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[发明专利]一种实现多值非挥发存储的方法-CN202010502998.0有效
发明人：赖云锋;宫泽弘;林培杰;程树英;郑巧;俞金玲 -专利权人：福州大学
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明提出一种实现多值非挥发存储的方法，通过提升阻变存储器的高低态阻值比，以及增加多值存储时各阻态的区分度来优化其多值非挥发存储性能；阻变存储器的电极之间设有可稳定所述阻变存储器高阻态工况导电通路的多层阻变介质；多层阻变介质包括第一介质层和第二介质层；所述第一介质层与第二介质层的界面间存在势垒；当阻变存储器处于高阻态工况时，所述势垒提升电阻值；第一介质层中分布有可稳定所述阻变存储器低阻态工况导电通路的金属纳米颗粒；当阻变存储器处于低阻态工况时，金属纳米颗粒降低电阻值；本发明通过在存储介质中嵌入纳米颗粒，实现阻变存储器各阻态的区分度的提高并保证器件的数据存储能力。
一种实现多值非挥发存储方法

[发明专利]一种Sb2-CN202111553539.6有效
发明人： 俞金玲;武文逸;程树英 -专利权人：福州大学
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G01N21/21 文献下载
摘要：本发明涉及一种Sb2Te3拓扑表面态的圆偏振光电流调控方法，包括以下步骤：步骤S1：用分子束外延设备在磷化铟衬底上生长Sb2Te3样品，并在样品表面制作一对点状电极;步骤S2：构建应力装置，将环氧树脂将样品固定在应力装置上；步骤S3：通过激光器发射光照射在样品的几何中心，即两电极连线的中心，测得并提取圆偏振光电流；步骤S4：通过应力装置改变应力施加大小，并分析圆偏振光电流随应力的变化趋势；步骤S5：测量Sb2Te3样品XPS光谱并分析,计算衬底与Sb2Te3界面的能带分布，若带阶小于零，则存在自旋注入的可能；比较没有衬底自旋注入的Sb2Te3样品的CPGE电流受应力调控情况，验证应力和衬底注入协同作用调控Sb2Te3中圆偏振光电流方法的调控效果。本发明调控Sb2Te3拓扑表面态的圆偏振光电流效果明显，可以实现连续调控。
一种 sb base sub

[发明专利]一种用三维拓扑绝缘体薄膜进行偏振探测的方法-CN202310726604.3在审
发明人： 俞金玲;陈神忠;程树英 -专利权人：福州大学
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G01J4/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种用三维拓扑绝缘体薄膜进行偏振探测的方法。该方法通过用三维拓扑绝缘体(Bi0.8Sb0.2)2Te3薄膜作为偏振探测器件，通过转动探测器件获得不同激光入射角下的光电流，然后通过对比多次测试下计算测得光电流与参考光电流的比值，唯一确定所探测激光的偏振状态。其原理为，通过转动四分之一波片可获得不同偏振状态下的光电流，接着用通过公式拟合可获得圆偏振光和线偏振光的光电流参考值，通过对比相反入射角下测得的光电流与参考光电流的比值确定唯一相同的偏振状态，且可通过背栅电压调节探测器件的性能兼顾圆偏振状态和线偏振状态的探测，以确定探测到的激光的偏振状态，计算得出斯托克斯参数。
一种三维拓扑绝缘体薄膜进行偏振探测方法

[发明专利]一种圆偏振光电流区分二维Bi2O2Se表面极性的方法-CN202211735781.X在审
发明人： 俞金玲;武文逸;程树英 -专利权人：福州大学
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G01R29/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种圆偏振光电流区分二维Bi2O2Se表面极性的方法，该方法通过测试Bi2O2Se纳米片的圆偏振光电流随离子液体栅压的变化趋势，可简单区分二维Bi2O2Se表面极性；若圆偏振光电流随栅压增大而线性增大，说明Bi2O2Se的初始表面极性为Bi原子截止，其初始表面带正电；若圆偏振光电流幅值随栅压先减小至0，反号后继续反向增大，则说明Bi2O2Se的初始表面极性为Se原子截止，其初始表面带负电。该方法测量准确，简单易行，对样品表面没有破坏，广泛适用于表面具有极性且存在自旋轨道耦合的材料。
一种偏振光电流区分二维 bi2o2se 表面极性方法

[发明专利]分离三维拓扑绝缘体锑化碲上下表面态光致反常霍尔电流的方法-CN202310074046.7在审
发明人： 俞金玲;稂新杰;程树英 -专利权人：福州大学
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G01N23/2273 文献下载
摘要：本发明提出一种分离三维拓扑绝缘体锑化碲薄膜上下表面态光致反常霍尔电流的方法，该方法利用1064纳米波长的圆偏振光在室温下垂直入射在施加了横向电场的三维拓扑绝缘体锑化碲薄膜上，以诱导光致反常霍尔电流。通过电动平移台使光斑沿着锑化碲薄膜的正方形电极连线的垂直平分线移动，获得了锑化碲薄膜中光致反常霍尔电流与光斑位置的变化曲线，提出了一种分离上下表面态光致反常霍尔电流的理论模型。利用该理论模型中提出的公式拟合得到了锑化碲薄膜的上表面态和下表面态的光致反常霍尔电流的空间分布。本发明直接高效，简单易行，成本低廉，有利于在实际应用中的推广。
分离三维拓扑绝缘体锑化碲上下表面态光致反常霍尔电流方法

[实用新型]半导体激光器冲击试验装置-CN202320155583.X有效
发明人： 俞金玲;王建军;张瑞英 -专利权人：福州大学
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01M7/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了半导体激光器冲击试验装置，主要涉及半导体激光器。包括冲击台、设置在冲击台顶面的自动冲击组件、设置在冲击台上的夹具；所述自动冲击组件包括立杆、设置在立杆上的套筒，所述套筒上设有滑槽，所述套筒内设有滑动块，所述滑动块与滑槽配合滑动，所述滑动块上设有驱动组件，所述驱动组件连接设有传动轴，所述传动轴与套筒螺纹连接，所述传动轴前端设有带有钢丝绳的配重件，所述套筒前端设有阻挡片。本实用新型的有益效果在于：用于对半导体激光器进行冲击试验测试，减少了人工操作的同时能够自动按照一定频率实现对多个半导体激光器进行冲击，提高了现有装置的试验效率，同时还能够实现快速拆卸半导体激光器，节约了试验流程。
半导体激光器冲击试验装置

[发明专利]治疗肠易激综合征的中药复方和中药煎制器-CN202110783865.X有效
发明人： 俞金玲;黄适;潘振东 -专利权人：黄适
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： A61J3/00 文献下载
摘要：本发明公开一种治疗肠易激综合征的中药复方和煎制该中药复方的中药煎制器，该中药复方包括黄芪、仙鹤草、山药、补骨脂、陈皮、紫苏叶、干姜、黄芩片、当归等九味中药物，其中黄芪健脾补气升阳，仙鹤草收敛止泻且可补虚，山药补脾益肾，补骨脂温脾补肾止泻，补肾健脾可健脾之运化以止泻，陈皮理气健脾燥湿，紫苏具有行气宽中的功效，行气可防体内之痰湿积聚，以助健脾，当归补血活血，气能生血，血能载气，补气可兼养血，补血可促进生气和行气，干姜温中，可助升脾胃之阳气，黄芩片清热燥湿，防干姜、当归之温燥太过。该中药复方可行气温中，健脾补气，治疗脾肾阳虚之泄泻，服用该中药复方可有效治疗肠易激综合征，副作用小，安全性较好。
治疗肠易激综合征中药复方煎制器

[发明专利]一种区分p型砷化镓晶向的光电方法-CN202211479550.7在审
发明人： 俞金玲;李冠华;陈涌海;王浩然 -专利权人：福州大学
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G01N21/27 文献下载
摘要：本发明涉及一种区分p型砷化镓晶向的光电方法，包括：制备p‑GaAs样品及两对条形电极；将样品放置在真空杜瓦瓶里，用引线连接一对电极，并与电压前置放大器相连；激光器发出的激光经过衰减片、斩波器、起偏器、光弹性调制器和透镜，使激光垂直入射到样品上；样品在激光照射下产生光电流，输入电压前置放大器，通过第一、二锁相放大器分别提取普通光电流、圆偏振光相关光电流，让样品连续偏转设定次数，每变化设定角度采集一次电流数据；给前置放大器施加电压再重复测试一次；将样品旋转90°，用引线连接另一对电极，重复上述测试过程；对比得到的数据，根据信号大、小区分[110]晶向、晶向。该方法有利于简单、快捷、有效地定位p型砷化镓的晶向。
一种区分型砷化镓晶光电方法

[发明专利]一种实现氧化锌线状晶体管电导可调的方法-CN201810734873.3有效
发明人：赖云锋;陈凡;陈帅;程树英;林培杰;俞金玲 -专利权人：福州大学
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明涉及一种实现氧化锌线状晶体管电导可调的方法，其特征在于：所述氧化锌线状晶体管包括重掺硅/二氧化硅衬底、氧化锌线状介质以及一对钛电极；所述氧化锌线状晶体管电导可调的方法包括以下步骤：设氧化锌线状晶体管的阈值电压为VG1，某一栅极电压下的电导状态为C1；对氧化锌线状晶体管的栅极施加‑V1~V2范围的扫描电压，使氧化锌线状晶体管的阈值电压变为VG2，可以获得该栅压下的第2电导状态C2；对氧化锌线状晶体管的栅极施加‑V1~Vi范围的扫描电压，使氧化锌线状晶体管的阈值电压变为VGi，可以获得该栅压下的第i电导状态Ci。通过本发明可以对具有良好的电导调节特性氧化锌线状晶体管，获得在同一栅极电压下不同的电导状态。
一种实现氧化锌线状晶体管电导可调方法

[发明专利]一种基于离散小波变换和坡度融合算法的图像拼接方法-CN201911371191.1有效
发明人：郑茜颖;翁道臣;俞金玲;程树英;罗征;张玉婷 -专利权人：福州大学
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G06T3/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于离散小波变换和坡度融合算法的图像拼接方法，先对参考图像和目标图像进行投影变换，再经过SURF算法提取特征点并利用KNN算法和RANSAC算法进行配准，然后寻找最佳缝合线确定融合区域及其掩模图，进行离散小波变换后使用坡度融合算法对分解的低频区域和高频区域分别进行融合，利用离散小波逆变换生成融合图像，最后利用掩模图进行拼接得到最终的拼接图像。本发明可以提高图像拼接的质量。
一种基于离散变换坡度融合算法图像拼接方法

[发明专利]一种测量三维拓扑绝缘体中电流诱导自旋极化的方法-CN202110777060.4有效
发明人： 俞金玲;李金娴;庄航;程树英;赖云锋;郑巧 -专利权人：福州大学
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G01R33/032 文献下载
摘要：本发明涉及一种测量三维拓扑绝缘体中电流诱导自旋极化的方法。包括：制备Bi2Te3薄膜样品并在其上沉积矩形的钛金电极；将样品安装在真空杜瓦瓶中；激光器发出的光依次通过、衰减片、斩波器、起偏器、光弹性调制器以及透镜，以一定入射角照射在真空杜瓦瓶中样品两电极连线的中点；使用电流前置放大器给样品施加向电压和反向电压，通过锁相放大器分别提取出普通光电导电流和圆偏振光相关的光电流；通过公式计算得到某一个电压或电场下的圆偏振光电导差分电流，该圆偏振光电导差分电流的大小反映了电流诱导自旋极化的大小。本发明方法较为简单、快捷，便于日后推广。
一种测量三维拓扑绝缘体电流诱导自旋极化方法

[发明专利]探测Bi2Te3表面态六角翘曲的电流诱导自旋极化的方法-CN202110777057.2有效
发明人： 俞金玲;庄航;程树英;赖云锋;郑巧 -专利权人：福州大学
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G01R33/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种探测Bi2Te3表面态六角翘曲的电流诱导自旋极化的方法。包括：制备Bi2Te3薄膜样品并在其上沉积矩形的电极；通过引线将电极与电流前置放大器的输入端相连；将斩波器的斩波频率、光弹性调制器的一倍频分别作为锁相放大器1、锁相放大器2的参考信号，电流前置放大器的输出端与锁相放大器1、锁相放大器2的输入端相连；激光器发出的光依次通过斩波器、起偏器、光弹性调制器以及透镜，以入射角θ照射在样品上两电极连线的中点；测得不同入射角下的普通光电导电流和圆偏振相关的光电流；计算得到不同入射角下的圆偏振光电导差分电流，通过公式拟合得到Bi2Te3表面态六角翘曲的圆偏振光电导差分电流随入射角的变化曲线。
探测 bi2te3 表面六角电流诱导自旋极化方法

[发明专利]测量拓扑绝缘体Bi2Te3中拉莫进动引起的磁致光电流的方法-CN202110065501.8有效
发明人： 俞金玲;陈神忠;程树英;赖云锋;郑巧 -专利权人：福州大学
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G01R15/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种测量拓扑绝缘体Bi2Te3中拉莫进动引起的磁致光电流的方法。该方法是对三维拓扑绝缘体Bi2Te3施加一个平面内沿x方向的磁场，用1064nm的激光垂直照射（沿z方向）在样品上两电极连线的中点上，激发产生磁致光电流。通过转动四分之一波片获得不同偏振状态下的光电流，然后通过公式拟合得到圆偏振光激发由拉莫进动引起的磁致光电流。其原理为，圆偏振光激发产生垂直方向的自旋极化Sz，x方向的磁场使得拓扑绝缘体中产生的自旋极化Sz产生拉莫进动，从而产生y方向的自旋极化Sy。这个方向的自旋极化将会引起x方向流动的电荷流，即由拉莫进动引起的圆偏振磁致电流。
测量拓扑绝缘体 bi2te3 中拉莫进动引起磁致光电流方法

[发明专利]一种调控碲化锑薄膜圆偏振光致电流的方法-CN201910992343.3有效
发明人： 俞金玲;潘庆高;赵宜升;程树英 -专利权人：福州大学
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种调控碲化锑薄膜圆偏振光致电流的方法。该方法通过改变薄膜的厚度，来改变表面粗糙度，从而调控碲化锑薄膜中圆偏振光致电流；碲化锑薄膜中的圆偏振光致电流信号是由上表面态的信号和下表面态的信号叠加而成；由于上表面态和下表面态的自旋轨道耦合的方向是相反的；当薄膜厚度增加时，表面粗糙度增加，上表面态的贡献减小，上表面态和下表面态信号叠加以后下表面态的信号会占主导，从而使得圆偏振光致电流的大小甚至符号发生变化，起到调控碲化锑薄膜中圆偏振光致电流的作用。本发明调控效果显著，简单易行，成本低廉，有利于日后推广应用。
一种调控碲化锑薄膜偏振光致电方法

[发明专利]一种二氧化硅包覆的骨头状金纳米棒及其制备方法-CN201910678271.5有效
发明人：郑巧;金蒙佳;程树英;赖云锋;俞金玲 -专利权人：福州大学
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： B22F1/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氧化硅包覆的骨头状金纳米棒及其制备方法，其是采用种子介导生长法制备骨头状的金纳米棒，然后将硅源在含强碱的金纳米棒溶液中进行水解，使生成的二氧化硅吸附金纳米棒表面，而制得所述二氧化硅包覆的骨头状金纳米棒。本发明制备的金纳米棒具有骨头形状，并且具有独特的等离子体共振吸收峰，其横轴与纵轴等离子体共振吸收峰之间呈现出连续上升的趋势，使其在宽带范围的光吸收增强，从而可用于光‑电转换等新型电子器件的制备。本发明方法相对简单，重复性好，所使用的原料广泛易得，生产成本低廉，适于大范围生产推广。
一种二氧化硅骨头纳米及其制备方法

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