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[发明专利]陶瓷结合剂细粒度金刚石蜂窝磨块的激光固化成形方法-CN202311211788.6在审
发明人：徐仰立;杨泽凌;黄国钦;黄辉;徐西鹏 -专利权人：华侨大学;南安华大石材产业技术研究院
申请日： 2023-09-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：本发明涉及金刚石加工领域，具体涉及一种陶瓷结合剂细粒度金刚石蜂窝磨块的激光固化成形方法，方法包括：S1，制备浆料；其中，按质量份数，所述浆料的成分包括：光敏树脂为20~21份；氧化铝粉为34.5~37份；金刚石粉为4~5.5份；光引发剂为0.04‑0.1份；所述金刚石粉的粒径分布为6‑8μm；S2，对所述浆料进行搅拌使得所述浆料充分混合直到没有气泡形成，得到陶瓷结合剂细粒度金刚石粉末；S3，将所述陶瓷结合剂细粒度金刚石粉末送入光固化打印机中进行光固化3D打印，得到蜂窝状的金刚石磨块样品；S4，使用高温炉对蜂窝状磨块样品进行脱脂工艺和高温烧结处理，获得最终的金刚石磨块成品。本实施例具有生成的金刚石磨块质量高，成形速度快，可成形复杂形状等优势。
陶瓷结合细粒度金刚石蜂窝激光固化成形方法

[发明专利]相变材料开关装置及其制造方法-CN202310730374.8在审
发明人：张国彬;丁裕伟;王怡情;黄国钦;庄学理 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：一种相变材料开关装置及其制造方法，相变材料开关装置包括：半导体基板上方的底部介电层；设置于底部介电层上的第一加热器元件，第一加热器元件包含以第一热膨胀系数(CTE)为特征的第一金属元件；设置于第一加热器元件上的第二加热器元件，第二加热器元件包含以大于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数为特征的第二金属元件；第一金属衬垫及第二金属衬垫；及包含PCM的PCM区，PCM可操作以回应于由第一加热器元件及第二加热器元件产生的热量而在非晶态与晶态之间切换，其中PCM区设置于第二加热器元件的顶表面之上，且气隙自三个侧面围绕第一加热器元件及第二加热器元件。
相变材料开关装置及其制造方法

[发明专利]激光熔化成形多面体金刚石复材熔凝流动预测方法及装置-CN202311206730.2在审
发明人：徐仰立;何艺强;黄国钦;韩光耀;谢志平;杨泽凌;管荣兴;徐西鹏 -专利权人：华侨大学;南安华大石材产业技术研究院
申请日： 2023-09-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06F30/28 文献下载
摘要：本发明涉及模拟仿真技术领域，并公开了一种激光熔化成形多面体金刚石复材熔凝流动预测方法及装置，方法包括：对Fluent软件进行参数设置；加载热源；通过离散元软件EDEM模拟铺粉过程，获得金刚石复合材料粉末床模型；加载金刚石复合材料粉末床模型，利用Fluent软件的UDF初始化宏对多面体金刚石颗粒的位置信息以及空间几何形状进行编译，并对球形金属粉末的位置信息进行编译，生成含有多面体金刚石以及球形金属粉末的3D模型；利用Fluent软件对3D模型的几何计算域进行反复迭代计算，以实现激光熔化成形多面体金刚石复材微观熔凝热力学流动行为的预测。本发明可为激光增材制造金刚石复合材料的工艺改进和粉体设计提供有效的理论依据和技术支撑。
激光熔化成形多面体金刚石复材熔凝流动预测方法装置

[发明专利]选择器结构、记忆体单元及记忆体阵列-CN202310463168.5在审
发明人：李泓儒;张国彬;丁裕伟;陈佑昇;陈庆恩;黄国钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：一种选择器结构、记忆体单元及记忆体阵列，选择器结构包含底部电极、第一切换膜和第一顶部电极。底部电极包含底部低热导率金属和第一底部高热导率金属。第一切换膜位于底部电极上且具有可通过电场切换的电阻率。第一顶部电极在第一切换膜上且包含第一顶部低热导率金属和第一顶部高热导率金属。
选择器结构记忆体单元阵列

[实用新型]一次性可编程记忆体及半导体装置-CN202320995490.8有效
发明人：张国彬;黄国钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：一种一次性可编程(one‑time programmable,OTP)记忆体及半导体装置，一次性可编程记忆体包括多个位元线、多个字线及多个记忆体单元，多个记忆体单元中的每一记忆体单元包含耦接至多个位元线中的一位元线的第一端子、耦接至多个字线中的一字线的第二端子以及耦接于第一端子与第二端子之间且具有可通过电流改变的阈值电压的选择器。
一次性可编程记忆体半导体装置

[实用新型]记忆体装置-CN202321244651.6有效
发明人：谢玮庭;陈坤意;陈逸轩;丁裕伟;王怡情;黄国钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B53/30 文献下载
摘要：一种记忆体装置，包括具有设置于两个电极之间的铁电薄膜的第一电容器，及具有设置于两个电极之间的另一介电薄膜的第二电容器。在第一电容器上施加第一电压，使得铁电薄膜极化，从而改变经由装置的有效电阻。在第一电容器上施加第二电压，使得泄漏电流通过铁电薄膜，并沿第二电容器的电极、及晶体管的栅极累积，从而影响对晶体管的漏极至源极电阻的改变，其可经量测以判定铁电薄膜的极化状态。
记忆体装置

[发明专利]一种多道激光的原位热处理方法-CN202310891422.1在审
发明人：徐仰立;谢志平;杨泽凌;黄国钦;麦子宏;谢志韬 -专利权人：华侨大学;南安华大石材产业技术研究院
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多道激光的原位热处理方法，包括如下步骤：（1）通过气雾化法制备Ti6Al4V合金粉末材料；（2）将所述Ti6Al4V合金粉末材料平铺为一层，并通过激光对其烧结；（3）通过首道激光对所烧结的Ti6Al4V合金结构进行单次扫描，使用的激光功率为340W‑360W，层厚为60#imgabs0#，扫描速度为900‑1100mm/s，扫描间距为0.10mm，光斑直径为70‑85#imgabs1#；（4）在步骤（3）扫描完后1s，选用第二道激光Ti6Al4V合金烧结层进行单次扫描，使用的激光功率为365W‑385W，扫描速度为1200‑1500mm/s，扫描间距为0.10mm，光斑直径为110‑130#imgabs2#，完成一层材料的热处理；（5）在步骤（4）扫描完后，等待10s时间，随即在所述的一层材料上平铺Ti6Al4V合金粉末材料；（6）重复步骤（2）‑（5）直至形成Ti6Al4V合金三维立体结构。
一种多道激光原位热处理方法

[发明专利]相变材料开关元件、其制造方法及操作方法-CN202310704826.5在审
发明人：张国彬;李泓儒;丁裕伟;黄国钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：提供一种相变材料开关元件、其制造方法及操作方法。相变材料开关元件包含：底部介电层，位于半导体基材；加热元件，嵌设于底部介电层上，其中加热元件包含第一金属元素且是配置以对应电流产生热能，电流流经加热元件；自对准介电层，设置于加热元件上，其中自对准介电层包含第一金属元素的氧化物及第一金属元素的氮化物的一者，且自对准介电层与加热元件水平对准；相变材料区，设置于自对准介电层上，其中相变材料区包含相变材料。相变材料是可操作，以对应由加热元件所产生的热能在非结晶状态及结晶状态之间切换；以及两个金属垫，电性连接至相变材料区。
相变材料开关元件制造方法操作方法

[实用新型]三维集成电路叠层-CN202320998612.9有效
发明人：黄建达;蔡竣扬;王怡情;黄国钦;庄学理 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本实用新型的实施例提供一种三维集成电路叠层包括：第一管芯包括第一衬底和第一内连线结构。第二管芯接合到第一管芯并包括第二衬底和第二内连线结构，使得第一内连线结构和第二内连线结构布置在第一衬底和第二衬底之间。重布线叠层布置在第一管芯的与第一内连线结构相对的外侧。热路径包括从第一内连线结构中的导电层延伸穿过第一衬底并进入重布线叠层的衬底穿孔。重布线层介电材料包括在重布线叠层中，并将热路径与周围环境隔开。重布线层介电材料的热导率是第一内连线结构或第二内连线结构的内连线介电材料的热导率的二十倍以上。
三维集成电路

[实用新型]集成芯片-CN202320998641.5有效
发明人：刘建宏;黄国钦;庄学理;吴伟成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本实用新型与集成芯片相关，集成芯片包括覆盖衬底的第一介电层和在第一介电层内的第一导电互连线。接合层在第一介电层上方。接合层包括接合介电层和在接合介电层中的接合互连线。第一带电介电层在沿第一介电层的底部。第二带电的介电层在沿第一介电层的顶部。第一带电介电层和第二带电介电层具有相同的极性。
集成芯片

[发明专利]3D打印复材的控温及性能强化方法、装置、设备及介质-CN202311118925.1在审
发明人：徐仰立;谢志平;黄国钦;杨泽凌;麦子宏;韩光耀;何艺强;魏金权;管荣兴 -专利权人：华侨大学;南安华大石材产业技术研究院
申请日： 2023-09-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： B22F10/85 文献下载
摘要：本发明提供了3D打印复材的控温及性能强化方法、装置、设备及介质，由于3D打印成型金刚石复合材料多应用于磨削领域，对材料强度有较高要求，通过传统SLM成型金刚石复合材料的强度不能很好地满足应用需求，同时由于打印过程温度不能得到良好的调控，金刚石石墨化严重且与金属材料结合较差。因此本发明方法通过使用周期性的激光能场作用扫描策略，同时改变光斑直径，优化成型试件微观形貌，在模型底部添加支撑改变预热温度为随层数增加梯度上升，实现对温度场的调控，强化成型试件的宏观强度。最终对成型实物进行抗压、抗弯力学测试，实验发现抗压、抗弯强度提升50%以上。
打印性能强化方法装置设备介质

[实用新型]半导体元件-CN202321242883.8有效
发明人：丁裕伟;张国彬;李泓儒;黄国钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：揭示一种半导体元件。该半导体元件包括一半导体基板，及在该半导体基板上的一加热器元件，该加热器元件用以回应于流经该加热器元件的一电流产生热。该半导体元件亦包括具有一可程序化导电率的一导体材料，及在该加热器元件与该导体材料之间的一绝缘体层，其中该导体材料用以通过将一或多个电压差施加至该加热器元件及该导体材料中的一或多者来程序化，且其中该导体材料与该加热器元件之间的一电容用以由该些电压差控制，使得该电容在该导体材料在程序化中时比在该导体材料不在程序化中时低。
半导体元件

[实用新型]一种光学罩体打磨装置-CN202320652200.X有效
发明人：谢志平;徐仰立;何艺强;黄国钦;魏金权;徐西鹏 -专利权人：华侨大学;南安华大石材产业技术研究院
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： B24B19/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光学罩体打磨装置，包括位于底部的电机，与所述电机相连接且位于电机上方的机台，位于机台的一端且与电机的输出端相连接的磨具，与机台另一端相连接的弹性杆以及连接至所述弹性杆的夹具，所述夹具上设置有用于夹持所述光学罩体的夹持机构，所述磨具设置有罩体仿形体，所述罩体仿形体为半椭圆壳体，通过所述电机带动所述罩体仿形体转动对光学罩体进行打磨。本实用新型较传统打磨夹具更加便捷，操作方便，通过设计仿形体夹具实现一体化打磨效果，同时夹具与磨具可以通过改变位置转换不同的作用，达到双面研磨的目的。并且不需要较高的操作要求，仅通过机器传递动力便可以实现一体化快速打磨。
一种光学打磨装置

[发明专利]一种具有切口低感染的菠萝采摘器-CN201711425362.5有效
发明人： 黄国钦;马小军;卢平 -专利权人：华侨大学
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： A01D45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有切口低感染的菠萝采摘器，其包括一手持组件，该手持组件包括一手柄(1)和一连接杆(2)，手柄连接于连接杆的一端；一采摘盘组件，设于手柄的另一端，包括一缺口盘(3)、一护栏(4)和一保护盖(5)，缺口盘一侧固定有护栏，另一侧固定为保护盖；缺口盘(3)具有一容纳菠萝果柄进入的缺口；一切割组件，电源组件。本发明具有切口低感染的优点。
一种具有切口感染菠萝采摘

[实用新型]记忆体阵列及记忆体装置-CN202321205448.8有效
发明人：李泓儒;张国彬;丁裕伟;陈庆恩;黄国钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：在各种实施例中提供一种记忆体阵列及记忆体装置。在那些实施例中，记忆体装置具有包括多层椭圆临限值切换(OTS)材料的OTS选择器，以实现用于OTS选择器的低漏电流及相对低的临限值电压。多层可以具有至少一层低带隙OTS材料及至少一层高带隙OTS材料。
记忆体阵列装置

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