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[发明专利]选择器结构、记忆体单元及记忆体阵列-CN202310463168.5在审
发明人： 李泓儒;张国彬;丁裕伟;陈佑昇;陈庆恩;黄国钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：一种选择器结构、记忆体单元及记忆体阵列，选择器结构包含底部电极、第一切换膜和第一顶部电极。底部电极包含底部低热导率金属和第一底部高热导率金属。第一切换膜位于底部电极上且具有可通过电场切换的电阻率。第一顶部电极在第一切换膜上且包含第一顶部低热导率金属和第一顶部高热导率金属。
选择器结构记忆体单元阵列

[发明专利]晶圆检测系统-CN202211658342.3在审
发明人：蔡佳霖;李泓儒;古文烨 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆检测系统。该晶圆检测系统包括：一存储器单元，经配置以存储一晶圆上一被测元件(DUT)的一影像；一影像载入单元，经配置以将该影像上传到一处理单元；以及一处理单元，经配置以识别该影像上的多个候选区域。该处理单元亦经配置以为该多个候选区域中的每个区域产生一信赖度分数，其中该信赖度分数表示一候选区域包括一针痕的机率。该处理单元亦经配置以选择具有最高信赖度分数的一第一候选区域作为一选定区域。该处理单元亦经配置以判断该多个候选区域中的一第二候选区域是否包括与该第一候选区域相同的针痕；以及如果该第二候选区域包括与该第一候选区域相同的针痕，则排除该第二候选区域。
检测系统

[发明专利]晶圆检测方法-CN202310138659.2在审
发明人：蔡佳霖;李泓儒;古文烨 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆检测方法。该晶圆检测方法包括在一晶圆上的一被测元件(device under test，DUT)的一影像上识别多个候选区域；为该多个候选区域中的每个区域产生一信赖度分数，其中该信赖度分数表示一候选区域包括针痕的几率；选择具有最高信赖度分数的一第一候选区域作为一选定区域；判断该定多个候选区域中的一第二候选区域是否包括与该第一候选区域相同的针痕；以及如果该第二候选区域包括与该第一候选区域相同的针痕，则排除该第二候选区域。
检测方法

[发明专利]相变材料开关元件、其制造方法及操作方法-CN202310704826.5在审
发明人：张国彬;李泓儒;丁裕伟;黄国钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：提供一种相变材料开关元件、其制造方法及操作方法。相变材料开关元件包含：底部介电层，位于半导体基材；加热元件，嵌设于底部介电层上，其中加热元件包含第一金属元素且是配置以对应电流产生热能，电流流经加热元件；自对准介电层，设置于加热元件上，其中自对准介电层包含第一金属元素的氧化物及第一金属元素的氮化物的一者，且自对准介电层与加热元件水平对准；相变材料区，设置于自对准介电层上，其中相变材料区包含相变材料。相变材料是可操作，以对应由加热元件所产生的热能在非结晶状态及结晶状态之间切换；以及两个金属垫，电性连接至相变材料区。
相变材料开关元件制造方法操作方法

[实用新型]半导体元件-CN202321242883.8有效
发明人：丁裕伟;张国彬;李泓儒;黄国钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：揭示一种半导体元件。该半导体元件包括一半导体基板，及在该半导体基板上的一加热器元件，该加热器元件用以回应于流经该加热器元件的一电流产生热。该半导体元件亦包括具有一可程序化导电率的一导体材料，及在该加热器元件与该导体材料之间的一绝缘体层，其中该导体材料用以通过将一或多个电压差施加至该加热器元件及该导体材料中的一或多者来程序化，且其中该导体材料与该加热器元件之间的一电容用以由该些电压差控制，使得该电容在该导体材料在程序化中时比在该导体材料不在程序化中时低。
半导体元件

[实用新型]记忆体阵列及记忆体装置-CN202321205448.8有效
发明人： 李泓儒;张国彬;丁裕伟;陈庆恩;黄国钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：在各种实施例中提供一种记忆体阵列及记忆体装置。在那些实施例中，记忆体装置具有包括多层椭圆临限值切换(OTS)材料的OTS选择器，以实现用于OTS选择器的低漏电流及相对低的临限值电压。多层可以具有至少一层低带隙OTS材料及至少一层高带隙OTS材料。
记忆体阵列装置

[发明专利]晶圆检验方法及系统-CN202011322234.X在审
发明人：蔡佳霖;古文烨;李泓儒 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆检验方法及系统，晶圆检验方法包括下列步骤：撷取多张焊垫影像；根据物件侦测模型对这些焊垫影像进行辨识，并将这些焊垫影像分类为多张第一类焊垫影像以及多张第二类焊垫影像，其中这些第一类焊垫影像各自包含扎穿特征以及第一针痕特征，而这些第二类焊垫影像各自包含第二针痕特征；计算扎穿特征与第一类焊垫影像上的第一预设区域的面积比值；判断该面积比值是否大于预设值；以及，储存分类与判断结果。本发明内容同时提供一种晶圆验证系统，用以执行该晶圆验证方法。本发明内容的晶圆检验系统与晶圆检验方法可避免因为作业人员疲劳或主观判断而造成判断误差，还可有效增加检验晶圆的效率。
检验方法系统

[实用新型]适用于高倍物镜的傅里叶叠层显微成像系统-CN202120587363.5有效
发明人：王宏达;邵丽娜;李泓儒 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G02B21/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种适用于高倍物镜的傅里叶叠层显微成像系统，该成像系统的二维平板LED阵列照明装置的照明光依次多角度照射到样品台上的生物样品上，样品衍射的光依次经过高倍显微物镜、第一孔径光阑、反射镜、第二孔径光阑、无限远校正管镜，最后各个角度的图像聚焦在成像相机上，成像相机采集的多幅不同角度的低分辨率图像融合重建后，获得一张大视场、高分辨的成像图像。本实用新型的傅里叶叠层显微成像系统利用40x物镜可以实现100x物镜的分辨率，同时成像视场兼具40x物镜的成像视场。可以实现对细胞样品或组织切片进行大视场、高分辨成像，在医疗检测方面具有重要的应用价值。
适用于高倍物镜傅里叶叠层显微成像系统

[发明专利]高分辨荧光辅助傅里叶叠层双模态显微成像系统-CN202110126844.0在审
发明人：王宏达;邵丽娜;张金瑞;刘勇;李泓儒 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： G02B21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高分辨荧光辅助傅里叶叠层双模态显微成像系统，属于生命科学技术领域。本发明的高分辨荧光辅助傅里叶叠层双模态显微成像系统通过将荧光显微成像技术与傅里叶叠层显微镜成像技术进行联用，辅助无标记成像技术，通过荧光显微成像技术获取与生物分子分布相关的功能信息，通过傅里叶叠层显微技术获取细胞全景结构图像信息，将二者信息进行融合一体，研发出高分辨荧光辅助傅里叶叠层双模态显微成像技术，实现具有特异性的细胞全景成像技术。本发明可以实现细胞内包括线粒体、核膜、内质网以及溶酶体等多种亚细胞结构的细胞器相互作用的全景成像，用于生物效应、药物研究以及生命科学研究的各个领域。
分辨荧光辅助傅里叶叠层双模显微成像系统

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