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- [实用新型]一种具有抗穿刺结构的二极管-CN202320358915.4有效
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麻建国
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无锡富耘德半导体科技有限公司
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2023-02-28
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2023-08-15
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H01L23/28
- 本实用新型提供一种具有抗穿刺结构的二极管，涉及二极管装置技术领域，包括：主体机构的外侧设置有抗穿刺机构，所述抗穿刺机构的外侧设置有防护机构，所述抗穿刺机构包括连接块，所述连接块的底端一侧设置有缓冲弹簧，所述连接块与缓冲弹簧的一侧固定连接，所述缓冲弹簧远离连接块的一侧设置有连接环；本实用新型，通过安装的抗穿刺效果可以降低装置在安装使用时或者进行运输的过程中受到一些尖锐物穿刺造成的伤害，从而避免因外界的穿刺导致装置受到不可逆的损害，使二极管无法继续使用的情况；并且通过安装的防护机可以有效地将外界的尖锐物进行隔绝效果，防止外界的异物穿刺二极管的内部。
- 一种具有穿刺结构二极管
- [实用新型]一种具有防静电功能的TVS二极管-CN202320337034.4有效
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麻建国
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无锡富耘德半导体科技有限公司
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2023-02-28
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2023-08-15
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H01L23/60
- 本实用新型提供一种具有防静电功能的TVS二极管，涉及二极管防护技术领域，包括：防护机构，所述防护机构包括连接丝，所述连接丝的外表面设置有防静电硅胶套，所述防静电硅胶套的内表面通过嵌套方式固定在连接丝的外表面，所述防静电硅胶套的外表面设置有PVC塑料壳，所述PVC塑料壳的内表面通过嵌套方式固定在防静电硅胶套的外表面，所述连接丝上设置有拆线器，所述拆线器的内表面与连接丝接触。本实用新型，通过在连接丝上使用防静电硅胶套、PVC塑料壳和防静电套帽，从而使得本TVS二极管在实际使用过程中不会因产生静电导致TVS二极管中的PN结造成损伤，提高了本TVS二极管在实际使用过程中的使用性。
- 一种具有静电功能tvs二极管
- [实用新型]一种具有防压结构的二极管结构-CN202320337494.7有效
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麻建国
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无锡富耘德半导体科技有限公司
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2023-02-28
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2023-08-15
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H01L23/28
- 本实用新型提供一种具有防压结构的二极管结构，涉及二极管装置技术领域，包括：主体机构，所述主体机构的一侧设置有减震机构，所述主体机构外侧设置有防护机构，所述防护机构包括固定环，所述固定环的外侧设置有内弹片，所述固定环与内弹片的一侧固定连接；本实用新型，通过安装的防护机构可以防止二极管在安装以后出现的外界撞击或者碰撞进行防护效果，避免因外界的挤压导致对二极管的伤害，从而大大增加装置的使用寿命，减少故障率和损毁率，并且通过安装的减震机构可以有效地防止装置在产生掉落时出现的震动，导致对装置进行损毁的情况，从而更好地增加装置的安全性，更好地便于运输，从而更好地便于使用者的使用。
- 一种具有结构二极管
- [发明专利]一种肖特基二极管及其制造方法-CN202111141900.4有效
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吴勐;郭昊鑫;杨旭;孙传帮;麻建国
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吉林华微电子股份有限公司
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2021-09-28
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2023-08-04
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H01L29/47
- 本发明公开了一种肖特基二极管及其制造方法，所述二极管包括：衬底；制作于所述衬底一侧的外延层；制作于所述外延层一侧的P型保护环；制作于所述外延层一侧的氧化层，从器件边缘延伸到引线窗口边缘位置；制作于所述引线窗口一侧的势垒金属；制作于所述氧化层和势垒金属上的多层金属结构一，从P型保护环外侧向内侧覆盖；制作于所述多层金属结构一外侧的多层金属结构二，从多层金属结构一外层向内侧覆盖，中心区域露出多层金属结构一窗口；制作于所述多层金属结构二外侧钝化薄膜，从多层金属结构二外层向内覆盖，止于向内侧100um距离，本发明的肖特基二极管能够解决贴片烧结封装的肖特基二极管存在的PCT、金属迁移和焊料偏移导致的失效风险。
- 一种肖特基二极管及其制造方法
- [实用新型]一种防脱落三极管-CN202221783521.5有效
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麻建国;吕永志;高爽
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无锡富耘德半导体科技有限公司
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2022-07-09
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2023-05-23
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H01L23/10
- 本实用新型公开一种防脱落三极管，包括塑封壳，塑封壳内设有三极管芯片，塑封壳的前端朝内凹陷设有三个第一凹槽，三极管芯片连接有三个引脚，三个引脚分别从三个第一凹槽内伸出，塑封壳的前端固定连接有端板，端板与塑封壳连接的一侧具有三个与第一凹槽一一对应的第二凹槽，第一凹槽与第二凹槽配合形成限位腔，端板的前侧朝向第二凹槽延伸设有通孔，引脚通过通孔延伸至端板的前方，引脚上焊接有焊球，焊球位于限位腔内，焊球与限位腔的内壁之间填充满密封胶，当三极管受到拉扯时，引脚上的拉力首先传递到焊球的位置，由于焊球限制在限位腔内固定，因此传递到引脚与三极管芯片连接处的拉力减弱，避免了引脚的脱落。
- 一种脱落三极管
- [实用新型]一种防水稳压三极管-CN202221770486.3有效
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麻建国;吕永志;高爽
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无锡富耘德半导体科技有限公司
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2022-07-09
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2023-05-12
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H01L23/24
- 本实用新型公开一种防水稳压三极管，包括导热陶瓷外壳以及三极管本体，三极管本体设于导热陶瓷外壳内，三极管本体与导热陶瓷外壳的内壁之间填充满导热胶，导热陶瓷外壳的一端朝内延伸设有三个导向孔，导向孔的后端内壁上设有与导热陶瓷外壳内部连通的通孔，三极管本体的三个引脚分别通过三个通孔以及对应的导向孔伸出，导向孔内匹配设有保护管，保护管套设在对应的引脚上，保护管在对应的引脚上滑动设置，保护管的前端固定设有胶垫，胶垫上具有供引脚穿过的贯穿孔，保护管的后端通过缓冲弹簧与导向孔的后端内壁连接，在导热陶瓷外壳与三极管本体之间填充满导热胶，导热胶具有导热以及密封的双重效果，大大提高了三极管的防水效果。
- 一种防水稳压三极管
- [实用新型]一种IGBT器件结构-CN202221770761.1有效
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麻建国;吕永志;高爽
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无锡富耘德半导体科技有限公司
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2022-07-09
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2023-02-10
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H01L23/367
- 本实用新型公开一种IGBT器件结构，包括基板，基板上可拆卸罩设有外壳，基板上安装有IGBT模组，IGBT模组包括衬底板以及导热板，衬底板的上表面刻蚀有导电层，导电层与导热板之间设有IGBT芯片以及若干二极管，IGBT芯片以及若干二极管上方胶粘设有导热板，外壳的顶端固定安装有散热板，散热板上设有若干散热翅片，导热板通过若干导热弹片与散热板连接，基板上安装有若干电性端子，若干电性端子通过导电线与导电层电连接，基板上设有若干安装孔，通过导热板将IGBT芯片以及若干二极管产生的热量传递给导热弹片，从而传递到散热板上通过散热翅片进行散热，加快了散热，降低IGBT工作的温度，大大延长了IGBT的使用寿命。
- 一种igbt器件结构
- [实用新型]一种自带散热的MOS管-CN202221805815.3有效
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麻建国;吕永志;高爽
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无锡富耘德半导体科技有限公司
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2022-07-12
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2022-11-15
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H01L23/367
- 本实用新型公开一种自带散热的MOS管，包括塑封外壳，塑封外壳内封装有MOS芯片，MOS芯片与塑封外壳内壁之间的缝隙中填充导热胶，MOS芯片上连接栅极引脚、源极引脚以及漏极引脚，栅极引脚、源极引脚以及漏极引脚伸出塑封外壳，塑封外壳的上表面以及下表面均朝向内侧凹陷设有若干散热槽，散热槽的槽底设有与塑封外壳内部连通的条形通孔，条形通孔内匹配安装有散热铝片，散热铝片的外端位于散热槽内，散热铝片的内端插入到导热胶内，散热铝片与条形通孔之间的缝隙内填充有密封胶，通过在塑封外壳的上表面以及下表面均设置有若干插入到塑封外壳内部的散热铝片进行散热，能够进行均匀散热，提高了MOS管的散热效率，延长了MOS管的使用寿命。
- 一种散热mos
- [实用新型]肖特基二极管及电子设备-CN202221587413.0有效
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吴勐;麻建国;孙传帮;杨旭
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吉林华微电子股份有限公司
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2022-06-23
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2022-10-28
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H01L29/06
- 本申请实施例提供的肖特基二极管及电子设备，涉及半导体功率器件技术领域。肖特基二极管包括：衬底、外延层、位于外延层远离衬底一侧的保护环以及与保护环搭接的势垒层，其中，势垒层包括位于保护环的内侧且朝向所述衬底方向凹陷的倒梯形部分；肖特基二极管还包括氧化层、第一金属电极层及第二金属电极层。在保护环内设置具有倒梯形部分的势垒层，倒梯形部分可以缩短势垒层与衬底之间的距离，降低外延通态电阻。由于倒梯形部分的深度可以依据电压反偏过程中耗尽宽度的范围进行设计，可以保证肖特基二极管在反向电压不变的前提下降低正向通态压降，能够进一步提升器件的使用效率，降低产品在电路中的温升。
- 肖特基二极管电子设备
- [发明专利]一种EGCG类脂质体制剂及其制备方法-CN201510934821.7在审
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梁蓉;钟芳;李玥;陈羚;徐菲菲;麻建国
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江南大学
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2015-12-15
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2016-04-06
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A61K9/127
- 本发明涉及一种EGCG类脂质体，同时还涉及制备方法，是采用乙醇注入法制备类脂质体。EGCG具有高效的抗氧化活性以及生物活性，本发明针对EGCG受外界条件影响易发生降解、体内生物利用率低的问题，创新性的将EGCG包埋入类脂质体中，减轻外界条件的影响，增强EGCG在胃肠道消化过程中的稳定性，从而达到提高其生物利用率的效果。所制备的EGCG类脂质体形态为规则球形双分子囊泡，包封率高达70％；粒径在70～200nm之间，粒径分布均匀；且在3个月内保持稳定。其制备工艺选用乙醇注入法，步骤简单，相较于其他制备方法避免了有毒有机试剂的掺入，安全性高，适合工业化生产。同时，该类脂质体所用壁材为非离子表面活性剂，对人体无害，易被生物降解，相较于磷脂不易被氧化，成本低，具有稳定性好，利于生物吸收的特点。
- 一种egcg脂质体制剂及其制备方法
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