[发明专利]一种Y掺杂Sb基纳米相变存储薄膜材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202110549019.1 | 申请日： | 2021-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN113285021B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 吴卫华;徐胜卿;黄玉凤;朱小芹 | 申请（专利权）人： | 江苏理工学院 |
| 主分类号： | H10N70/00 | 分类号： | H10N70/00;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/35 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 姜梦翔 |
| 地址： | 213011 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明提供一种Y掺杂Sb基纳米相变存储薄膜材料及其制备方法和应用，所述纳米相变存储薄膜材料化学表达式为Y |
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| 搜索关键词： | 一种 掺杂 sb 纳米 相变 存储 薄膜 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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