“P·凡蒂尼”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果26个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]使用原子层沉积在三维存储器阵列中形成存储器单元-CN202310447091.2在审
发明人： P·凡蒂尼;S·W·鲁塞尔;E·瓦雷西;L·弗拉汀 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10B69/00 文献下载
摘要：本申请涉及使用原子层沉积ALD在三维存储器阵列中形成存储器单元。所述方法可包含将层堆叠沉积在衬底上方以及穿过所述层堆叠形成多个墩。所述方法可进一步包含穿过所述层堆叠形成多个空腔以及在所述层堆叠的层之间形成多个空隙。另外，所述方法可包含基于将导电材料沉积在所述空隙中而形成多个字线，以及基于使用ALD将活性材料沉积在所述空腔的内表面之上而形成多个存储器单元。
使用原子沉积三维存储器阵列形成单元

[发明专利]具有气隙的存储器阵列-CN202310389071.4在审
发明人： P·凡蒂尼;P·泰萨里欧;E·瓦雷西;L·弗拉汀 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/764 文献下载
摘要：本申请涉及具有气隙的存储器阵列。描述了用于电子存储器的技术。一种用于形成存储器阵列的方法可包含形成存储器单元、在字线之间形成介电材料以及在所述介电材料的侧壁上形成密封材料。所述方法还可包含移除所述密封材料的至少一部分以暴露所述介电材料。并且，所述方法可包含在所述介电材料中形成一或多个空隙，其中所述一或多个空隙可将所述字线彼此分离。所述存储器阵列可包含所述存储器单元、所述字线、支柱和支架，其中所述字线可通过所述一或多个空隙彼此分离以形成气隙。
有气存储器阵列

[发明专利]垂直3D存储器装置及其制造方法-CN201980103452.3有效
发明人： P·凡蒂尼;C·维拉;P·泰萨里欧 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请案涉及一种垂直3D存储器装置及其制造方法。垂直3D存储器装置可包括：衬底，其包含每一者与多条数字线中的相应者耦合的多个导电接触件；多个字线板，其用所述衬底上的相应电介质层彼此分离，包含用以蛇形形状延伸的电介质材料与至少第二组字线分离的至少第一组字线及用以蛇形形状延伸的电介质材料与至少第四组字线分离的至少第三组字线；至少一个分离层，其平行于数字线及字线两者；及多个存储元件，每一存储元件形成于相应凹部中。
垂直存储器装置及其制造方法

[发明专利]三维存储器阵列的密集墩-CN202310295281.7在审
发明人： S·W·鲁塞尔;E·瓦雷西;D·H·威尔士;P·凡蒂尼;L·弗拉汀 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10B41/42 文献下载
摘要：本申请案涉及用于三维存储器阵列的密集墩。在一些实例中，存储器装置可包含与由沉积在衬底上方的交替材料层形成的特征接触而形成的墩结构。例如，存储器装置可包含第一材料与第二材料的交替层。在一些实例中，所述交替层可形成为一对交错的梳状结构。墩结构可形成为与横截面图案接触，并且可提供对剩余材料的横截面图案的机械支撑。在一些实例中，所述墩可进一步充当所述存储器装置的存储器单元或其它特征之间的分离器。例如，所述墩可延伸到所述交错梳状结构的至少一部分中，并且因此可在随后的材料沉积期间充当势垒。
三维存储器阵列密集

[发明专利]存取自选择存储器装置的技术-CN201880079650.6有效
发明人： I·托尔托雷利;A·雷达埃利;A·皮罗瓦诺;F·佩里兹;M·阿莱格拉;P·凡蒂尼 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本申请涉及存取自选择存储器装置的技术。描述与存取自选择存储器装置的技术有关的方法、系统及装置。自选择存储器单元可存储通过所述自选择存储器单元的不同阈值电压表示的一或多个数据位。可改变编程脉冲以通过修改于其期间跨所述自选择存储器单元维持固定电压或电流电平的一或多个持续时间而建立所述不同阈值电压。所述自选择存储器单元可包含硫属化物合金。所述硫属化物合金中的元素的非均匀分布可确定所述自选择存储器单元的特定阈值电压。所述编程脉冲的形状可经配置以基于所述自选择存储器单元的所要逻辑状态修改所述硫属化物合金中的所述元素的分布。
存取选择存储器装置技术

[发明专利]用于存储器装置的解码-CN202180082319.1在审
发明人： P·凡蒂尼;L·弗拉汀;F·佩里兹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：描述用于存储器装置的解码的方法、系统及装置。解码器可包含在相对于存储器阵列的裸片的第三方向上延伸的第一垂直n型晶体管及第二垂直n型晶体管。所述第一垂直n型晶体管可经配置以选择性地将存取线与源极节点耦合且所述第二n型晶体管可经配置以选择性地将所述存取线与接地节点耦合。为激活与所述第一及第二垂直n型晶体管耦合的所述存取线，可激活所述第一垂直n型晶体管，可撤销激活所述第二垂直n型晶体管，且与所述第一垂直n型晶体管耦合的所述源极节点可施加有不同于接地电压的电压。
用于存储器装置解码

[发明专利]存储器设备及其存取方法以及制造方法-CN202080107769.7在审
发明人： P·凡蒂尼;C·维拉;S·F·席佩斯;L·弗拉汀 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本公开提供一种存储器设备及一种用于存取3D垂直存储器阵列的方法。所述3D垂直存储器阵列包括在由绝缘材料彼此分离的平面中组织的字线、垂直于所述字线平面的位线、耦合在相应字线与相应位线之间的存储器单元。所述设备还包括控制器，其经配置以选择多个字线、选择多个位线及同时存取多个存储器单元，其中每一存储器单元位于选定字线与选定位线的交叉点处。所述方法包括选择多个字线、选择多个位线及同时存取多个存储器单元，其中每一存储器单元位于所述选定多个字线中的选定字线与所述选定多个位线中的选定位线的交叉点处。还描述一种制造3D垂直存储器阵列的方法。
存储器设备及其存取方法以及制造

[发明专利]硫族化物存储器装置组合物-CN202310136686.6在审
发明人： D·W·柯林斯;P·凡蒂尼;L·弗拉汀;E·瓦雷西 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本申请案涉及硫族化物存储器装置组合物。存储器单元可使用具有如本文中所描述的组合物的硫族化物材料作为存储材料、选择器材料或作为自选存储材料。如本文中所描述的硫族化物材料可包含含硫组分，其可为完全硫(S)或可为硫与例如硒(Se)等一或多种其它元素的组合。除所述含硫组分之外，所述硫族化物材料可进一步包含一或多种其它元素，例如锗(Ge)、至少一种第III族元素或砷(As)。
硫族化物存储器装置组合

[发明专利]并行存储器单元存取技术-CN202310104237.3在审
发明人： P·凡蒂尼;A·马丁内利;M·里齐 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请涉及并行存储器单元存取技术。存储器装置可包含多个存储器单元层。在第一持续时间期间，可以向与存储器单元层耦合的一组字线施加第一电压以使包含在所述层的第一存储器单元子集中的一或多个存储器单元阈值化。在第二持续时间期间，可以向所述一组字线施加第二电压以将第一逻辑状态写入到所述第一子集中的所述一或多个存储器单元并使包含在所述层的第二存储器单元子集中的一或多个存储器单元阈值化。在第三持续时间期间，可以向所述一组字线施加第三电压以将第二逻辑状态写入到所述第二子集中的所述一或多个存储器单元。
并行存储器单元存取技术

[发明专利]用于存储器阵列的支柱的电压均衡-CN202180082296.4在审
发明人： C·维拉;F·贝代斯基;P·凡蒂尼 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：描述用于存储器阵列的支柱的电压均衡的方法、系统及装置。在一些实例中，存储器阵列可经配置有导电支柱，其各自与相应存储器单元组耦合，且可选择性地与存取线耦合。为了支持来自未选定支柱的电荷的耗散或均衡，所述存储器阵列可经配置有提供与接地电压或其它电压源的耗散耦合，例如具有相对高电阻或一定程度电容的耦合(例如，以支持无源均衡)的材料层或层级。另外或替代地，存储器阵列可经配置以通过将已在浮动状况下操作的支柱与接地电压或其它电压源选择性地耦合(例如，以执行动态均衡)来支持经积累电荷或电压的有源耗散。
用于存储器阵列支柱电压均衡

[发明专利]用于交叉点存储器装置的编程电流控制器和感测电路-CN202310026305.9在审
发明人： A·盖蒂;安德烈亚·马丁内利;E·博兰里那;F·贝代斯基;P·凡蒂尼 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本公开涉及用于交叉点存储器装置的编程电流控制器和感测电路。在一种方法中，竖直三维交叉点存储器装置使用数字线解码器，其在存储器单元的数字线侧上包含电流限制器和感测电路，所述电流限制器和感测电路被配置成控制由控制器选择的正或负编程极性中的任一个下的编程电流。两个电流限制器各自用于每一存储器单元的所述数字线侧上。负极性电流限制器用于上拉，且正极性电流限制器用于下拉。负极性感测电路用于相应数字线解码器与正供应电压之间。正极性感测电路用于所述相应数字线解码器与负供应电压之间。基于所选编程极性将相同极性的所述电流限制器和感测电路对耦合到每一数字线解码器。
用于交叉点存储器装置编程电流控制器电路

[发明专利]存储器装置及其制造方法-CN202080103079.4在审
发明人： L·弗拉汀;P·凡蒂尼;F·佩里兹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10B43/50 文献下载
摘要：描述用于垂直3D存储器装置的方法、具有垂直3D存储器装置的设备及垂直3D存储器装置。垂直3D存储器装置可包括：多个接触件，其与多条数字线相关联且延伸穿过衬底；多个字线板，其通过相应介电层彼此分离且包含第一多个字线板及第二多个字线板；介电材料，其定位于所述第一多个与所述第二多个字线板之间，所述介电材料以蛇形形状延伸于所述衬底上方；多个柱，其形成于所述多个接触件上方且与所述多个接触件耦合；及多个存储元件，其各自包括定位于相应字线板与相应柱之间的凹部中的硫属化物材料，其中所述凹部具有拱形，且所述凹部中的所述硫属化物材料在所述凹部的中部处接触所述相应字线板且在所述凹部的底部处接触所述相应柱。
存储器装置及其制造方法

[发明专利]用于三维存储器阵列的热绝缘-CN201780021358.4有效
发明人： P·凡蒂尼 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10B63/10 文献下载
摘要：本申请案涉及用于三维存储器阵列的热绝缘。描述用于三维存储器阵列的方法、系统及装置。存储器单元可在暴露于高温时转换，所述高温包含与相邻单元的读取或写入操作相关联的高温，从而破坏存储于所述存储器单元中的数据。为防止此热干扰效应，存储器单元可由包含一或若干界面的热绝缘区域彼此分离。所述界面可通过将不同材料彼此层叠或在形成期间调整材料的沉积参数而形成。所述层可使用例如平面薄膜沉积技术产生。
用于三维存储器阵列绝缘

[发明专利]三维存储器阵列及其处理方法-CN201980084179.4有效
发明人： P·凡蒂尼;L·弗拉汀 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：实例三维(3D)存储器阵列包含衬底材料，所述衬底材料包含以交错图案布置的多个导电触点和彼此被形成于所述衬底材料上的第一绝缘材料隔开的导电材料的多个平面。所述导电材料的所述多个平面中的每一个包含形成于其中的多个凹部。第二绝缘材料穿过所述绝缘材料和所述导电材料以蛇形形状形成。多个导电柱布置成大体上垂直于所述导电材料的所述多个平面和衬底延伸，且每一相应导电柱耦合到所述导电触点中的不同相应者。硫族化物材料形成于所述多个凹部中，使得每一相应凹部中的所述硫族化物材料部分地围绕所述多个导电柱中的一个形成。
三维存储器阵列及其处理方法

[发明专利]改进的竖直3D存储器装置及存取方法-CN202080101330.3在审
发明人： C·维拉;S·F·席佩斯;P·凡蒂尼;E·博兰里那 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本公开提供一种存储器装置及其存取/取消选择方法。所述存储器装置包括：存储器层，其包含形成于其中的存储器单元的竖直三维(3D)存储器阵列，其中存储器单元经由彼此正交的字线及数字线被存取，且所述数字线呈竖直延伸的导电支柱的形式；支柱选择层，其形成于所述存储器层下方，且其中形成有用于存取存储器单元的薄膜晶体管(TFT)；及外围电路层，其形成于所述支柱选择层下方，且具有用于字线及位线的感测放大器及解码电路系统，其中针对每一支柱配置TFT。
改进竖直存储器装置存取方法

1
2
下一页»
尾页
共 26 条