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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]使用离子注入的高电阻率氮化物缓冲层的半导体材料生长-CN201780050438.2有效
发明人： K·黄;B·D·舒尔茨;A·克尔 -专利权人： 雷声公司
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种包括提供在其表面上具有缓冲层的单晶衬底的方法。所述缓冲层提供所述衬底的晶体晶格结构与所述半导体层的晶体晶格结构之间的过渡，并且所述缓冲层的电阻率通过使用离子注入将掺杂剂注入到所述缓冲层中而增大；以及在经过离子注入的所述缓冲层上形成半导体层。所述半导体层可以是具有形成于其中的高电子迁移率晶体管的宽带隙半导体层。
使用离子注入电阻率氮化物缓冲半导体材料生长

[发明专利]用于半导体器件的肖特基接触结构及其形成方法-CN201880016366.4有效
发明人： K·塔巴塔比-阿拉维;K·程;C·J·麦克唐纳 -专利权人： 雷声公司
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：一种用于半导体器件(10)的肖特基接触结构(18)具有肖特基接触部(20)以及设置在所述接触部上的用于所述接触结构的电极(22)。所述肖特基接触部包括：与半导体进行肖特基接触的由第一金属构成的第一层(24)；处于所述第一层上的由第二金属构成的第二层(26)；处于所述第二层上的由第一金属构成的第三层(28)；以及处于所述第三层上的由第二金属构成的第四层(30)。设置在所述肖特基接触部上的用于所述肖特基接触结构的电极包括第三金属(22)，所述第二金属提供抵抗在所述第三金属和所述第一金属之间的迁移的势垒。
用于半导体器件肖特基接触结构及其形成方法

[发明专利]具有无金接触部的氮化物结构及形成这种结构的方法-CN201880007541.3有效
发明人： J·R·拉罗什;E·M·詹贝斯;K·P·叶;T·E·卡齐奥 -专利权人： 雷声公司
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有设置于衬底上的III族‑N半导体层的半导体结构。与III族‑N半导体层接触的多层电接触结构包括与III族‑N半导体层接触的无金接触层；和电连接到无金接触层的无金导电蚀刻停止层。导电过孔穿过衬底到达蚀刻停止层。所述结构包括多个电极结构，每个电极结构提供源电极结构、漏电极结构和栅电极结构中的相应一个。源电极结构、漏电极结构和栅电极结构包括：电接触结构和电极接触部。电极接触部具有相同的无金结构并具有共面的上表面。
有无接触氮化物结构形成这种方法

[发明专利]竖向曲折的频率选择限制器-CN202080049168.5有效
发明人： M·A·莫顿;J·C·索里克;G·索尔纳 -专利权人： 雷声公司
申请日： 2020-06-25 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01P1/203 文献下载
摘要：具有输入端口和输出端口的频率选择限制器(FSL)可以包括多个竖向堆叠的传输线结构。每个传输线结构可被电耦合到被设置在其正上方的传输线结构，并且多个竖向堆叠的传输线结构中的第一个具有对应于FSL输入端口的一端，并且多个竖向堆叠的传输线结构中的第二个具有对应于FSL输出端口的一端。多个竖向堆叠的传输线结构中的每一个可以包括具有相反的第一表面和第二表面的磁性材料以及被布置在磁性材料的第一表面和第二表面中的至少一个上的一个或多个导体。
竖向曲折频率选择限制器

[发明专利]具有散热功能的天线子阵列块-CN202180056624.3在审
发明人： M·米乔维奇 -专利权人： 雷声公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：提供了矩形的N×M天线元件子阵列块的方法和设备，所述块具有相对的第一主表面和第二主表面以及位于所述块的相对端的第一端和第二端，其中，天线元件位于所述块的第一端。第一入口接头和第一出口接头之间的冷板使得液体冷却剂能够从第一入口接头流动至第一出口接头。第一入口接头被配置成使得液体冷却剂能够沿着与块的第一主表面垂直的方向流入系统。
具有散热功能天线阵列

[发明专利]可切换的发送/接收(T/R)模块-CN201780028448.6有效
发明人： S·C·埃万杰利斯塔;C·M·莱顿;A·J·席尔瓦 -专利权人： 雷声公司
申请日： 2017-04-03 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G01S7/03 文献下载
摘要：一种发送/接收模块，具有开关、负载和控制器，用于在控制器产生发送使能信号到发送/接收模块之后并且在控制器产生接收使能信号到发送/接收模块之前的时间间隔期间将馈送到开关的雷达能量耦合到负载。
切换发送接收模块

[发明专利]用于在薄绝缘体上碳化硅(SiCOI)晶片上形成微带传输线的方法和结构-CN201780013798.5有效
发明人： J·R·拉罗什;K·P·叶;T·E·卡齐奥 -专利权人： 雷声公司
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种提供半导体结构的方法，包括：提供结构，所述结构具有：所述结构具有：包括硅的层；结合结构；以及硅层，所述结合结构在所述包括硅的层与所述硅层之间设置，所述硅层比所述包括硅的层厚；以及，III‑V族层在所述包括硅的层的上表面上设置；在所述III‑V层中形成III‑V族器件并且带导体连接至所述器件；去除硅层以及所述结合结构，以暴露所述包括硅的层的底表面；以及在所述包括硅的层的暴露的底表面上形成接地面导体，以与所述带导体和所述接地面导体一起提供微带传输线。
用于绝缘体碳化硅 sicoi 晶片形成微带传输线方法结构

[发明专利]具有三维屏蔽的微波传输线-CN201780038288.3有效
发明人： C·M·莱顿;E·A·沃特斯;K·R·凯斯勒 -专利权人： 雷声公司
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01P3/00 文献下载
摘要：一种具有共面波导和一对导体构件的微波传输线，该对导体构件中的每一个具有设置在共面波导的一对接地平面导体中的相应一个的一部分上的近端以及设置在共面波导的中心导体和共面波导的该对接地平面导体中的相应一个之间的区域之上并且从该区域竖直地间隔开的远端。所述远端通过设置在中心导体之上的区域而彼此侧向分离。
具有三维屏蔽微波传输线

[发明专利]外延Ⅲ族氮化物中的掺杂阻挡层-CN202211036954.9在审
发明人： B·D·舒尔茨;A·托拉比;E·M·詹贝斯;S·列扎;W·E·霍克 -专利权人： 雷声公司
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：一种半导体结构具有直接接触的Ⅲ‑N族缓冲层(16)和Ⅲ‑N族阻挡层(18)，以在Ⅲ‑Ⅴ族缓冲层与所述Ⅲ‑N族阻挡层之间形成结(20)，从而产生二维电子气(2DEG)沟道，Ⅲ‑N族阻挡层具有变化的掺杂剂浓度。Ⅲ‑N族阻挡层的最接近于结的下部区域(18a)没有有意引入的掺杂剂，并且位于下部区域上方的区域(18b)具有有意引入的掺杂剂，所述掺杂剂具有的掺杂浓度大于每cm3 1×1017的原子数。
外延氮化物中的掺杂阻挡

[发明专利]基于氮化物的发热半导体器件的热管理结构-CN202180014044.8在审
发明人： K·黄;N·J·科利亚斯 -专利权人： 雷声公司
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：一种半导体结构，其具有：晶体衬底；生长在衬底上的单晶体半导体层；以及形成在单晶体层的一部分上的发热半导体器件。衬底在其选定部分中具有孔洞，所述选定部分设置在发热器件下方的半导体层的区域中，所述孔洞从衬底的底部部分延伸到单晶体半导体层。单晶体或多晶体导热材料被设置在孔洞中，这种材料填充所述孔洞，并从所述衬底的底部延伸到半导体层，并与之直接接触。
基于氮化物发热半导体器件管理结构

[发明专利]协作式工作窃取调度器-CN202180008176.X在审
发明人： M·尚皮尼 -专利权人： 雷声公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G06F9/48 文献下载
摘要：一种在具有中央处理单元(CPU)和图形处理单元(GPU)的计算系统中使用的方法，该方法包括：将第一存储器部分和第二存储器部分指派给：工作窃取调度器的工作者线程以及作为GPU一部分的执行单元；从与工作者线程相关联的队列取回任务；由工作者线程检测是否满足任务的截止条件；当不满足截止条件时，将任务划分成两个或更多个附加任务，并将两个或更多个附加任务添加到队列；当满足截止条件时，将与任务相对应的第一数据存储在第二存储器部分中，发出存储器栅栏获取指令；以及将第一值存储在第一存储器部分中。
协作工作窃取调度

[发明专利]频率选择性限制器-CN201880037639.3有效
发明人： M·A·莫顿;G·索尔纳 -专利权人： 雷声公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：提供了一种具有带有渐缩宽度的传输线结构的频率选择性限制器(FSL)。该FSL包括具有磁性材料的基板、设置在基板上的信号(或中心)导体以及设置在基板上的第一和第二接地平面导体。该信号导体具有第一宽度的第一端和第二不同宽度的第二端，使得信号导体被提供为在信号导体的第一和第二端之间具有锥形形状。第一和第二接地平面导体分别与信号导体的第一和第二边缘间隔开距离，该距离从信道导体的第一端到信号导体的第二端变化，使得信号导体、以及第一和第二接地平面导体形成共面波导传输线。
频率选择性限制器

[发明专利]欧姆合金触点区域密封层-CN202080063775.7在审
发明人： P·J·杜瓦尔;J·P·贝当古;J·W·麦克利蒙兹;P·M·奥尔康;P·C·巴拉斯二世;M·S·戴维斯 -专利权人： 雷声公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：形成欧姆触点密封层，所述欧姆触点密封层被设置在欧姆触点的侧壁和半导体的表面之间的交汇处；在欧姆触点的侧壁和半导体的表面之间的交汇处形成欧姆触点密封层；并将带有欧姆触点的半导体利用化学蚀刻剂处理。
欧姆合金触点区域密封

[发明专利]热诱导弓曲减少的半导体结构-CN202080062864.X在审
发明人： M·C·迪哈希;J·瓦扬古 -专利权人： 雷声公司
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：一种单片微波集成电路(MMIC)结构，其具有导热衬底；设置在衬底的上表面的第一部分上的半导体层；设置在半导体层上的有源台面形半导体器件层；以及直接设置在衬底的上表面的第二部分上的无源电气器件。
诱导减少半导体结构

[发明专利]具有场板的场效应晶体管-CN202080057609.6在审
发明人： M·S·戴维斯;E·M·詹贝斯;B·T·小阿普尔顿 -专利权人： 雷声公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：场效应晶体管，其具有用于在栅极(22)和漏极(20)之间的区域中塑造电场的场板结构，所述场板结构具有：设置在栅极上以及栅极和漏极之间的区域中的半导体的表面上的电介质层(24)；以及设置在电介质层的部分中的电荷(41)，所述电荷的一部分设置在栅极上表面上的电介质层中，所述电荷的另一部分从栅极的上表面延伸到栅极和漏极之间的区域中；并且其中所述电荷仅仅产生电场。
具有场效应晶体管

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