及其制备方法，该制备方法通过空心阴极等离子体放电法电离通入PLD腔体中的氧气，形成氧等离子体浓度较高的沉积环境，在a‑IGZO/SiO2/P+‑Si衬底上通过脉冲激光沉积制备氧化铝钝化层，再通过真空退火进一步优化薄膜性能。随炉冷却至20℃后，结合空心阴极氧等离子体和真空原位退火促使钝化层中的可动氧向a‑IGZO沟道层扩散，显著降低沟道层/钝化层界面的氧空位含量，优化器件的亚阈值摆幅和迁移率，有利于提高器件的栅极电压稳定性。
一种氧化铝 igzo 薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种高频电刀用Al2-CN202110997149.1有效
发明人：马飞;王琛;路文墨 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种高频电刀用Al2O3/CrN复合绝缘涂层及其制备方法，该制备方法首先通过该Al靶材在电刀基体表面依次溅射Al涂层、Al/Al2O3梯度混合过渡层和Al2O3绝缘涂层，然后通过Cr靶材继续溅射CrO/CrN和CrN涂层，整个过程中，通过控制通入的气体流量，调整溅射的涂层类型。该方法通过磁控溅射相比于直接使用氧化物或氮化物靶材溅射，使用金属靶材进行反应磁控溅射可以提高涂层的沉积速率；通过改变O2、N2、Ar流量比调节薄膜中金属元素与O元素/N元素的比例，实现金属层到氧化物层再到氮化物层的成分平滑过渡，使具有不同热膨胀系数的Al2O3与CrN涂层材料之间实现良好匹配。
一种高频电刀用 al base sub