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[发明专利]一种选通管材料、选通管单元及其制备方法-CN202310928545.8在审
发明人：程晓敏;李凯;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种选通管材料、选通管单元及其制备方法，属于微纳米电子技术领域，选通管单元包括衬底以及依次堆叠于衬底上的第一电极层、选通管材料层和第二电极层；选通层材料为包括Si、Te及A的化合物，其中A为掺杂元素，且为C、N、O及P中的至少一种；选通管材料的化学通式为SixTeyA100‑x‑y，其中x、y为元素的原子百分比，且10≤x≤60，40≤y≤90，0＜100‑x‑y≤50。本发明提供的选通管材料组分简单、无毒，且易于制备，通过进一步元素掺杂可以减小漏电流和提高热稳定性。
一种选通管材料单元及其制备方法

[发明专利]相变材料开关装置及其制造方法-CN202310730374.8在审
发明人：张国彬;丁裕伟;王怡情;黄国钦;庄学理 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：一种相变材料开关装置及其制造方法，相变材料开关装置包括：半导体基板上方的底部介电层；设置于底部介电层上的第一加热器元件，第一加热器元件包含以第一热膨胀系数(CTE)为特征的第一金属元件；设置于第一加热器元件上的第二加热器元件，第二加热器元件包含以大于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数为特征的第二金属元件；第一金属衬垫及第二金属衬垫；及包含PCM的PCM区，PCM可操作以回应于由第一加热器元件及第二加热器元件产生的热量而在非晶态与晶态之间切换，其中PCM区设置于第二加热器元件的顶表面之上，且气隙自三个侧面围绕第一加热器元件及第二加热器元件。
相变材料开关装置及其制造方法

[发明专利]选择器结构、记忆体单元及记忆体阵列-CN202310463168.5在审
发明人：李泓儒;张国彬;丁裕伟;陈佑昇;陈庆恩;黄国钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：一种选择器结构、记忆体单元及记忆体阵列，选择器结构包含底部电极、第一切换膜和第一顶部电极。底部电极包含底部低热导率金属和第一底部高热导率金属。第一切换膜位于底部电极上且具有可通过电场切换的电阻率。第一顶部电极在第一切换膜上且包含第一顶部低热导率金属和第一顶部高热导率金属。
选择器结构记忆体单元阵列

[发明专利]一种新型二维材料与有机薄膜混合忆阻器的制备方法-CN202310794653.0在审
发明人：杨晓琴;鲁佳文;肖安康;朱鹏;杨赢;何庆;顾泓 -专利权人：材料科学姑苏实验室
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明提供一种新型二维材料与有机薄膜混合忆阻器的制备方法，所述制备方法所加工的器件结构从下到上依次为衬底、底电极、阻变层、有机材料薄膜和顶电极。该忆阻器能够在较小的电压刺激下实现开启状态，表现出良好的循环性能和保持特性，同时具有制备简单、灵敏度高、高低阻态稳定性好以及成本低等优点，非常适合工业化生产。
一种新型二维材料有机薄膜混合忆阻器制备方法

[发明专利]金属氧化物的去除方法及光刻胶的去除方法-CN202310658304.6在审
发明人：蒋兴宇;沈涛;董云鹤;蒋中伟 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属氧化物的去除方法及光刻胶的去除方法，涉及半导体技术领域，该金属氧化物的去除方法包括：处理步骤，向反应腔室通入第一工艺气体，激发第一工艺气体形成等离子体，以对晶圆金属层表面的金属氧化物进行处理，使金属氧化物转变为金属氮化物；其中，第一工艺气体包括含氮元素气体；刻蚀步骤，向反应腔室通入第二工艺气体，激发第二工艺气体形成等离子体，以刻蚀去除金属氮化物；其中，第二工艺气体包括含氯元素气体。本发明能够提升去除金属表面的金属氧化物的处理效率及处理效果，避免影响半导体器件的使用寿命，提升了半导体器件制造的可靠性。
金属氧化物去除方法光刻

[发明专利]基于双层布置的电忆阻器件-CN202280016944.0在审
发明人： B·J·奥佛来恩;V·布拉加格利亚;F·霍斯特;A·拉波尔塔;R·当热尔;D·朱宾 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：一种忆阻装置具有层结构。后一种结构包括两个电极和连接这两个电极的双层材料布置。双层材料布置可以例如被两个电极夹在中间，与其直接接触。双层材料布置包括HfOy层，其中1.3±0.1≤y1.9±0.1，以及与WOx层直接接触的HfOy层，其中2.5±0.1≤x2.9±0.1。双层布置包括HfOy和WOx的亚化学计量层，其中WOx层可以有利地具有在单斜相中的多晶结构，而HfOy层优选是非晶的。
基于双层布置电忆阻器件

[发明专利]一种拓扑相变忆阻器及其制备方法和应用-CN202311128089.5在审
发明人：程伟明;苏睿;张润青;肖睿子;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-09-04 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种拓扑相变忆阻器及其制备方法和应用，其制备步骤为：采用脉冲激光沉积法在衬底层表面沉积底电极层；在氧气气氛中进行原位退火处理，促使氧离子富集于所述底电极层表面；采用脉冲激光沉积法在所述底电极层表面沉积阻变层，使阻变层与底电极层之间自发扩散形成富氧缓冲层；进行光刻处理，并在光刻后的阻变层上制备顶电极层。通过对底电极层进行氧气预处理，促使在底电极层和阻变层之间形成富氧缓冲层，减缓了晶格失配效应，促使制备出具有垂直型类超晶格的拓扑相变忆阻器，其中类超晶格结构与施加电场方向保持一致，极大提高了氧离子迁移效率，减小了相应器件的操作电压，提高了器件的可靠性。
一种拓扑相变忆阻器及其制备方法应用

[发明专利]提升铁电隧穿结性能的器件结构及其制备方法-CN202011079110.3有效
发明人：唐建石;张文彬;吴华强;高滨;钱鹤 -专利权人：清华大学
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本申请提出了一种提升铁电隧穿结性能的器件结构及其制备方法，其中，器件结构包括：上电极、铁电层、绝缘介质层和下电极；其中，上电极位于绝缘介质层和铁电层的上方，下电极位于所述绝缘介质层和铁电层的下方，所述铁电层位于绝缘介质层的上方或下方；绝缘介质层上分布有小孔，铁电层通过小孔与上电极或下电极接触。根据本申请实施例的器件结构，能够提升铁电隧穿结的模拟阻变特性和一致性。
提升铁电隧穿结性能器件结构及其制备方法

[发明专利]电阻随机存取存储器（RRAM）单元和构造方法-CN202180089603.1在审
发明人：冷耀俭 -专利权人：微芯片技术股份有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明提供了电阻随机存取存储器(RRAM)单元，例如导电桥接随机存取存储器(CBRAM)单元和基于氧空位的RRAM(OxRRAM)单元。RRAM单元可包括形成在相邻金属互连层之间或硅化有源层(例如，包括MOSFET器件)与第一金属互连层之间的金属‑绝缘体‑金属(MIM)结构。该RRAM单元的该MIM结构可通过镶嵌过程形成，该镶嵌过程包括：在电介质区中形成桶开口；在该桶开口中形成杯形底部电极；在由该杯形底部电极限定的内部开口中形成杯形绝缘体；以及在由该杯形绝缘体限定的内部开口中形成顶部电极。该杯形底部电极或其部件(在多层底部电极的情况下)可与互连通孔同时形成，例如，通过钨或其他共形金属的沉积。
电阻随机存取存储器 rram 单元构造方法

[发明专利]一种干法刻蚀制备侧壁加热电极的方法-CN202310850746.0有效
发明人：朱德连;叶联;曹迎利;车东晨;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种干法刻蚀制备侧壁加热电极的方法，包括以下步骤：S1）在衬底上依次形成绝缘介质层、加热电极层与光刻胶层，得到中间体；S2）将所述中间体进行曝光和显影，得到侧壁具有光刻胶保护层的衬底；S3）将所述侧壁具有光刻胶保护层的衬底进行干法刻蚀，得到具有侧壁加热电极的衬底。与现有技术相比，本发明采用干法刻蚀对纵向和横向的同步刻蚀过程中，极大程度保护住光刻胶保护层下的加热电极，且台阶侧壁无光刻胶区域无加热电极残留。
一种刻蚀制备侧壁加热电极方法

[实用新型]半导体元件-CN202321242883.8有效
发明人：丁裕伟;张国彬;李泓儒;黄国钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：揭示一种半导体元件。该半导体元件包括一半导体基板，及在该半导体基板上的一加热器元件，该加热器元件用以回应于流经该加热器元件的一电流产生热。该半导体元件亦包括具有一可程序化导电率的一导体材料，及在该加热器元件与该导体材料之间的一绝缘体层，其中该导体材料用以通过将一或多个电压差施加至该加热器元件及该导体材料中的一或多者来程序化，且其中该导体材料与该加热器元件之间的一电容用以由该些电压差控制，使得该电容在该导体材料在程序化中时比在该导体材料不在程序化中时低。
半导体元件

[发明专利]平面型忆阻器阻变类型的调控方法-CN202310905342.7在审
发明人：李文武;刘新领;褚君浩 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面型忆阻器阻变类型的调控方法，该忆阻器结构为平面型，从左到右，依次是源电极、薄膜材料和漏电极。采用真空镀膜工艺在衬底上沉积大面积、掺杂的薄膜材料；通过紫外光刻和刻蚀工艺进行图形化设计，使薄膜材料具有不同的沟道长度和宽度；然后再通过紫外光刻工艺，实现源、漏电极图形化；最后采用真空镀膜工艺蒸镀源、漏电极，随后经过剥离和热退火工艺，完成器件的制备。本发明所述的薄膜制备方法，既能实现厚度和掺杂程度调控，又能实现薄膜大面积、晶圆级制备。本发明通过调控薄膜的沟道长度，选择性制备易失性或非易失性的平面型忆阻器，实现基于同种沟道材料不同阻变类型的调控。
平面型忆阻器阻变类型调控方法

[发明专利]一种存储器结构的制造方法、存储器结构和存储器-CN202310768708.0在审
发明人：贾萌恩;郭秋生;张继伟;丁甲;胡林辉 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器结构的制造方法、存储器结构和存储器，存储器结构的制造方法包括对第一金属层进行图案化处理，并在第一金属层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上刻蚀连通第一金属层的第一通孔；在第一绝缘层和第一通孔内沉积存储单元，并在存储单元上沉积第一导电金属；在第一导电金属上显影出存储单元，并分别刻蚀第一导电金属和存储单元，以获取存储单元图案；在第一绝缘层和第一导电金属上沉积停止层。本发明可以在半导体的VIA孔内设置一存储单元，增加了存储器的面积，解决了现有技术中存储器的有效面积在现有技术的基础上难以增加的问题，提高了存储器的器件性能。
一种存储器结构制造方法

[发明专利]基于直流偏压调控的氧化物忆阻器的制备方法-CN202310971397.8在审
发明人：马海蛟;王磊;朱江;王钥绮;张越影;刘绍烜;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种基于直流偏压调控的氧化物忆阻器的制备方法，实现步骤为：生成底电极；基于物理气相沉积和直流偏压在底电极上沉积氧化物功能层；获取制备结果。本发明通过设置放置衬底的载物台所加载的直流偏压的压值，并采用物理气相沉积在底电极上形成氧化物功能层，能够提高底电极表面金属氧化物中金属元素与氧元素的比例，在保证功能层内具有较高的氧空位缺陷浓度的前提下，避免了现有技术功能层的金属氧化物中包含的掺杂成分在高温处理过程中所存在的扩散问题而使忆阻器特性退化的缺陷，一方面能够实现与CMOS集成电路制造工序中的后端高温处理工艺较好的兼容，同时能够提升CMOS集成电路的性能。
基于直流偏压调控氧化物忆阻器制备方法

[发明专利]相变射频开关制造方法-CN201911242574.9有效
发明人：邢东;吕元杰;赵向阳;冯志红;刘波 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明适用于相变射频开关器件技术领域，提供了一种相变射频开关制造方法，该方法包括：通过在预设半导体绝缘衬底上制备半导体加热电阻，并在半导体加热电阻的两端分别制备电阻加电电极，获得第一样品；在除电阻加电电极之外的第一样品的表面制备隔离层，在隔离层上半导体加热电阻对应位置处制备相变材料薄膜，并在相变材料薄膜的两端分别制备接触电极，获得第二样品，电阻加电电极的方向与接触电极的方向相互垂直；在第二样品的表面制备钝化层，获得相变射频开关。本发明实施例中的相变射频开关是采用半导体材料制作开态关态触发电阻加热器，从而可以提高相变开关可靠性，简化工艺，同时还可以降低相变射频开关集成芯片的工艺成本。
相变射频开关制造方法

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