[发明专利]一种半导体激光器及其制作方法有效
| 申请号： | 202011278124.8 | 申请日： | 2020-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN112397997B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 童吉楚;徐枫;谢昆江 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/125 | 分类号： | H01S5/125;H01S5/343;H01S5/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆宗力 |
| 地址： | 225101*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体激光器及其制作方法，在增加了半导体激光器所包括的量子阱数量的同时，设置第i量子阱层中InGaAs阱层的In组分大于第i+1量子阱层中InGaAs阱层的In组分，由于InGaAs阱层的折射率随着In组分的升高而增加，进而能够对半导体激光器的光场限制，使得半导体激光器的发光点位置偏向衬底侧，有效降低半导体激光器的发散角。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州乾照光电有限公司，未经扬州乾照光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011278124.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 集成的相干长度减小的激光器-202310350265.3
- A·斯科菲尔德;张毅;A·J·齐尔克;A·特里塔 - 洛克利光子有限公司
- 2023-04-04 - 2023-10-17 - H01S5/125
- 本发明提供了一种激光器，所述激光器包括由第一反射器和第二反射器限定的激光腔。所述激光腔包括增益区和用于降低激光输出的相干性的腔内调制级。所述腔内调制级包括被配置为支持多个光模的区。所述第二反射器是宽带反射器，所述宽带反射器具有被配置为支持所述多个光模的反射光谱。
- 增益器件、半导体激光器及半导体激光器的制作方法-202110754239.8
- 李健;韦欣;李川川 - 中国科学院半导体研究所
- 2021-07-02 - 2023-10-13 - H01S5/125
- 本发明提供了一种增益器件，包括：顶保护层、窗口层、有源层和双波长分布式布拉格反射区，双波长分布式布拉格反射区包括第一分布式布拉格反射区和第二分布式布拉格反射区；窗口层设置在有源层上；有源层设置在第一分布式布拉格反射区或第二分布式布拉格反射区上，用于吸收通过窗口层的泵浦光的能量并发射激光；第一分布式布拉格反射区用于改变经过有源层后的泵浦光的传播方向，并将传播方向改变后的泵浦光反射至有源层，第二分布式布拉格反射区用于改变依次经过窗口层和有源层后的第一反射激光的传播方向，并将传播方向改变后的第一反射激光反射至有源层。本发明还提供了一种半导体激光器和半导体激光器的制作方法。
- 一种激光二极管及其制作方法-202310609482.X
- 钟志白;李佳恩;卓昌正;徐宸科;康俊勇 - 厦门三安光电有限公司
- 2019-05-28 - 2023-10-10 - H01S5/125
- 本发明公开了一种激光二极管及其制作方法。其中，所述激光二极管包括：衬底，以及位于衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括：N型层，活性层，表面具有脊状条的P型层以及DBR覆盖层；其特征在于，所述脊状条的端面为第一斜面，所述脊状条与所述DBR覆盖层的接触面包括第一斜面。所述制作方法包括步骤：在衬底上依次外延生长N型层、活性层和P型层，并制作带有脊状条的P型层；沿垂直于脊状条长度的方向对所述脊状条进行劈裂，得到脊状条的端面为第一斜面；进行DBR覆盖层生长，所述DBR覆盖层与所述脊状条的接触面包括所述第一斜面。它旨在解决垂直腔面造成边角的DBR覆盖不好，侧镀的DBR又会影响到激光二极管的共晶，从而导致的激光二极管电性不良。
- 一种分布反馈半导体激光器-202320998493.7
- 刘刚;冷祥;眭哲;严帅帅 - 无锡市华辰芯光半导体科技有限公司
- 2023-04-27 - 2023-10-10 - H01S5/125
- 一种分布反馈半导体激光器，包括:有源层；第一波导层；位于第一波导层背离所述有源层一侧的均匀光栅；位于部分均匀光栅背离第一波导层一侧表面的脊形区，脊形区包括第一脊形区和第二脊形区；钝化层，所述钝化层覆盖所述脊形区在宽度方向两侧的均匀光栅、以及第一脊形区，且暴露出第二脊形区的顶部表面；电阻层，电阻层覆盖第一脊形区表面的钝化层，电阻层用于加热第一脊形区；电阻层在分布反馈半导体激光器出光方向上的长度Lo＝kλ/(2*neff)；正面电极层，覆盖第二脊形区的顶部表面且和电阻层间隔设置。分布反馈半导体激光器同时满足单模激射和定波长。
- 多孔DBR的VCSEL芯片及其制备方法-202310806544.6
- 顾俊;薛聪;王庶民;董建荣 - 埃特曼（苏州）半导体技术有限公司
- 2023-07-03 - 2023-09-22 - H01S5/125
- 本发明公开了一种多孔DBR的VCSEL芯片及其制备方法。所述制备方法包括制作外延结构，所述外延结构包括沿第一方向层叠设置的第一超晶格DBR层、n型半导体层、有源区、电子阻挡层、p型半导体层和第二超晶格DBR层；采用电化学腐蚀的方式对所述外延结构进行选择性腐蚀，以在所述第一超晶格DBR层和第二超晶格DBR层内形成多个多孔层，第一超晶格DBR层和第二超晶格DBR层中的多个多孔层沿第一方向依次间隔设置；制作p电极和n电极，且使所述p电极与所述p型半导体层电连接，所述n电极与n型半导体层电连接。本发明采用一次外延获得两对DBR，且使用一次电化学腐蚀即可获得两对多孔DBR。
- 一种适配性好的激光器-202321279781.3
- 韩东 - 湖北安一辰光电科技有限公司
- 2023-05-25 - 2023-09-22 - H01S5/125
- 本实用新型公开了一种适配性好的激光器，属于激光器领域，包括激光器主体、激光头和控制主体，激光头位于激光器主体的前端，激光器主体和控制主体的侧壁四角处均开设有凹槽，凹槽处开设有用于螺栓插入的安装孔；激光器主体和控制主体之间设有连接套。本实用新型的一种适配性好的激光器，对激光器主体和控制主体之间的折叠部分进行改进，由于激光器主体和控制主体设置折叠部分，可根据光猫内安装空间调整激光器主体和控制主体所占空间，适配性较好，在可折叠的连接套上开设斜槽和透气孔，在连接套和激光器主体之间设置散热风扇，加快激光器主体之间的散热效率，连接套上的透气孔还具有进气和过滤效果。
- 一种绿光钙钛矿激光器及其制备方法-202310654211.6
- 郭晓阳;邹德月;刘星元;吕营 - 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
- 2023-06-05 - 2023-09-12 - H01S5/125
- 本发明涉及一种绿光钙钛矿激光器及其制备方法，解决现有准二维钙钛矿因快速结晶不利于混合相组分的调控影响能量传递效率的问题。所述激光器包括基板及依次在基板上设置的交替结构的氧化钛及二氧化硅的底部分布式布拉格反射镜、由DMSO营造的气氛辅助结晶的钙钛矿发光层和交替结构的硫化锌及氟化钇的顶部分布式布拉格反射镜。本发明通过DMSO气氛延缓准二维钙钛矿的结晶过程，有效地提高了钙钛矿的晶体质量，同时调控了准二维钙钛矿的相分布，加快了由小n相(n＝2)至大n相(n≥5)的能量转移过程，制备了表面粗糙度低、结晶性好钙钛矿薄膜。通过结合分布式布拉格反射镜实现室温下连续激光泵浦的微腔激光器。
- 垂直腔面发射激光器及其形成方法-202310574144.7
- 姜清华;丁帼君;叶鹏辉;吴炫聪 - 常州承芯半导体有限公司
- 2023-05-19 - 2023-08-22 - H01S5/125
- 一种垂直腔面发射激光器及其形成方法，方法包括：提供衬底，衬底包括器件区和环绕所述器件区的第一隔离区，器件区包括发射区和环绕所述发射区的第二；在衬底表面依次形成第一反射镜结构、有源层、至少两层重叠的第二反射镜结构以及位于相邻第二反射镜结构之间的透光材料层以及第一钝化层；在第二隔离区上形成第二凹槽，第二凹槽底部暴露出所述第一反射镜结构；在第一隔离区上形成第一凹槽，第一凹槽暴露出衬底表面，第二凹槽的深度小于第一凹槽的深度；在第一隔离区上的第一钝化层内形成切割凹槽，第一凹槽位于切割凹槽和第二凹槽之间。第一凹槽能阻挡切割时产生的微裂纹扩展至发射区，避免切割时产生微裂纹对器件性能带来不良影响。
- 垂直腔面发射激光器的形成方法-202310571771.5
- 姜清华;赵亚楠;李新宇;吴炫聪 - 常州承芯半导体有限公司
- 2023-05-19 - 2023-08-22 - H01S5/125
- 一种垂直腔面发射激光器的形成方法，包括：提供衬底；在衬底表面依次形成第一反射镜结构、有源层、第二反射镜结构、第一钝化层和第一光刻胶层；提供掩膜版结构，第一区上具有第一图案，第二区上具有第二图案；采用掩膜版结构对所述器件区上的所述第一光刻胶层进行第一图形化和第二图形化，以在第一钝化层上形成第一图形槽和第二图形槽，第一图形槽的图案与第一图案相对应，第二图形槽的图案与第二图案相对应；以第一图形槽为掩膜刻蚀第一钝化层、第二反射镜结构、有源层和第一反射镜结构，形成第一凹槽；以第二图形槽为掩膜刻蚀第一钝化层，在第一钝化层内形成第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽采用一道刻蚀工艺形成。所述方法提升了发光均匀性。
- 有源反馈分布式反馈激光器及其制作方法-202111595855.X
- 朱旭愿;剌晓波;梁松 - 中国科学院半导体研究所
- 2021-12-24 - 2023-07-21 - H01S5/125
- 本发明公开了一种有源反馈DFB的制作方法，包括：在衬底上形成两个掩膜条、位于两个掩膜条中间的生长窗口，每个掩膜条包括有源区掩膜和反馈区掩膜，有源区掩膜的宽度大于反馈区掩膜的宽度；在生长窗口上依次形成缓冲层、有源层、光栅层、光栅覆盖层；由光栅层形成横向延伸的均匀光栅；在光栅覆盖层上依次形成包层、电接触层；由包层形成纵向延伸的倒台型脊波导、以及位于倒台型脊波导两侧的沟槽；在倒台型脊波导上形成电隔离区；在电接触层上形成电隔离层，在电隔离层、倒台型脊波导和沟槽上形成BCB覆层；刻蚀BCB覆层，使BCB覆层仅存在于方形掩膜，和倒台型脊波导两侧的沟槽内；在方形掩膜上制备Pad电极。本发明还提供一种利用上述方法制作的DFB激光器。
- 层状结构-202222758013.8
- M·D·吉恩 - IQE公开有限公司
- 2022-10-19 - 2023-07-14 - H01S5/125
- 本实用新型涉及层状结构。层状结构（200、300、300'、400、400'、600）包括作为单一材料的第一层（240、320、420、620）和耦合到第一层的空腔（230、330、430、630）。第一层包括多孔区域（250、250'、350、350'、460、650）以形成第一分布式布拉格反射器(DBR)。多孔区域包括单一材料的交替的第一多孔子层和第二多孔子层（251‑258、351‑358、351'‑358'、461‑468、651‑658）以形成第一DBR。空腔包括有源区（238、338、438、638）以生成辐射、检测辐射或两者。需要提高制造DBR的速度和效率。有利地，层状结构提高了制造DBR的速度，减少了层状结构中的应变，减小了层状结构的尺寸，并且增加了产量。
- 直接调制激光器-202310430488.0
- 郭菲;陆丹;赵玲娟 - 中国科学院半导体研究所
- 2023-04-19 - 2023-07-04 - H01S5/125
- 本发明提供了一种直接调制激光器，涉及半导体光器件领域。该直接调制激光器包括：分布反射激光器和微环谐振滤波器，其中该分布反射激光器包括分布反馈激光器结构和分布布拉格反射结构；分布反馈激光器结构为多量子阱有源结构，用于产生光调制信号；该分布布拉格反射结构为无源波导结构，集成于分布反馈激光器结构的一端，用于通过调节注入电流的大小改变反馈至分布反馈激光器结构的光调制信号强度，使分布反馈激光器结构产生光子‑光子共振效应；该微环谐振滤波器，为无源波导结构，集成于分布反馈激光器结构远离分布布拉格反射结构的一端，用于利用光学滤波特性衰减光调制信号的偏移频率，降低分布反射激光器的频率啁啾。
- 一种激光二极管及其制作方法-201980004876.4
- 钟志白;李佳恩;卓昌正;徐宸科;康俊勇 - 厦门三安光电有限公司
- 2019-05-28 - 2023-07-04 - H01S5/125
- 本发明公开了一种激光二极管及其制作方法。其中，所述激光二极管包括：衬底，以及位于衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括：N型层，活性层，表面具有脊状条的P型层以及DBR覆盖层；其特征在于，所述脊状条的端面为第一斜面，所述脊状条与所述DBR覆盖层的接触面包括第一斜面。所述制作方法包括步骤：在衬底上依次外延生长N型层、活性层和P型层，并制作带有脊状条的P型层；沿垂直于脊状条长度的方向对所述脊状条进行劈裂，得到脊状条的端面为第一斜面；进行DBR覆盖层生长，所述DBR覆盖层与所述脊状条的接触面包括所述第一斜面。它旨在解决垂直腔面造成边角的DBR覆盖不好，侧镀的DBR又会影响到激光二极管的共晶，从而导致的激光二极管电性不良。
- 用于制作半导体激光二极管的方法以及激光二极管-201810859373.2
- C·科里亚索;G·米奈格海尼;R·保莱蒂 - 会聚光子学意大利有限责任公司
- 2018-07-30 - 2023-07-04 - H01S5/125
- 本公开涉及用于制作半导体激光二极管的方法以及激光二极管。一种在具有稳定波长的半导体激光器的平面部分中制作具有分布式光栅反射器(RT)的激光二极管的方法，包括：提供由基板、布置在基板上的第一包覆层、布置在第一包覆层上并适于发射辐射的有源层和布置在有源层上的第二包覆层以及接触层形成的二极管，所述包覆层适于形成异质结以允许电流到有源层中的有效注入和光学限制。制造方法提供以在器件的第一部分上产生波导以用于光学辐射的限制，并且在器件的其余部分上产生用于光反射和限制的两种不同光栅。通过光刻和随后的蚀刻来实现用于限制光学辐射的波导，而光栅的制作需要高分辨率光刻和从平面区域起的浅蚀刻。
- 抗外部光反馈的混合集成外腔半导体激光器-202310297287.8
- 李若林 - 珠海映讯芯光科技有限公司
- 2023-03-24 - 2023-06-23 - H01S5/125
- 本发明公开一种抗外部光反馈的混合集成外腔半导体激光器，由有源增益放大芯片和无源光子芯片组成，在无源光子芯片的光波导上依次设有波导位相控制区、波导滤波反馈区和波导偏振旋转器，有源增益放大芯片的光波导发出的光耦合到无源光子芯片的光波导中，有源增益放大芯片与无源光子芯片的耦合端面镀有光学抗反射膜，有源增益放大芯片的另一端面镀有光学高反射膜，由波导位相控制区和波导滤波反馈区构成的外腔波导结构具有偏振非对称性，即TE基模和TM基模的有效光折射率不同；外腔半导体激光器产生的激光进入波导偏振旋转器并由其将入射光的偏振方向旋转45度角。本发明实现了无光学隔离器的外腔激光的抗干扰运行，降低了成本和工艺复杂性。
- 一种异质集成外腔DBR半导体激光器-202320298516.3
- 王警辉;孙静雯;郑之远;赵青;常夏森 - 河南仕佳光子科技股份有限公司
- 2023-02-23 - 2023-06-09 - H01S5/125
- 本实用新型提出了一种异质集成外腔DBR半导体激光器，属于半导体激光器的技术领域，用以解决内腔DBR半导体窄线宽激光器工艺要求高以及线宽大的技术问题。所述半导体激光器包括耦合连接的激光器芯片和PLC光栅芯片，所述PLC光栅芯片包括衬底，衬底上由下至上依次设有下包层、波导光栅和上包层，波导光栅由一体集成的模斑转换器、直波导和布拉格光栅组成；激光器芯片的出光面与SSC模斑转换器的端面耦合。本实用新型采用F‑P腔结构和外部平面波导光栅结构的方案，通过外部波导以及外部布拉格波导光栅对内腔线宽进行压窄，该结构具备结构简单可靠，集成度高、制备成本低。
- 一种表面等离激元增强的GaN基回音壁电泵激光器及其制备方法-202310225723.0
- 赵丽霞;陈佳伟 - 天津工业大学
- 2023-03-10 - 2023-06-02 - H01S5/125
- 本发明属于片上集成的激光源技术领域，公开了一种表面等离激元增强的GaN基回音壁电泵激光器及其制备方法。该激光器从下到上包括衬底，缓冲层，n型掺杂GaN电流扩展层，多孔DBR层，n型掺杂GaN层，有源层，p型掺杂的电子阻挡层，p型掺杂GaN层，金属粒子层。本发明采用的底部多孔DBR反射镜能够在垂直方向上很好的限制回音壁微腔的光场，从而降低垂直方向上的损耗而降低阈值；并且分布在有源区附近的金属粒子有非常大的态密度，从而提高了回音壁微腔中有源区的辐射复合的能力，能够进一步降低阈值，本发明有助于实现片上平面集成的电泵低阈值激光器。
- 垂直腔面发射激光器及其制备方法-202310167451.3
- 占文康;赵超;沈超;徐波;王占国 - 中国科学院半导体研究所
- 2023-02-27 - 2023-05-09 - H01S5/125
- 本发明涉及半导体激光器领域，具体涉及垂直腔面发射激光器及其制备方法，该激光器包括衬底；缓冲结构覆盖于锗/硅或锗衬底表面包括：成核层与衬底表面接触，用于在衬底的表面提供成核点；第一缓冲层覆盖于成核层上，用于合并成核层三维岛结构，并形成无反相畴的表面；第二缓冲层覆盖于第一缓冲层上，用于提供平整的表面；谐振腔设置于缓冲结构上，包括：第一布拉格反射镜位于第二缓冲层上，用于反射激光器内的光形成激光振荡；第二布拉格反射镜与第一布拉格反射镜通过有源层分隔开，用于反射激光器内的光形成激光振荡；有源层用于提供增益产生激光；电极设置于谐振腔内或与衬底接触，用于电流的注入。
- 一种小尺寸面发射近红外激光器及其制备方法-202110914547.2
- 庄秀娟;赵贺鹏;潘安练 - 湖南大学
- 2021-08-10 - 2023-04-28 - H01S5/125
- 本发明涉及一种小尺寸面发射近红外激光器及其制备方法。所述激光器包括由底部分布式布拉格反射微腔和顶部分布式布拉格反射微腔构成的分布式布拉格反射微腔；所述底部分布式布拉格反射微腔的顶部为二氧化硅层，该层二氧化硅层布置有单晶铒镱硅酸盐纳米片，底部分布式布拉格反射微腔由厚度为185.5nm的五氧化二钽层和厚度为263.7nm二氧化硅层交替分布9次构成，顶部分布式布拉格反射微腔由厚度为263.7nm二氧化硅层和厚度为185.5nm的五氧化二钽层交替分布8次构成；所述单晶铒镱硅酸盐纳米片也与顶部分布式布拉格反射微腔中的一层二氧化硅层接触。本发明结构设计合理、制备简单可控，便于工业化应用。
- 改善边模抑制比的激光器芯片及其制造方法-201710439212.3
- 王娜;李马惠;潘彦廷;王昱玺;陈怡婷;党晓亮;燕聪慧 - 陕西源杰半导体科技股份有限公司
- 2017-06-12 - 2023-04-25 - H01S5/125
- 本发明公开了改善边模抑制比的激光器芯片及其制造方法，通过在包层覆盖与波导刻蚀之间，增加干法加湿法的刻蚀工艺，提供一种新型布拉格光栅，来提升激光器芯片的模态稳定性，这种方式制造工艺简单稳定，可以避免后期的芯片切割工艺的不确定性，同时大幅提高芯片的良率。
- 多孔分布式布拉格反射器装置、系统和方法-202211279655.8
- M·D·吉恩 - IQE公开有限公司
- 2022-10-19 - 2023-04-21 - H01S5/125
- 公开了多孔分布式布拉格反射器装置、系统和方法。层状结构200、300、300'、400、400'、600包括作为单一材料的第一层240、320、420、620和耦合到第一层的空腔230、330、430、630。第一层包括多孔区域250、250'、350、350'、460、650以形成第一分布式布拉格反射器(DBR)。多孔区域包括单一材料的交替的第一多孔子层和第二多孔子层251‑258、351‑358、351'‑358'、461‑468、651‑658以形成第一DBR。空腔包括有源区238、338、438、638以生成辐射、检测辐射或两者。有利地，层状结构和形成层状结构的方法提高了制造DBR的速度，减少了层状结构中的应变，减小了层状结构的尺寸，并且增加了产量。
- 双光栅半导体激光器-202211724247.9
- 梁松;郭竟;朱旭愿;李振宇;李欢 - 中国科学院半导体研究所
- 2022-12-30 - 2023-04-18 - H01S5/125
- 本发明提供了一种双光栅半导体激光器，包括分布反射镜区和分布反馈区。其中，分布反射镜区包括：第一N电极，形成于第一衬底的下表面；第一衬底；第一量子阱材料层，形成于第一衬底的上表面；第一光栅，形成于第一量子阱材料层之上；第一包层材料，形成于第一光栅之上；分布反馈区包括：第二N电极，形成于第二衬底的下表面；第二衬底；第二量子阱材料层，形成于第二衬底的上表面；第二光栅，形成于第二量子阱材料层之上；第二包层材料，形成于第二光栅之上；第一P电极，形成于第二包层材料之上；其中，第一光栅的高度大于第二光栅的高度，且第二光栅的高度为5～200nm。
- 半导体激光器-202211560226.8
- 陈少康;刘宇;班德超;徐长达;白金花;王欣;袁海庆;陈伟;李明;祝宁华 - 中国科学院半导体研究所
- 2022-12-06 - 2023-04-07 - H01S5/125
- 本公开提供了一种半导体激光器，所述半导体激光器包括在同一衬底上并排配置的有源区、增益调控区、相位区、光栅区和隔离区，其中，所述增益调控区采用与所述有源区相同的结构和材料，用于与所述有源区产生光电相互耦合作用，以改变所述半导体激光器的增益。
- 半导体激光器件中电流扩散的控制-202211218383.0
- 叶夫根尼·齐比克;维尔弗里德·麦纽尔特 - II-VI特拉华有限公司
- 2022-10-05 - 2023-04-07 - H01S5/125
- 本申请涉及半导体激光器件中电流扩散的控制。半导体激光器被形成为包括电流阻挡层，该电流阻挡层位于器件的有源区下方，并被用于使超出输出光束的光学模式的限定尺寸的电流扩散最小化。当与通常设置在有源区上方的其他电流限制结构(例如，脊波导、电隔离、氧化物孔)结合使用时，对下方的电流阻挡层的包括改进了器件的效率。电流阻挡层可以被用于边缘发射器件或垂直腔面发射器件中，并且还作用于通过引导电流远离小面流动来改进模式成形和减少小面劣化。
- 蓝光隧道结纳米环光放大器外延结构及放大器的制备方法-202011450850.3
- 曾丽娜;李林;李再金;乔忠良;李功捷;赵志斌;陈浩;刘国军;曲轶;彭鸿雁 - 海南师范大学
- 2020-12-09 - 2023-04-07 - H01S5/125
- 本发明公开了一种蓝光隧道结纳米环光放大器外延结构及放大器的制备方法，包括：衬底层、缓冲层、底部GaN同质结分布布拉格反射镜层、下势垒层、有源层、隧道结层、电流注入层、上势垒层、顶部GaN同质结分布布拉格反射镜层和欧姆接触层；衬底层上依次生长缓冲层、底部GaN同质结分布布拉格反射镜层、下势垒层、有源层、隧道结层、电流注入层、上势垒层、顶部GaN同质结分布布拉格反射镜层和欧姆接触层。本发明能够改善现有纳米环光放大器的刻蚀缺陷，从而能够保证获得高质量的蓝光隧道结纳米环光放大器，方法易于控制，工艺稳定。
- 一种调频速率可变的激光线性调频装置及其调频方法-202211437542.6
- 杨洪伟;史双瑾;王云祥 - 西南石油大学
- 2022-11-17 - 2023-04-04 - H01S5/125
- 一种调频速率可变的激光线性调频装置及其调频方法，包括宽带可调谐激光器、微光学透镜、分束器、可调光延时非平衡MZ干涉仪、平衡光电探测器、鉴相器、环路滤波器、升/降开关控制电路和积分器。可调光延时非平衡MZ干涉仪包含两个耦合器和一个可调光纤延迟线单元，由干涉仪上下两臂线性调频光频率与时间的关系可得，当可调光纤延迟线单元的延时量发生改变时，就可改变输出激光的调频速率。本发明利用可调光纤延时线改变光的时延，可达到改变调频速率的目的。
- 双光栅半导体激光器的制作方法-202211730474.2
- 梁松;郭竟;朱旭愿;李振宇;李欢 - 中国科学院半导体研究所
- 2022-12-30 - 2023-03-21 - H01S5/125
- 本发明提供了一种双光栅半导体激光器的制作方法，包括：在衬底的上表面依次生长第一量子阱材料层、第一光栅材料层、间隔层以及第二光栅材料层，构成激光器的大致轮廓，并将激光器划分为分布反射镜区和分布反馈区；去除分布反馈区的第二光栅材料层；分别在分布反射镜区以及分布反馈区制作第一光栅以及第二光栅；在第一光栅与第二光栅之上生长包层材料；在分布反馈区的包层材料上制作第一P电极以及在衬底的下表面制作第一N电极。
- 光频梳装置及计测装置-202180043013.5
- 中村将;稻田安寿;J·杰尔曼;B·库伊肯;K·V·加斯;A·赫尔曼斯 - 松下控股株式会社;根特大学;IMEC公司
- 2021-11-15 - 2023-03-07 - H01S5/125
- 光频梳装置(10A)具备：光波导(13w)；反射镜(13m1)，设置在光波导(13w)的第1位置；反射镜(13m2)，设置在光波导(13w)的与第1位置不同的第2位置；增益介质(13g)及可饱和吸收体(13sa)，设置在反射镜(13m1)与反射镜(13m2)之间；以及控制部，将从光波导(13w)的端部输出的光频梳的重复频率及载波包络偏移频率的一方固定，并使另一方变化。
- 双波长半导体激光器及其制备方法-202111028108.8
- 邓秋芳;李玮淳 - 中兴光电子技术有限公司;苏州洛合镭信光电科技有限公司
- 2021-09-02 - 2023-03-07 - H01S5/125
- 本发明提供了一种双波长半导体激光器及其制备方法，双波长半导体激光器包括：第一DBR激光区，包括第一光栅区，第一光栅区设置有第一弯曲波导；第二DBR激光区，包括第二光栅区，第一光栅区设置有第一弯曲波导，第二光栅区设置有第二弯曲波导，第一夹角与第二夹角互不相同，第一光栅区的光栅和第二光栅区的光栅具有相同的光栅周期，第一夹角为第一弯曲波导与垂直第一光栅区的光栅方向所成的夹角，第二夹角为第二弯曲波导与垂直第二光栅区的光栅方向所成的夹角。根据本发明实施例提供的方案，通过光栅结合弯曲波导实现了等效啁啾光栅，利用弯曲波导与光栅的夹角不同增大了DBR激光区的反射谱范围，有效提高激光器的调谐范围和拍频实现的微波调谐范围。
- 一种微曲面DBR及其制备方法和应用-202210644192.4
- 陈焕卿;于果;李俊超;胡晓东 - 北京大学
- 2022-06-09 - 2023-01-24 - H01S5/125
- 本发明公开一种微曲面DBR及其制备方法和应用，属于纳米尺度的微结构制造工艺。本发明微曲面DBR的结构是在铺置纳米小球的衬底上交替生长高折射率材料和低折射率材料形成，所述高折射率材料和低折射率材料交替叠加构成堆垛结构，通过纳米小球的诱导，堆垛结构最外面的轮廓呈弧形球冠。本发明可以通过改变高折射率材料和低折射率材料或者纳米小球的尺寸，方便地调节曲面DBR凸起的高度和半径，针对不同波长微腔实现光场限制，且该微曲面DBR的制备方法简单，不需要光刻工艺，适用范围广阔，可以用作VCSEL的上下腔面反射镜，实现具有超小模式体积和较高品质因子的光学微腔。
- 专利分类
