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[发明专利]一种智能窗户及其制备方法-CN202210103604.3有效
发明人：刘奇明;赵永刚;王煜;刘浩;贺德衍 -专利权人：兰州大学
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： E06B9/24 文献下载
摘要：本发明提供一种智能窗户及其制备方法，涉及新材料领域。该智能窗户包括两个PEDOT：PSS薄膜电极以及封装在两个PEDOT：PSS薄膜电极之间的电解质，PEDOT：PSS薄膜电极包括基底以及设置在基底表面的PEDOT：PSS悬浮液涂层，PEDOT：PSS悬浮液由乙二醇、PH1000、含氟表面活性剂配制而成，电解质包括磷酸电解液或磷酸凝胶电解质，磷酸电解液由磷酸溶液、去离子水、乙二醇配制而成，磷酸凝胶电解质由聚乙烯醇与所述磷酸电解液配制而成。本发明提供的智能窗户可显著调控太阳近红外辐射能的透过率、可电化学储能、可见光透明度高、可全天候工作、稳定性好。
一种智能窗户及其制备方法

[发明专利]一种钒基忆阻器及其制备方法-CN202310908826.7在审
发明人：王琦;王嫣;苏朝辉;贺德衍 -专利权人：兰州大学
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明提供一种钒基忆阻器及其制备方法，涉及半导体器件领域。该钒基忆阻器的制备方法，包括以下步骤：在衬底上制备Pt电极作为底电极；将处理后的衬底和底电极加热，采用纯度99.9％的金属V靶，在底电极上溅射得到VOx薄膜，在空气中于400～600℃下退火20～120min，退火2～3次，得到二氧化钒薄膜；在二氧化钒薄膜上制备Pt电极作为顶电极。本发明提供的钒基忆阻器，将溅射后得到的VOx薄膜进行两次退火处理，多次退火过程可以促进更稳定的单斜相(M相)形成，并最大限度地减少第二相或杂质的存在，这可以提高薄膜的整体质量和可靠性，M相的二氧化钒功能层在室温下测试表现出良好的性能，且在室温下测量时可循环千次以上，稳定性极好。
一种钒基忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种阻变层材料、忆阻器及其制备方法-CN202110605703.7有效
发明人：王琦;王正;鲜林燕;贺德衍 -专利权人：兰州大学
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供一种阻变层材料、忆阻器及其制备方法，涉及电子器件领域。该阻变层材料包括羧化壳聚糖、聚乙烯醇和硝酸铵。将其形成的阻变层应用于忆阻器中，通过聚合物对于金属离子产生束缚作用能使电阻态缓慢的发生变化进而实现脉冲的增强抑制，而不是瞬间从高阻态变成低阻态，在施加脉冲后有两个量级的电导状态改变，并且不会达到限流，能实现优异的突触可塑性，如兴奋性突触后电流、抑制性突触后电流。本发明在将来的类脑忆阻器件上有非常好的应用价值，这对于突触计算和信息存储是不可或缺的。
一种阻变层材料忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种阻变层材料、有机忆阻器及其制备方法-CN202110599219.8有效
发明人：王琦;鲜林燕;王正;贺德衍 -专利权人：兰州大学
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种阻变层材料、有机忆阻器及其制备方法，涉及电子器件领域。该阻变层材料包括：聚乙烯亚胺和氮化硼量子点。该有机忆阻器，包括所述阻变层材料形成的阻变层。本发明提供的阻变层材料包括聚乙烯亚胺(PEI)和氮化硼量子点(BNQDs)，将掺杂氮化硼量子点形成的聚乙烯亚胺有机薄膜作为阻变层，形成的有机忆阻器在220℃下测试表现出良好的性能，且在室温下测量时可循环万次以上，表现出良好的循环性能和保持性。本发明提供的阻变层材料在将来的存储器件尤其是柔性存储器件上有非常好的应用价值，使得未来存储和未来计算在极端环境下也能正常工作。
一种阻变层材料有机忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种基于重离子辐照的透射电镜微栅以及制备方法-CN202010690473.4有效
发明人：刘德全;李一丁;刘建德;刘艳杰;孙楷;焦朝晖;谢志超;常英凡;贺德衍 -专利权人：兰州大学
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01J37/02 文献下载
摘要：一种基于重离子辐照的透射电镜微栅，该透射电镜微栅由高能重离子辐照后用氢氧化钠的溶液进行蚀刻后得到微孔的聚对苯二甲酸乙二醇酯PET薄膜和通过磁控溅射或热蒸发或电子束蒸发等方式镀在其上的金属薄膜构成，所述聚对苯二甲酸乙二醇酯PET薄膜的厚度为5‑30μm，所述金属膜的厚度为5‑30 nm。本发明是基于用经过重离子辐照的聚对苯二甲酸乙二醇酯PET薄膜后，再经过蚀刻形成具有孔径均一且可调的微孔，磁控溅射、热蒸发或电子束蒸发镀膜得到较高孔隙率和电导率的透射电镜微栅，相较于现有技术，制备的透射电镜微栅以重离子径迹膜为模板，在模板上覆盖一层厚度、种类可调的金属膜。该透射电镜用微栅由许多孔径均一、尺寸可调的微孔结构组成，该微孔结构较为纯净，可以有效消除传统微栅中金属网格对被测样品成分分析时的干扰，从而有利于提升测试时的精确度。
一种基于离子辐照透射电镜微栅以及制备方法

[发明专利]一种基于硅棒线切割废料制备硅氧化物的方法-CN202111134126.4在审
发明人：刘德全;闻震利;贺德衍;王晓哲;韩昀钊 -专利权人：兰州大学
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： C01B33/113 文献下载
摘要：本发明提供一种基于硅棒线切割废料制备硅氧化物的方法，涉及硅材料领域。本发明将硅棒线切割产生的硅废料通过热氧化(和归中反应)直接得到硅氧化物材料，不需要经过蒸发和冷凝过程，也无需经过粉碎破裂，工艺过程简单，成本低廉；通过控制反应条件，可以实现氧原子和硅原子比例在0.16∶1～2∶1范围内的调节；充分利用硅棒线切割产生的硅废料来制备硅氧化物，进一步将其应用到制备锂离子电池或石英坩埚中，能够促进硅废料的高价值利用。
一种基于硅棒线切割废料制备氧化物方法

[发明专利]一种改善柔性聚合物透明导电薄膜光电特性的方法及应用-CN201811466825.7有效
发明人：刘奇明;赵永刚;刘德全;王妍蓉;贺德衍 -专利权人：兰州大学
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善柔性聚合物透明导电薄膜光电特性的方法及应用，通过将切割成方块状的衬底用去离子水、酒精、去离子水各超声清洗10～15分钟；将PH1000、乙二醇按质量比为93：7混合后，往混合液中滴入一滴含F粘合剂，搅拌6～8个小时，得到PEDOT：PSS悬浮液；在衬底上旋涂或喷涂PEDOT：PSS悬浮液，根据PEDOT：PSS薄膜的厚度和表面均匀性确定旋涂或喷涂参数；将沉积了PEDOT：PSS悬浮液的衬底在热板上干燥，根据衬底和PEDOT：PSS薄膜的性质确定干燥参数；对干燥后的衬底表面的PEDOT：PSS薄膜进行机械压力处理。该柔性聚合物透明导电薄具有很好的柔性和透明导电性，适于在柔性有机光电子器件电极材料或界面修饰材料方面的应用。
一种改善柔性聚合物透明导电薄膜光电特性方法应用

[发明专利]阻变存储器及其制备方法-CN201910380046.3有效
发明人：王琦;杨栋梁;杨慧永;贺德衍 -专利权人：兰州大学
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括底电极、顶电极和设置在所述底电极和顶电极之间的阻变层，所述阻变层由聚乙烯亚胺制备而成。本申请采用聚乙烯亚胺制备阻变存储器中阻变层的方式，通过将聚乙烯亚胺制备阻变层与顶电极和底电极形成阻变存储器，达到了兼顾阻变存储器的耐高温和柔性的目的，从而实现了该阻变存储器能够在150℃下仍表现出良好的阻变性能，且成本低廉，制备方法简单易操作的技术效果，进而解决了由于现有的阻变存储器无法兼顾耐高温性能和柔性所导致的制约其在柔性电子器件和透光性器件中应用和发展的问题。
存储器及其制备方法

[发明专利]一种一体化全固态锂离子电池的制备方法-CN202011008834.9在审
发明人： 贺德衍;陈晨;刘建德;刘德全;常英凡;王婷;孙楷 -专利权人：兰州大学
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01M4/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种一体化全固态锂离子电池的制备方法，包括以下步骤：固态无机电解质的制备、有机‑无机杂化电解质的制备、全固态锂离子电池的制备。本发明的优点在于，采用在电极中加入一定量的电解质，人为使得电极浸润在电解质中，从而使得电极与电解质的活性接触位点增加，经退火处理后全固态锂离子电池电极与固态电解质界面相互浸润程度加深，为锂离子传导提供更多的通道，降低了制备所得全固态锂离子电池电极与电解质之间的界面内阻。
一种一体化固态锂离子电池制备方法

[发明专利]石墨烯的制备方法-CN201510389672.0在审
发明人：刘德全;田凌;付玉军;杨智博;贺德衍 -专利权人：兰州大学
申请日： 2015-07-06 - 公布日： 2015-11-04 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本、大规模制备大面积、高质量的石墨烯的制备方法。它包括以下步骤：用刻蚀液对碳合金进行刻蚀，去除含碳合金中的非碳元素，得到石墨烯；刻蚀液包括盐酸、硫酸或硝酸中的一种至三种。本发明方法相比现有微机械剥离法、外延生长法、CVD生长法和氧化石墨还原法，具有工艺相对简单，制备效率高，成本低，易于工业化生产的优点，可以直接利用钢铁工业中制备的含碳合金制备石墨烯。
石墨制备方法

[发明专利]一种纳米间距平面电极的制备方法-CN201010172785.2无效
发明人： 贺德衍;刘德全;王琦;杨丰;乔丽;秦艳丽 -专利权人：兰州大学
申请日： 2010-05-14 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种在微电子工程中制备电极的方法。本发明的纳米间距平面电极制备方法是首先采用静电纺丝装置制备出聚合物分子的电纺丝，再用基片材料收集电纺丝，使电纺丝附着于基片材料表面上，然后在附着有电纺丝的基片表面上用物理或者化学方法沉积一层导电介质薄膜，再将基片材料进行灼烧，去除其上的聚合物电纺丝，得到间距与纺丝直径相近的平面电极。本发明的方法可以得到极细线宽的电极，而且不会产生现有技术中因光的衍射和化学腐蚀产生的曲面问题，并有制备工艺简单、成本低廉的优点。
一种纳米间距平面电极制备方法

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